Терморезистивный материал

Союз Советских Социалистических РеспубликОП ИС АНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРС 1:ОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(61) Дополнительное к авт. сеид-ву(22) Заявлено 1601,79 (21) 2715231/18 21с присоединением заявки Но -(51)м. Кл. Н 01 С 7/04 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения В.Л.Волков, П,Я,Новак, А.А.фотиеви В.А.Переляев Институт химии Уральского научного центра А 1 т СССИ,;(54) ТЕРМОРЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ Изобретение относится к электротехнике и может быть использованодля изготовления датчиков температуры, саморегулирующихся термостатов ибесконтактных реле на основе оксидных соединений ванадия.Известны терморезистивные материалы на основе диоксида ванадия (ЧО)с добавлением бе; Ре; Со; Б 1; Мп;Т 1; И; Та; Сг или их оксидов, электросопротивление которых резко уменьшается в области 60 - 75 оС 1,Однако в области температурногоинтервала 75 - 118 оС отсутствует резкое уменьшение величины их электросопротивления,Наиболее близкий к предлагаемомупо технической сущности терморезистинный материал на основе оксидныхсоединений ванадия (оксицные ванадиевые бронзы), имеющие Фазовый переходполупроводник - металл, сопровождающийся резким уменьшением величиныэлектросопротивления в интернале 400600 оС 2 .Недостатком этих материалов является то, что при.температуре выше 75 ои ниже 118 оС не наблюдается резкогоуменьшения величины их электросопротивления. Поэтому они не могут быть использованы для изготовления терморезисторов с резким уменьшением электросопротивления в указанной областитемпературЦель изобретения - уменьшение величины электросопротинления в интервале 76 - 118 оС.Поставленная цель достигается тем,что в терморезистивном материале наоснове оксицных соединений ванадия,в качестве их использованы оксидныеванадиевые соединения типа Реч-хОгде О, 05х ( О, 25,Синтез указанных оксидных ванадиевых соединений проводят по обычнойкерамической технологии, путем обжига смесей оксида ванадия ( Й ) и ортованадата железа, взятых согласнореакции2 О хРечо 4. (1-х) чо Ре ч О, 1),в накуумированных ампулах при 800 Св течение 50 ч, а затем при 700 Св течение з 100 ч.В результате такого взаимодейстнияпроисходит замещение ионон Ч 4+ наРев+ и Чбф по схеме 2 Ч = Ч + Реи образование оксидного ванадиевогоесоединения РеЧ04, температура Фазового перехода полупроводник - металл и резкое уменьшение электросоп801118 формула изобретения Составитель В,ЛенскаяРедактор Л,Пчелинская Техред Е.Гаврилешко Корректор О.Билак Заказ 10443/71 Тираж 795 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета. СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 ротивления которого находится в области 76 - 118 р С.П р и м е р 1, Для получения оксидного ванадиевого соединения составаГео,оз Ч,З 5 04 .берут 3,15 г Чд 0, и017 г Реч 04, компоненты тщательноперемешивают в агатовой ступке и помещают в кварцевую ампулу, из которойоткачивают воздух до остаточного давления 2 10мм рт,ст, Ампулу заваривают и обжигают при 800 С в течение50 ч, а затем при 700 РС в течение100 ч, После охлаждения до комнатнойтемпературы извлекают продукт заданного состава,П р и м е р 2. Из мелкакристаллического порошка оксидного ванадиевого 1соединения состава Рерр 5 У 04,полученного согласно примеру 1, прессуют под давлением л 10000 кг/см таб 2летку диаметром 6 и высотой 3 мм.После этого образец помещают в вакуум 20и с помощью цифрового омметра измеряют его электросопротивление в зависимости от. температуры,Измерения показали, что в процессенагревания образца при д 760 С происхо-,25дит резкое уменьшение электросопротивления, При охлаждении имеет место гистерезис электросопротивления величиной. 20 - 30 оСП р и м е р 3, Аналогично примеру2 для оксидного ванадиевого соединениясостава Рер,р Ч др О . Здесь наблюдается большое электросопротивление образца при . 86 оС, выше которой проис-;ходит скачкообразное уменьшение электросопротивления,П р и м е р 4, Аналогично примеру2 для оксидного ванадиевого соединения состава Гер дер Ч Во О,Уменьшение злектросопротивлениянаблюдается при97 рС. П р и м е р 5, Аналогично примеру 2 для оксидного ванадиевого соединения состава Рер,р Ч 8 04.Уменьшение электросопротивления наблюдается при 108 рС.П р и м е р 6. Аналогично примеру 2 для оксидного ванадиевого соединени.я состава Ее 0 25 Ч 1 75 04Уменьшение электросопротивления наблюдается при . 188 рС.Средняя температура резкого уменьшения электросопротивления предлагаемого терморезистивного материала пропорционально увеличивается с ростом значения х в формуле соединения Реха-х 04,Таким образом, использование терморезистивных материалов на основе оксидных ванадиевых соединений типа Ре ЧО где 0,05 ( х ( 0,25 позволяет изготовлять терморезисторы, обладающие резким уменьшением величины электросопротивления в интервале 76- 118 ос. Терморезистивный материал на основе оксидных соединений ванадия, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью уменьшения величины электросопротивления в интервале температур76 - 118 оС, в качестве оксидных соединений ванадия использованы оксидные ванадиевые соединения типаРеЧ0,1, где 0,05х ( 0,25.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент ФРГ 9 1515950,кл. Н 01 С 7/04, 1972.2. Авторское свидетельство СССРМ 491163, кл. Н 01 С 7/04, .1973