Андриеш

Номер патента: 1754008

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Андриеш, Додылева

МПК: A01G 1/04

Метки: выращивания, грибов, приготовления, рlеurотus, рода, субстрата

...произошло на 12-й день послемикроорганизмов, являющихся конкурента-" инокуляций. Формирование плодовых телми для мицелия вешенки (см,табл.4).;началось на 21-ый день, первыегрибы веНе изменяя т 1 = 67 С, тг = 57 ОС, Т 1 = 4 ч, шенки обыкновенной (Р 1,озсгеатов) появиТ 2 - 24 ч, изменяют температуру готового"лись на 23-й день. Плодоношениесубстрата после охлаждения: тз = 18, 19, 20, 50 осуществлялось тремя волйами, общая уро 21, 22, 23, 24 С, Экспериментально устано- жайность составила 51,3 кг/м. Биохимичевили, что оптимальной температурой суб- ский анализ Собранных грибов показалстрата для инокуляции мицелием вешенки "Следующие результаты; белок 4,1; углевоявляется тз=20-22 С. При этой температуре ды 5,9; минерэльнйе вещества 3,96;...

Номер патента: 1716567

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Андриеш, Бивол, Иову, Клейзит, Ханчевская

МПК: G11B 7/24

Метки: голографической, записи, изображений, информации, носитель, оптических

...- в пределах от 100 до 200 А.Запись оптических изображений и голографической информации производят по двухлучевой схеме безлинзового Фурье-голографирования;Носитель освещают двумя пучками лазерного излучения длиной волны А= 0,63 мкм с общей мощностью 10 мВт со стороны слоя ХСП и одновременно прикладывают к носителю электрическое поле напряженностью Е=5 х 10 В/см положительной полярностью к верхнему электроду. Температура носителя 22 ОС, угол между опорным и предметным лучом подбирают таким образом, чтобы плотность. линий интерференционной картины составляла 350 лин/мм.В момент приложения электрического поля к носителю и его освещения в освещенных местах протекает фототок, плотность которого определяется интенСивностью света и...

Номер патента: 1234802

Опубликовано: 30.05.1986

Авторы: Андриеш, Буздуган, Шутов

МПК: G03G 13/00

Метки: значениях, интенсивности, мышьяка, начальной, носителей, основе, поверхностного, потенциала, различных, света, скорости, спада, сурьмы, халькогенидов, чувствительности, электрофотографических

...ЭФФект световой усталостив данных фотоносителях устраняют двумя способами; выдерживают в темноте 251 сутками) или дозаряжают частичноразряженные .в темноте, предварительно Осуществляют засветку с последую. щей зарядкой слоев, Второй способвозможен благодаря тому что световая усталость носителя обусловленаопустошением локальных состояний,заполненных во время засветки. Причем основной вклад в увеличение темнового спада поверхностного потенциала дает начальная составляющая скорости темнового спада, в результатеопустошения менее глубоких состояний.Устранение этого эффекта возможнопредложенным способом,Таким образом, поспедовательностьопераций на засвеченных носителях;дозарядка до начального потенциала,частичная разрядка в...

Номер патента: 1171722

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Андриеш, Бивол, Тридух, Циуляну

МПК: G01R 22/02

Метки: интегратор, твердотельный

...4 и Изобретение относится к электро- измерительной технике и может быть использовано в системах контроля времени работы оборудования.Цель изобретения - ускорение 5 процесса считывания результатов измерения за счет считывания этого результата путем измерения сопротивления интегратора или визуальным путем,10На фиг. 1 схематически изображен твердотельный интегратор; на фиг.2- экспериментальная зависимость оптического пропускания вспомогательного электрода от времени при его толщине 20 нм, толщине слоя твердого электролита Аз Яе 1 мкм и приложении напряжения 10 В; на. фиг. 3 - экспериментальная зависимость электрического сопротивления интегратора 2 О от времени при толщине вспомогательного электрода 25 нм, толщине слоя твердого...

Номер патента: 1164650

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Андриеш, Бивол, Иову

МПК: G03G 15/00

Метки: записи, изображений

...полупроводникового кристаллического или аморфного материала со слоем ХСП.45Носитель изготавливают путем последовательного термического напыления в вакууме слоя 5, например А 1, на кристаллический полупроводник 4, например рп-р, слоя ХСП, напри мер Аз Яе ., и металлического слоя 9, например А 1, Си, на диэлектрическую пленку 8, например лавсан.Устройство для записи изображений работает следующим образом.55В исходном положении промежуточный фотоприемный носитель с фотопроводником 5 из ХСПотжат от оконеч 650ного носителя со слоем 9 из А 1Перед фотографированием производят проецирование изображения, наводку на резкость, установление необходимой диафрагмы и выдержки, после чего нажимают на пусковую кнопку 12 и на электромагнит 7...

Номер патента: 1108385

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Андриеш, Васильев, Гриншпун, Тридух, Циуляну

МПК: G11C 11/34

Метки: записи, изображений, оптических

...проявляющего слоя 2 через прозрачную основу структуры 3 и нижнего электро. да 4, который в этом случае также является прозрачным.Засветка производится до максимального потемнения проявляющегослоя 2. Фотографическое или голографическое изображение проецируется наслой 5 халькогенидного стеклообразного полупроводника через полупрозрачный алюминиевый электрод 6, и одновременно с помощью ключа 7 к алюминиевому электроду 6 прикпадывается постоянное электрическое напряжение от источника 8 с положительной поляр ностью. При этом в местах засветления происходит электродиффузия алюминиевого электрода 6 в слой 5, в результате чего оптическая плотность структуры уменьшается, т.е. изображение оказывается зафиксированным. Затем структура отключается...

Номер патента: 1067349

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Андриеш, Бородакий, Быковский, Пономарь, Смирнов

МПК: G01B 11/16

Метки: деформаций, оптического, тензодатчика, чувствительный, элемент

...волокна 2.Недостатком известного датчика является низкая чувствительность ввиду малых изменений параметров волокна от действия механических напряжений.Цель изобретения - повышение чувствительности.С этой целью чувствительный элемент оптического тензодатчика деформаций, выполненный в виде цилиндрического оптического волокна, снабжен, двумя волноводами с нанесенными на них дифракционными решетками, размещенными параллельно на диаметрально противоположных образующих цилиндра волокна. 067349 На чертеже представлен чувствительныйэлемент оптического тензодатчика деформации.Он содержит чувствительный элемент,выполненный в виде цилпндрического оптического волокна 1, волноводы 2 и 3 с нанесенными на них дифракционными решетками 4 и...

Номер патента: 819825

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Андриеш, Пономарь

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистор

...(5 - 15 мм) и к концам волокна по обычной технологии (например, с помощью токопроводящего клея) . подсоединяют выводные контактные концы.Пример. Непрерывные волокна с сердцевиной из ЬЬфеа и оболочкой из молибденового стекла диаметром 100 мкм нарезали на отрезки длиной 8 мм, протравили концы (по 2 мм) защитной стеклянной оболочкой в 60 %-ном растворе плавиковой кислоты и к концам волокна подсоединили с помощью акводага выводы из медной проволоки. Полученные таким образом терморезисторы имели параметры: габаритные размеры: диа89825 Формула изобретения Составитель Т. Баранова Редактор Б.федотов Техред А. Бойкас Корректор Ю. Макаренко Заказ 1183/29 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 551938

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Андриеш, Ганин, Коломиец, Любин, Циуляну

МПК: G03C 5/00

Метки: записи, изображений, оптических

...проецируется ца поверхность слоя ХСП через слой 4 или 2, который в этом случае делается полупрозрачным. Ддя того, чтобы записать изо-=бражение,ьа время экспозиции между слоями 2 и 4 прикладывается постояццое напряжение такой, полярности, чтобы алюминиевый электрод имел подожитедьцый потенциал. Прн этом происходит диффузияалюмищея в ХСП со скоростью, пропорциональной как интенсивности зас етки, таки велич придожеееееого цаетряжецеея, Оптические св Ойства среды ( коэффициентепоглощения и пропуска 1 еия света) имзменяются, и спроецированное оптическое изо. бражение оказывается зарегистрированным,Принцип работы устройства основывается на эффекте электрсфотолетирования ХСПнекоторыми металлами, в частности алюминием. Механизм этого...