Способ получения эмиттера ионов щелочных металлов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(Ы) М, Кл Н" 01 Л 3/04 присоедииени аявкиГосударственный к Совета Мкннстроо во делам нэооретн открытнй метет 1 Ю(72) Авторы изобретенй коиЛ.С,Са В. вовский ордена Ленина государственный. университет им. Ивана Франко) Заявите 4) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭМИТТЕРА ИОНОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВИзобретение относится к технике получения ускоренных ионных пучков и можетбыть использовано при создании высокоинтенсииных стабильных источников ионов щелочных металлов.Известен способ получения эмиттераионов щелочных металлов, основанный на поверхностной нонизации атомов на нагреваемой металлической поверхностиЦ,Однако при работе такого эмиттера формируется ионный пучок, который загрязненнейтральными атомами щелочных металлов,Наиболее близким техническим решениемк предлагаемому изобретению является способ получения эмиттера ионов щелочныхметаллов, включающий нагревание металлического катода, помещенного в вакуум,с последующей поверхностной ионизациейатомов щелочных металлов 12.Рабочее вещество наносят на поверхность металлического катода, который затемнагревается подогревателем, и на поверхности которого осуществляется ионизацияатомов щелочных металлов.Недостатком этого способа является малая плотность тока, получаемого с эмиттера,и большой расход рабочего вещества, что снижает срок службы эмиттера.Целью изобретения является увеличение. плотности тока ионов и увеличение срокаслужбы эмиттера.Это достигается тем, что по предлагаемому способу на катод наносят оксидное по.крытие, состоящее из одного или нескольких окислов бария, стронция и кальция, которое перед нагревом подвергается бомбар- дировке ионами щелочных металлов с энер гней ионов 25 - 30 кэВ и плотностью заряда на единицу поверхности эмитте.ра 500 - 750 мкА час/смЭмиттер ионов щелочных металлов по.лучают следующим образом.то Оксидный катод и вольфрамовую спиральс нанесенным алюмосиликатом помещают в вакуум. При давлении остаточного газа в вакуумной системе не менее 5 10"е тор производят актнвировку оксидного катода.После этого производится бомбардировка оксидного катода. Для бомбардировки оксндного катода ионами нагревают вольфрамовую спираль и подают напряжение 25 - 30 кВ между вольфрамовой спиралью и оксидным катодом, плотность тока619982поверхностной ионизацией атомов щелочных металлов, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности тока ионов к увеличения срока службы эмиттера, на катод наносят оксидное покрытйе, состоящее изэ одного или нескольких окислов бария, стронция и кальция, которое перед нагревом под вергается бомбардировке ионами шелочв ных металлов с энергией 25 - 30 кэВ и плот ностью заряда на единицу поверхности эмиттера 500 - 750 мкА час/сме. 3поддерживают 50 мкА/смх на протяже нии 10 - 15 ч, Для получения ионов щелоч ных металлов вольфрамовую спираль необ ходимо нагреть для цезия в преде лах 500 в 6 С, калия 750 в 8 С, на трия 800 в 10 С, лития 1200 в 400 С После бомбардировки ионами оксидный ка тод при нагревании способен испускать ио ны. При испускании ионов выделения газо не происходит. Плотность тока достига ет 300 - 350 мкА/сма,9Эмиссионные свойства эмиттера не менеегся после вскрьггия его на атмосферу в холодном состоянии. Формула изобретения,Способ получения эмиттера ионов щелочных металлов, включающий нагрев катода, помещенного в вакуум, с последующей Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Дж. Хостед Физика атомных столкновений. М., 954, с: 121 - 138.2, Ткачик 3. А Кульварская Б. С, Исследование твердотельных источников ионов цезия, Электронная техника, Серия 4, Злектровакуумные и газоразрядные приборы, выпуск 6, 1976) с, 3 - Ь, Составитель В, Краснопольский Редактор ЛБатаноаа Техред О. Луговая Корректор П. Макаревич Заказ 45 8/48 Тираж 960 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Мнннстров СССР по делан иэобретеннй н открытий 113036, Москва, Ж, Раушская наб., д. 45 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4
СмотретьЗаявка
2415166, 28.10.1976
ЛЬВОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. ИВАНА ФРАНКО
ЗЛУПКО ВАСИЛИЙ НИКОЛАЕВИЧ, САВЧИН ЛЕВ СТЕПАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01J 3/04
Метки: ионов, металлов, щелочных, эмиттера
Опубликовано: 15.08.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-619982-sposob-polucheniya-ehmittera-ionov-shhelochnykh-metallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения эмиттера ионов щелочных металлов</a>
Предыдущий патент: Материал для катода
Следующий патент: Система автоматического наполнения разрядников
Случайный патент: Частотный датчик виброускорений