Способ изготовления электронного прибора

(61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06,04,77 (21) 2475178/18.25 с присоединением заявкиМ. Кл Н 01 7 ооударотеенны комитетСоаета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий Приоритет(43) Опубликовано 25.08,78. Бюллетень(45) Дата опубликования описания 14.07.78 21.383.0 (0888)(54) СПОСОБ ИЗ ЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРА яется увеличе что после активчника парамири температуреературы разлоиной поверхностивку этой повнагрева вспом зия, пнижения ила затеностительно рхмого тем регулиисточника га. ров це я при бора при днт разрушетх на различ. Изобретение относится к электровакуум.ной технике, в частности к способу изготовленияэлектронных приборов с эмиссионными поверх- .ностями, активированными цезием, например,с фотокатодами и вторично - эмиссионнымидино дами,Известен способ изготовления электронного прибора, в котором пары цезия при активировке получают с помощью генератора на основе помещенного в металлическую оболочкуоднофазного соединения церия и металла, давление паров которого значительно меньше дав.ления паров цезия т 11,Недостатком такого способа является невозможность одновременного получения достаточного количества чистого цезия и сохранениясверхвысокого вакуума в приборе в процессеактнвировки эмиссионных поверхностей.Известен также другой способ изготовления электронного прибора с эмиссионной по.верхностью, включающий активировку. парамицезия эмиссионной поверхности и вспомогательного источника паров цезия на основе однофазных соединений цезия, представляющего собойнапыленный на внутреннюю поверхность стек 1 янного баллона прибора слой вещества, обладающего низким давлением паров по сравнению с цеэием и,обраэующего с ним однофазное соединение, которое днссоциирует с вьщелением чистого цезия при нагреве прибора (2),Недостатком этого способа является иьвозможность регулирования количества цезия, поступающего от вспомогательного истофвика.и зависимость скорости поступления цезия от О температуры активирования эмиссионной поверхности и, как следствие этого, малая стабиль.ность параметров. Целью изобретения явлильности параметров.Это достигается тем,алия вспомогательного историбор обезгаживаюг п150 С и не выше темпи испарения эмиссиом производят активиро В процессе обезгаживатемпературе выше 150 С про ние геттерных пленок, обра621037 1974 Составитель В. БелоконьТехред А. Алатырев Редактор Н, Хлудова Корректор Н. Яцемнрскал Заказ 4670/49 Тираж 960 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Рвушскал наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектнал; 4 ных поверхностях внутри прибора, и активная дессорбция неконтролируемых загрязнений, ко торые отгоняются иэ прибора путем откачки, В то же время происходит частичный распад пленок, содержащих цезий, образованных на эмиссионных поверхностях во время предварительной активировки вспомогательного источни. ка. При этом выделяется цезийчто при темпе. ратуре выше 150 С, ведет к образованию на конструктивных элементах прибора пленок иэ хемосорбированного и растворенного цезия, О тем самым повышается стабильность прибора.Верхний предел используемого при обез.гаживании диапазона температур определяется .необходимостью сохранения материалов, являю. щихся основой для изготовления эмиттирующих 15 поверхностей.Примером способа изготовления электрон. ного прибора может служить изготовление фотоприборов с сурьмяно.цезиевыми эмнттерами.В этом случае оптимальный диапазон темпера. 20 тур при обезгаживании составляет 180 - 200 С, т. к. при температуре свыше 200 С начинается испарение слоя сурьмы. Регулируемый на.грев вспомогательного источника производят с помощью встроенного в него подогревателя. 25Способ позволяет получить оптимальное давление свободных от загрязнений паров цезия в объеме прибора, что обесленивает улучшениеи стабильность параметров электронных прибо.ров,Формула изобретения Способ изготовления электронного прибора с эмисавнной поверхностьй, включающий активировку парами цезия эмиссионной поверхности и вспомогательного источника паров цезия на основе однофазных соединений цезия, о т л и. ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюувеличении стабилырсти параметров, после активировки вспомогательного источника парами цезия, прибор обезгаживают при температуре не ниже 150 С и не выше температуры разложения или испарения эмиссионной поверхности, а затем производят активировку этой поверхности путем регулируемого нагрева вспомогательного источника паров цезия. Источники информации, принятые во вни.мание при экспертизе: 1, Патент Франции Ие 2189860,кл, Н 01 Х 19/70,2, Патент США йо 3858955, кл, 316 - 19, 1975.