Липпмаа

Номер патента: 1454802

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Агафонов, Блен, Данилов, Ицко, Калаус, Корнеев, Липпмаа, Мяги

МПК: C04B 12/04

Метки: вяжущее

...тетраэтаноламмония. Гипс 15П р и м е р 2. Композицию приготавливают по примеру 1. Компонентыберутся в следующем соотношении,масе%:Силикат тетраэтиламмония(СН) И О 6810 40е 1050Тальк 10П р и м е р 3, Композицию приготавливают по примеру 1. Компонентыберутся в следующем соотношении,мас. :Силикат тетраэтиламмония(С Н ) ф И О 68104535Неделин 20П р и м е р 4. Композицию приготавливают по примеру 1, Компонентыберутся в следующем соотношении,мас. :Силикат тетраэтиламмония(С Н )М 0 68102 50Т 1015Доменный шлак 35П р и м е р 5. Приготовление композиции осуществляют по примеру 1.Компоненты берутся в следующем соотношении, мас. :Силикат тетраэтаноламмония(СН, ОН) М О 8810 40Микроклин К О А 1 О 6810 35П р и м е р 6. Композицию приготавливают по...

Номер патента: 1317344

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Гриншпан, Жбанков, Капуцкий, Липпмаа, Лущик, Пупко, Тээяэр

МПК: G01N 24/08

Метки: кристалличности, степени, целлюлозы

...сигналов от углеродного атомаС, находящегося в кристаллическихучастках целлюлозы (Х) в области88,7 - 89,3 м.д, и в аморфных участках (Т ) в области 82,7-83,9 м.д, Интенсивность сигналов от углеродногоатома С определяют по высоте пиков,так как сигналы от аморфных и кристаллических участков в областях.88,7-89,3 м,д. и 82,7-83,9 м.д. проявляются в виде двух отдельных полос,их перекрывание влияет практическитолько на погрешность предлагаемогоспособа.На чертеже изображен ЯМР "С спектр, 1, 40высокого разрешения в твердой Фазесульфатной целлюлозы.Степень кристалличности целлюлозыопределяют по Формуле11/1 й 32/12, 2И= -- = -- -=066,4 4Для данного образца супьфатнойцеллюлозы степень кристалличности составила 0,66. Степень кристалличности...

Номер патента: 1291111

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Беэк, Каарли, Кеввай, Кооскора, Лахт, Липпмаа, Лиху, Лутсоя, Пехк, Райе, Рюйтель, Саранд

МПК: A23K 3/00

Метки: зеленых, консервирования, кормов, средство

...его олигомеры 28,0Вода Остальное.П р и м е р 3. Консервант готовят аналогично примеру 1 за исключе,нием тога, что составляющие его ком- .45 поненты берут в соотношении, мас.И:В-Полиоксиметилпроизводные гексагидро,3,5-триазин-она 19,050Уксусная кислота 30,0Метиленгликоль Качество силоса, заготовленного с использованием консерваторов указанных составов, представлено в табл. 3П р и м е р 4. Измеряют концентрацию насыщенных паров формальдегида над растворами полученных консервантов. Воздух, насыщенный парами формальдегида, барботируют через воду, а концентрацию в полученном растворе определяют парарозанилиновым методом колориметрически. По полученным данным концентрация, газообразного формальдегида над консервантом состава по примеру 1-3...

Номер патента: 960599

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Алла, Липпмаа, Салумяэ, Тухерм

МПК: G01N 24/08

Метки: датчик, магнитного, резонанса, сигналов, ядерного

...рораэец.4, 8 карпаз 5 с каналатирования сования темпера 1 тупроводы 8 и 9 в сжатого газа газа в блок реы, трубопроводвух потоков регулирования игналов ЯМР,формула изобретенияДатчик сигналов ядерного магнитного резонанса по авт. св. Ю 765724,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью расширения температурногодиапазона измерений, во внутреннейповерхности каркаса катушки выполненпаз с каналами для выхода термостатированного сжатого газа.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СС 6 РУ 7 б 5721, кл. С 01 И 27/78, 1977(прототип) . 3 960599 термопару 12 для измерения температу" ры газа, .Датчик сигналов ЯМР работает следующим образом.По трубопроводу 8 сжатый газ от источника (не показан) подается в...

Номер патента: 863680

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Кару, Липпмаа, Роосе

МПК: C21D 9/67

Метки: нагрева, проволоки

...для отжига проволоки. Этот градиент, как следует из известныхзаконов теплопроводимости, является логарифмическим, т.е. линейным в ло" 5 10 15 20 ЗО35 40 Применение установки позволяет произвести снятие характеристики изменения температурного коэффициента сопротивления от температуры в оптимальном интервале температур за одиноцикл с затратой времени одного нагрева, выдержки иохлаждения без особой трудности через, например, 1 фС. 45 50 Формула изобретения 55 60 1. Установка для нагрева проволоки, содержащая вакуумную камеру, нагревательный элемент, выполненный в виде трубки, на одном конце которой закреплен электронаграватель, а на другомустройство для ее охлаждения, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью обеспечения одновременного...

Номер патента: 796926

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Липпмаа, Роосе

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов

...состава не обеспечивает нужную тапцнну покрытия.Посде затвердевания наполняющегослоя в пазы каркаса наматывают резис-,тивный провод, причем натяжение провода не имеет существенного значения иучитывается только прн намотке тонкихпроводов (меньше 0,05 мм диаметром),в связи с нх малой механической прочностью на разрыв.Намотанный электрически законченныйреэистоо помещают в вакуумную камерудля удаления наполняющего слоя,Применяемое покрытие при комнатнойтемпературе и атмосферном давлении сохраняется очень додго. Сохранение жеэтого покрытия после выдержки в вакууме прн 3 - 8 мм ртутного столба остаточного давления и 60-90 С больше 3 чОпрактически ислючается. Поскольку послеудаления напоминающего слоя сублимациейгеометрические...

Номер патента: 796923

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Липпмаа, Роосе

МПК: H01C 1/02

Метки: прецизионный, проволочный, резистор

...3 резистора, которые запаяны к изоляторам 2, имеют достаточную механическую прочность и служатдля крепления резистора, расположенногоаксиально в корпусе, который выполняет 25и функции радиатора, рассеивающего тепло в окружающую среду . Пространство вкорпусе заполнено жидким диэлектриком 4.Резистор содержит секционированныйкаркас 5 из изоляционного материала 30полк( 2,6-диметилфениленоксида) и резистивный элемент 6 из изолированного про вода,В краях ребер каркаса имеются вырезы7, через которые проходят в местах изменения направления намотки петли 8 дляперехода проволоки. Резистивный элементимеет слоистую намотку в секциях каркаса, причем, встречное направление намотки слоев по всему каркасу имеет шахмат виый порядок. Между намоткой в...

Номер патента: 765724

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Алла, Липпмаа, Салумяэ, Тухерм

МПК: G01N 27/78

Метки: датчик, магнитного, резонанса, сигналов, ядерного

...является повышение чувствительности датчика иобеспечение стабильного вращения егоротора при легкой заменяемости исследуемого образца. 35Это достигается.тем, что в конструкции предлагаемого датчика заполненный исследуемым веществом цилиндрический ротор целиком расположен внутри радиочастотной катушкиЯМР, а газовый подшипник состоит иэротора с поверхностью цилиндрической Формы и каркаса катушки с внутренней поверхностью цилиндрическойФормы, между которыми размещен слойсжатого газа.45На чертеже изображен предлагаемый датчик, разрез.Датчик содержит радиочастотнуюкатушку ЯМР 1, каркас 2 катушки,ротор 3 и исследуемый образец 4. Исследуемый образец 4 находится в цилиндрическом роторе 3. На обоихконцах ротора (ампулы) установленыгазовые...

Номер патента: 718448

Опубликовано: 29.02.1980

Авторы: Беликова, Бобылева, Дубицкая, Липпмаа, Пехк, Платэ

МПК: C07C 13/42

Метки: 5-метил-6-метиленнорборнена-2

...М Ж 35 Р б 4/5 3фии (ПЭГ, 30 мХ 0,25 мм, 70 С, 0,4 ати азота), Индивидуальный 5-метил-метиленнорборненвыделяют перегонкой на ректификационной колонке (30 теоретических тарелок); т, кип. 135,4 С при 750 мм 5зорт. ст., и 1,4820. Строение углеводорода подтверждено спектрами КРС и ЯМР" С. В спектре КРС присутствуют: частота 1570 см - , характерная для внутрициклической двойной связи в соединениях со структурой норборнена, и частота 1662 см-, характерная для семициклической метиленовой двойной связи.Спектр ЯМР" С дает следующие химиче о ские сдвиги для экзо- и, соответственно, эндо-метил- метиленнорборненов(в м. д в сторону слабого поля от ТМС) С - 51,5 и 51,9; Сз - 135,0 и 134,9; С - 137,7 и 133,5; С 4 - 48,4 и 47,5; С - 38,8 и 20 39,5;...

Номер патента: 504763

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Алтосаар, Кийслер, Кристьянсон, Липпмаа, Сиймер

МПК: C07D 201/08

Метки: 1-ариламинометил, ингибиторы, коррозии, лактамов, производные

...6 20 3 Анилин 5 Бензол 0,3+ 118 й- Метилол- пирролидон Анилин,7 14,3 и- Фениленй Метилол.кап ролактам 8,6 Бензол 5,5 3,14 10,4 ми Реакция при т гературе 85 С протекает незначительно о Полученные продукты подвергают лоиолни- приводятся эти результаты на примере опытов 1елывй очистке и определяют структуру. Ниже 60 (продукт реакции анилина с й . метилолпирролиП р и м е р, В трехгорлую колбу помещают 11,5 г й . метилопирролидона и 9,3 г анилина, добавляют 100 мл толуола. Реакционную смесь нагревают 40 мин до температуры кипения. Кипя. тят при 115 С 6 час, в это время выделяется 1,7 г вакууме в течение9 У С, полученньпого веса.и характеристики в табл, 2 воды, Затем толуол отгоняют в 30 мин при температуре не выше продукт высушивают до...

Номер патента: 459486

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Искра, Кийслер, Куцевалова, Липпмаа, Назарова, Полякова, Сюльд

МПК: C09D 3/58

Метки: композиция, лаковая

...уменьшается стабильность смеси, и пленкообразующая основа становит ся нерастворимой в ароматических растворителях, в результате чего образуется нерастворимый осадок.С целью уменьшения полярности и увеличения стабильности этинолево-эпоксидного 10 лака в его состав введен лактам, напримеркапролактам, пирролидон, в количестве 1,3 - 15 вес. ч. на 100 вес. ч. лака этиноля.Ниже приведена рецептура лаковой композиции (в вес. ч.):15 Этинолевый лак 100Эпоксидная диановая смола 100 в 1Л актам 1,3 - 15.Технология изготовления лаковой компози ции следующая.Эпоксидную диановую смолу, предварительно нагретую до температуры 50 С, загружают в шаровую мельницу и добавляют в нее лактам. Смешение проводят до полного 25 растворения стабилизатора. В...

Номер патента: 321747

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Зобретенн, Липпмаа, Милли, Херем

МПК: G01N 1/22, G01N 30/00

Метки: газового, испаритель, пробы, хроматографа

...Р и си Я Р с 1 и 51 Р 3 3 и 01 10 и Г) и Г Р 3 и и и 1 11 З ЯЗПЫ; Матс;):ЯЛОВ. Чтд ИСИО,)ЬЗСТС, Я 1:)111 с ), 51 рп ис 151 рспи 1 грссив.ы Всисв.Цслыиздбрстспия являстся устранпсздзможпости расгпда прдоы, повышсиис ч.1- стогы испарс:1 д прдоы 11 расширснпс Вдз.1 О ж 110 с т и Г 1 р) х с и с:111 1( я м с р и с Г 1с и и 51 р3- д Ой формы 1 из раз)ык матдриалов. Этд д- стигастся путсм Выпол:Сипя камсры испарсппя в впдс отдсль(Ого от 1 аг;)сватсля и ко,)- пуса със)(вдгд э)С)с:(та, котрыи;агрсвястс инфрякрасиым;(злучатслсм.5 113 чсртсжс пдкязаи прсдляГясмыЙ ис:13 р 11- тсл ь.Оп сддср)1 ит Ягрсватс,ьиыЙ элсас 11 Т, Вь)- ;олн(ч(:ый в видс инфракрасного излучатсл, имсн)п(ОГО и,10 скуяст 1 1 и цил 151 дричсску 0 ЧЯСТЬ ), КРЖс.11 ЫС ОТРЯЖЯТЛСМ...

Номер патента: 277380

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Алла, Липпмаа, Сюгис

МПК: G01N 24/12

Метки: двойногорезонанса, магнитного, спектрометр, ядерного

...структурная схема спектрометра,Между полюсами полярпзующего магнита 1 расположен датчик 2 сигналов ядерного магнитного резонанса, в котором размещен исследуемый образец. Измерительное ВЧ поле в датчике создается источником 3, который выдает частоту 1, возмущающее ВЧ поле - источником 4, которыи выдает частотуНескомпенсированное напряжение от источника 8 вместе с сигналом ядерного магнитного резонанса поступает через ВЧ усилитель б на диодньп амплитудный детектор 6. Напряжение от псгочника 4 на детектор не поступает благодаря наличгпо генератора 7 коммутирующего напряжения, который поочередно запирает источник 4 возмущающего поля и усилитель 5 с частотой , . Напряжение частотой , не проникает в низкочастотный тракт благодаря...