Корзо

Номер патента: 1071611

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Дорофеева, Качарава, Корзо, Салия, Черняев

МПК: C04B 37/00

Метки: керамических, пористых, соединения

...а при УФ-облучении происходит активация поверхности изделия и его адгеэия к материалу растущей пленки металла резко возрастает, В целом, УФ-активация позволяет проводить металлизацию поверхности плохо адгеэирующего материалапри температуре. пиролиэа "хорошо адгезирующего материала и действуеткак эффективный катализатор, БеэУФ-активации адгезия соединительногослоя в паре материалов с различнойадгезией связующего металла весьманизкая, а механическая прочностьсоединения недостаточна для надеж-.ного соединения деталей,После металлиэации проводят дегазацию остаточных продуктов разложения до их полной десорбции со, стенок пор. Для этого иэделия прогревают в вакууме при температуре пиролиза, а затем на металлизированнуюповерхность изделия с...

Номер патента: 1071610

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Глудкин, Гогия, Корзо, Коротков, Мгебришвили

МПК: C04B 37/00

Метки: керамических, однородных, пористых, соединения

...реакция разложениябудет осуществляться только на поверхности.металла, но не на поверх. ности керамики С другой стороны, процесс осаждения металла на тот же металл всегда происходит при более низкой температуре, чем при нанесении металла на диэлектрик, из которого выполнена керамикаПоэтому уда ется реализовать режим селективного осаждения соединяемого металла только на металлизированных участках керамики.Выбор типа исходных реагентов и указанных режимов обусловлен тем, что металлы хром и никель обладают высокой адгезией, коррозионной стойкостью и механической прочностью поэтому их удобно использовать в качестве соединяющего демпфирующего слоя нри стыковке различных материалов. С другой стороны, бисареновые соединения этих металлов...

Номер патента: 1027768

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Гогия, Дроздова, Качарава, Корзо, Кубрин, Салия, Юсипов

МПК: G11B 5/42

Метки: головки, магнитной, поверхности

...головки, что ограничиваетмоэможность ее использования в услоЭМях повышенной температуры.Цель изобретения - повышение термической стойкости магнитной головки,укаэанная цель достигается тем,что согласно способу обработки поверхности магнитной головки путемнапыления нитрида кремния на поверхность магнитной головки, перед напылением ынтрида кремния производятаэоткрованне поверхности магнитнойголовки в тлеющем разряде в вакуумепри 100-150 С в течение 1-3 мин, апосле напыления нитрида кремния производят осаждение нитрида бора приоблучении гаье 1 а-квантами с интенсивностью облучения 5,2 10 - 8,5 хх 10 Е см-с ".В предлагаемом способе предварительное аэотирование поверхностимагнитной головки и осаждение нитрнда бора при облучении...

Номер патента: 999098

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Бондаренко, Вавилов, Корзо, Соколов, Черняев

МПК: G11B 5/72

Метки: записи, защитное, магнитной, носителе, покрытие

...обеспе" чивает наличие адгезии между подслоями покрытия и их антистатику.Выбор толщин каждого из подслоев покрытия обусловлен необходимостью получения однородности и сплошности покрытия, минимально допустимой толщиной покрытия в целом, получени формула изобретения Защитное покрытие на йосителе маг 65 нитной записи, содержащее нитрид литетрафторэтилена 10-100Полимера ви- нилиденфторида ОстальноеНа фиг. 1 представлено защитноепокрытие, на фиг, 2 - характер изменения концентрации различных фракций в каждом из слоев покрытия,Покрытие содержит слой 1 магнитного носителя, внутренний адгезионный слой 2 из смеси нитрида кремния,полимеров винилиденфторида и трифторхлорЭтилена, промежуточный согласующий термокомпенсирующий слой 3...

Номер патента: 974407

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Геворкян, Дроздова, Корзо, Мгебришвили, Юсипов

МПК: G11B 5/712

Метки: аморфных, лент, магнитных, поверхности, сплавов

...1), Лента подается барабаном или конвейерным устройством (непоказаны), В зоне 1 облучается ультрафиолетовым излучением реакционный объем (показано стрелками), в зоне Й- объем и поверхность ленты, в зоне )япреимушественно поверхность ленты.Способ осуществляется следующим образом,Типовую ленту из аморфного магнитного сплава состава железо - кремний - алюминий с помощью барабанного или конвейерного устройства пропускают через зону распыления, в которой в рабочем вакууме 10 4 -10мм рт.ст, одновременно осуществляют катодное распыление мишеней из нитрида кремния и нитрида алюминия и взрывное испарение порошка полимера трифторхлорэтилена, а реакционный объем облучают широкополосным ультрафиолетовым излучением. В результате в объеме происходит...

Номер патента: 939983

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Гогия, Корзо, Салия, Черняев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...зависимости от величины измеря емого давления и требуемой чувствительности используется больший или меньший участок тензочувствитель ного слоя между управляющими контактами 9. Величина чувствительности регулируется управляющим напряжением О через контакты 9. При увеличении входного напряжения ОВ линейно нара стает величина управляющего напряжения О. По мере роста напряжения О нарастает величина критического поля на контактах 9, достигая порогового значения Ео ) при котором происходит переключение диэлектрика 6. Так как самым тонким является участок35 у вершины диэлектрика 6, расположенный наиболее близко к контакту 1, то при напряжении О срабатывает первый контакт, происходит переключение диэлектрика 6 под этим, контактом в проводящее...

Номер патента: 896433

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Кологривова, Корзо, Черняев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...деформации подвергается его середина, минимальной - его края.Устройство работает следующим образом.В зависимости от величины напряжения между электродами 3 и 4, выполняющими функцию тензочувствительных элементов, сопротивление диэлектрических перемычек 5 может быть низким или высоким. Если величина напряжения на диэлектрике 5 не превышает некоторого порогового напряжения, то такой материал находится в высокоомном состоянии и обладает определенным удельным поверхностным сопротивлением. При некотором пороговом .напряжении сопротивление диэлектрика скачком за время порядка нескольких нс переходит в ниэкоомное состояние и остается в этом состоянии при всех напряжениях, выше порогового. При уменьшении напряжения диэлектрик скачком...

Номер патента: 868896

Опубликовано: 30.09.1981

Автор: Корзо

МПК: H01R 3/08

Метки: акустический, реактор

...гринципиальная схема предлагаемого устройства;на фиг.2 - продольный разрез зоны( толщина стенок, ввод и вывод паров.водяной затвор и устройство вводаакустической волны являются стан"дартными и не показаны), подогреваемый столик 2 с подложкой 3, осаждаемую пленку 4. систему 5 актива 10 5 20 25 ЭО 35 40 45 50 55 С помощью акустического генератора в реакторе создается режим стоячей водны и в подложке генерируются поверхностные звуковые волны. В местах расположения пучностей стоячей волны происходит интенсивное колебание материала подложки эа счет избыточной энергии акустической волны. Это эквивалентно выделению большого количества избыточного тепла и локальному разогреву подложки, В результате структура конденсата, выпадающего при...

Номер патента: 864591

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Кологривова, Кондрашин, Корзо, Локтаев, Черняев

МПК: H04R 23/00

Метки: звукопровода, нанесения, ниобия, подложку

...ниобия - с гиперболы- чески нарастающей интенсивностью в направлении движения ламинарного потока.Нанесение ниобия на подложку эвукопровода согласно предложенному способу происходит следующим образом.Пары реагента ннобия в реакционном 10 объеме облучают ультрафиолетовым активи.рующим излучением. Э то сопровождается конденсацией ниобия на подложку звукоцровода в парах реагента ниобия в реакционном объеме. При этом формированием 15 в парах реагента ниобия ламннарного пото. ка со скоростью расхода 0,01 или 0,04 . л/мин производят нанесение островков ниобия на подложку звукопровода. В момент срастания островков ниобия на подложке эвукопровода прекращают облучение ультрафиолетовым активируюшим излучением и производят формирование стоячей...

Номер патента: 862395

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Блохин, Кологривова, Корзо, Черняев

МПК: H04R 23/00

Метки: звукопровода

...излучения,Изготовление звукопровода по предложенному способу происходит следующим образом.Слой металла с продольно осциллирующей степенью акустического поглощения наносят активационным разложением паров 15 органических соединений на поверхностиоптически прозрачной подложки звукопровода, расположенной в реакционной камере.Причем поверхность оптически прозрачной подложки звукопровода облучают ультрафиолетовым излучением с периодически изЗ 1 меняющейся в пространстве интенсивностью.При этом в процессе активационного разложения в парах органических соединений формируют стоячую акустическую волну,862395 Формула изобретения Составитель Ю. Розенкранц Редактор О. Филиппова Техред А. БойкасКорректор Ю, Макаренко Заказ 6637/55 Тираж 698...

Номер патента: 862394

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Кологривова, Корзо, Рысев, Черняев

МПК: H04R 23/00

Метки: звукопровода

...Стенка акустического резонатора-реактора 1 сопряжена с входным и выходным натекателями 2 и 3, соединенными соответственно через трубы 4 и 5 с источником газа-носителя и с узлом отсоса продуктов разложения, Входной и выходной натекатели 2 и 3 расположены с противоположных сторон подложки 6 звукопровода, предназначенного для нанесения слоя 7 металла, Подложка 6 звукопровода установлена на подогревателе 8 против формирователя 9 ультрафиолетового активирую- щего излучения.В предложенном устройстве входной и выходной натекатели 2 и 3 выполнены с прямоугольными рамками 10 и 11 из поглощающего акустическую волну пористого наполнителя, внутренние поверхности которых совпадают с внутренней поверхностью стенки акустического резонатора-реактора 1....

Номер патента: 853442

Опубликовано: 07.08.1981

Автор: Корзо

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...Т 4 А 10 Ь с удельным сопротивлением ниже 1 кОм/ /квадрат.Для устранения механических остаточных напряжений в пленочных компонентах схемы проводят Формующий отжиг прибора. Отжиг двухслойного диэлектрика осуществляют в атмосфере азота и аргона (,1:1) при температуре 550 фС в течение 15 мин. Отжиг готовой схевм с, контактньпа площадками проводят в вакууме 10 Па в течение 45 мин при температуре 450 оС. Герметизацию приборов осуществляют пайкой высокотемпературным припоем (ПСРи др.), кольцевой аргонно-дуговой сваркой крышки с5 О 15 20 мембраной, или сваркой расщепленным электродом с заключительной откачкой рабочего объема через штевгель в крышке.Прибор работает следующим образом.При изменении давления окружающей среды Р происходит прогиб...

Номер патента: 809410

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Корзо, Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный, резисторов, тонко-пленочных

...вес.в: Каждую смесь сплавляют отдельно в электрической печи, углерод в виде мелкодисперсной сажи вводят в расплав после плавления хрома и кремния,Иэ каждой смеси резистивного материала отливают мишень диаметром 130 мм, толщиной 12 мм. После остывания мишень подвергают механической обработке для снятия верхнего слоя на глубину О, 5-1 мм, ионно-плазменным распылением в атмосфере аргона при рабочем давлении 3,410 Па иэ нее получают резистивные пленки с поверхнзостнык сопротивлением 0,5.1 кОм/ммЭксплуатационные испытания резистс-ров на основе сплава хром-углерод- кремний в температурном интервале до 400 С и в вакууме 10Па в течение 1000 ч показывают, что изменения номинальных значений сопротивлений составляют не более 7,8.Установлено,...

Номер патента: 801119

Опубликовано: 30.01.1981

Автор: Корзо

МПК: H01C 17/00

Метки: датчикадавления

...термического нагрева датчика в атмосфере инертного газа, препятствующего протеканию окислительновосстановительных реакций.При нагреве происходит полная термическая активация соединения, продукты распада улетучиваются иэ области 45 шва и образуется герметичное и прочное соединение иэ чистого АЙОЙ. Для повышения надежности контакта датчик выдерживают под давлением окружающей среды.На чертеже представлена принципиальная технологическая схема процесса изготовления датчиков,На сапфировое кольцо 1 с обеих сторон наносят слой алюминий-органического соединения со связкой 2, причем верхний слой имеет наружный диаметр, равный внутреннему диаметру нижнего слоя кольца. Затем сборку с мембраной 3 устанавливают на титановое кольцо-шайбу 4 и...

Номер патента: 767221

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Кологривова, Корзо, Рысев, Черняев, Юсипов

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, нанесения, покрытий, реактор, фазы

....камеры осаждения установлен.съемный сепаратор 10, содержащийкольцевые секторы 11, разделенные р 5перегородками 12, в которых выполнены отверстия 13 для подачи паровреактива в зону 9 осажденияСистемаподачи газовой смеси(на чертеже непоказана)подключена к камере осаждения эа сепаратором 10. Подложкодержатель 4 жестко связан с виброприводом (на чертеже не показан),служашим для возбуждения колебательных движений в вертикальной плоскости.Устройство работает следующимобразом.Исходные изделия в виде шаров (например, стальных)из магнитного материала загружают в бункер б, включают магнитный затвор 5, и партияшаров поступает в подложкодержатель 4.Так как напряженность магнитногополя, создаваемого в реакторе соленоидом, возрастает к его стенкам...

Номер патента: 764703

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Кологривова, Корзо, Рысев

МПК: B01D 39/14

Метки: газовых, потоков, фильтр

...3, а такжеиз установочного керамического кольца4 с резьбой для закрепленияв сечении газового реактора. Стрелками показано направление газового потокапри работе фильтра.,9647,03-4 Формула изобретения Составитель И,Андросоваедактор А.Маковская Техред К. Шуфрич Корректор И.йуска Тираж 809Государственного комиелам изобретений и оМосква, Ж, Раущ Подписноетета СССРкрытийкая наб д.4/5 Заказ 6 63/2 ВНИИПИ по 11303Филиал ППП"Патен г.ужгород,ул.Проектная Устройство работает следующим образомМеталлическое кольцо с фильтром герметично устанавливается по сечению газового потока, затем рабочую магистраль нагревают для обеэгаживания и выводят на заданный тепловой режим. Пары газа-носителя или рабочего реагента.проходят через мелкопористую...

Номер патента: 733086

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Григорьева, Козыркин, Корзо, Рысев, Табрина, Чижик

МПК: H03H 9/00

Метки: акустического, поглотителя

....Э. Чуж Редакто Корректор Ю. Макаренко едо 5комитета СССРоткрытийкая наб., д, 4/5 одписное филиал ППП фПатент, г. Ужгород, ул. Проектная,3 733 системы 5 и вакуумной установки 6 дляоткачивация реакционного объема.Изготовление поглотителяпроводят сле дующим образом, В качестве подложки для акустического поглотителя используют, например карбонильный никель с размерами пор 0,1-10 мкм, Подложки загружают в кварцевый горизонтальный реактор,ф. который откачивают до вакуума 10 мм рт.ст. отжигают образцы при температуре 600 С 1 о в течение одного часа дпя удаления следов влаги и адсорбированных в порах гао зов, а затем охлаждают до 80 С и напускают пары бисбензолникеля, заливаемого в термостат и поддерживаемого там 5 при температуре 85"С, Рабочий...

Номер патента: 665408

Опубликовано: 30.05.1979

Авторы: Корзо, Черняев

МПК: H04R 17/00

Метки: преобразователь-переключатель, электроакустический

...сигнала и узкий частотный диапазон преобразования.Наиболее близким по технической сущности к предложенному является устройство, содержащее кристаллический звукопровод с металлическим отражающим электродом на одном торце и акустическим преобразующим слоем на другом 2. Устройство обеспечивает возможность прсобразовапия к 644 ЬФщадкам, расположенным на торце. звукопровода и разрез Б - Б.Преобразователь содержит кристаллический звукопровод 1, нижний управляющийэлектрод 2 и акустический преобразующийслой 3, содержащий легированные углеродом области переключения, верхний электрод 4, контактные площадки 5, отражающий акустическую волну металлическийэлектрод 6 и контактную площадку отражателя 7,Устройство работает следующим образом,СВЧ-волна...

Номер патента: 552853

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Епанешникова, Корзо, Черняев

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...от 5 10 до 5 10 Ом сми ТКС от + 1 10 до - 5 10 1/град. 30 Изменяя процентное содержание меди, можно изменять удельное сопротивление материала и его ТКС. Реэистивный материал получают в виде тонкой пленки толщиной от 100 да 8000 А при термическом разложении паров металлоорганических соединений, переносимых инертным газом в горячую зону подложки . Источником окиси алюминия является порошок ацетилацетоната алюминия, а источником меди и они си меди - ацетилацетонат меди, Содержание компонентов в пленке регулируется поддержанием определенных температурных режимов в обоих источниках, скоростью патока инертного газа через источники и температурой н зоне подложки.Характеристики полученных пленок приведены в таблице. Как видно...