Резистивный материал для тонко-пленочных резисторов

Номер патента: 692082

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Мартяшин, Николаев, Свистунов, Чернецов, Шляндин

МПК: H03K 13/20

Метки: датчиков, параметров, резистивных, частоту

...преобразователя, а управляющийвход переключателя соединен с блоком задержки, введены блок сравнения и два интегратора,причем один из входов блока сравнения соединен с выходом усилителя постоянного тока, адругой вход блока сравнения соединен с выхо.дом первого интегратора, вход которого соединен с выходом блока сравнения, с другим вхо 25дом переключателя и со входом блока задержки,.выход переключателя соединен со входомвторого интегратора, выход которого соединенс другим выходом блока связи.На чертеже приведена функциональная элект.30рическая схема преобразователя,Преобразователь содержит усилитель 1 постоянного тока, на вход которого включен ре.зистивный датчик 2 через блок 3 связи, нредставляющий собой, например, обобщенную схему...

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...

Номер патента: 1091232

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Бушланов, Евдокимов

МПК: H01C 7/00

Метки: подстраиваемый, резистор, тонкопленочный

...нестабильности номинала резистора вследствие погрешности, возникающей при саморазогреве резистивного элемента.Наиболее близким к изобретению техническим решением является тонкопленочный подстраиваемый резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней резистивным элементом и контактными площадками 2.Недостаток известного тонкопле 25 ночного подстраиваемого резистора заключается в нестабильности номинала резистора, так как невозможна подстройка после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации. ЗОЦель изобретения - повышение стабильности номинала резистора путем обеспечения возможности его подстройки после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации. 35Поставленная цель достигается тем, ч,о тонкопленочный...

Номер патента: 1565065

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Ряхин

МПК: C23C 14/24

Метки: вакууме, напыления, резистивного

СПОСОБ НАПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМЕ РЕЗИСТИВНОГО МАТЕРИАЛА, включающий формирование на вольфрамовом испарителе в виде керна с навитой спиралью навески испаряемого материала, содержащего двуокись кремния и окись алюминия, нагрев испарителя электрическим током величиной 62-66А в течение 20-40 с, снижение тока до нуля и выгрузку изделий, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности процесса за счет повторного использования вольфрамового испарителя при сохранении качества напыляемых резистивных пленок, после выгрузки изделий через испаритель пропускают электрический ток величиной 64-76А в течение времени, достаточного для удаления остатков испаряемого материала и снижают ток до нуля в течение 30-300 с по линейному закону.

Номер патента: 298839

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аптерман, Иванова, Соколика, Фиалковска

МПК: G01K 7/10

Метки: датчиков, материал, пленочных, резистивных

...температуры составляет1%.Известно также,вательно, термометрводниковых матери зом зависят от ссей.Цель изобретения - разработка материала,обеспечивающего наилучшие его термометри ческие свойства, что достигается применениемдвуокиси олова, легированного сурьмой в количестве до 60 мол. % для изготовления пленочных резистивных датчиков температуры.Пленки получались известным методом 10 пульверизации спиртовых растворов хлоридаолова и хлорида сурьмы. Состав пленки вар:- ируется путем введения различного количества сурьмы в пленку и изменением температуры нанесения пленки от 550 до 750. Пленки та ких составов получались ранее, однако, использовались они только как материал для стабильных резисторов.Материал по данному изобретению...