Терморезистор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ю 819825 Союз СоеетскикСоциал истическикРеспубпик 61) Дополнительн 22) Заявлено 26,0 присоединением з 23) Приоритет -е к авт. свид-ву -(22) Авторы изобретен Пономар иеш и 3 толдавской ССРтитут прикладнои физики 54) ТЕРМОРЕЗИСТ Изобретение относится к полупроводниковой технике и используется при изготовлении терморезисторов из халькогенидных полупроводниковых материалов.Наиболее близок к предлагаемому терморезистор, содержащий полупроводниковый термочувствительный элемент1 .Одним из существенных недостатков применения полупроводниковых кристаллов в качестве рабочего тела терморезистора является значительный разброс параметров термор"зисторов, обусловленный влиянием неконтролируемой примеси на величину электропроводности и энергии активации.Цель изобретения - улучшение параметров терморезистора - достигается тем, что в терморезисторе, содержащем полупроводниковый термочувствительный элемент, в качестве термочувствительного элемента используют волокна из халькогенидного полупроводникового материала в стеклообразном состоянии в защитной стеклянной оболочке.Рентгеноструктурные исследования показали, что материал сердцевины волокон диаметром 10 в 6 мкм находится в стеклоО.04.81. Бюллетеньвания описания 17.04.81 образном состоянии, никаких кристаллических включений в полученных волокнах не обнаружено. Электропроводность волокон с сердцевиной из ЬЬфеа лежит в пределах (1 - 10) 10 4 Омсм . С уменьшением температуры электропроводность уменьшается по экспоненциальному закону, причем энергия активации равна 0,6 эВ.Для изготовлЕния терморезисторов непрерывные волокна из халькогенидных полупроводниковых материалов в защитной оболочке нарезают на отрезки необходимой длины (5 - 15 мм) и к концам волокна по обычной технологии (например, с помощью токопроводящего клея) . подсоединяют выводные контактные концы.Пример. Непрерывные волокна с сердцевиной из ЬЬфеа и оболочкой из молибденового стекла диаметром 100 мкм нарезали на отрезки длиной 8 мм, протравили концы (по 2 мм) защитной стеклянной оболочкой в 60 %-ном растворе плавиковой кислоты и к концам волокна подсоединили с помощью акводага выводы из медной проволоки. Полученные таким образом терморезисторы имели параметры: габаритные размеры: диа89825 Формула изобретения Составитель Т. Баранова Редактор Б.федотов Техред А. Бойкас Корректор Ю. Макаренко Заказ 1183/29 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4метр 20 в 6 мкм, длина 2 - 15 мм; сопротивление при 20 С - 1 Оа - 5 1 Оз Ома; температурный коэффициент сопряжения в процентах на 1 С с а 5.0 - 6,5; постоянная в (К), характеризующая температурную чувствительность термосопротивления, 4500 - 6500; максимально допустимая температура 250 С.При использовании волокна для изготовления терморезисторов значительно упрощается технология изготовления рабочего тела терморезистора, получаемое рабочее1 О тело сразу имеет защитную оболочку. Благодаря существенному упрощению технологии изготовления рабочего тела терморезисторов, исключению из технологического процесса различных методов предвари тельной обработки материалов, используемых в качестве рабочего тела, проведению процесса вытяжки волокон в вакууме или в нейтральной атмосфере повышаются стабильность состава и стабильность работы терморезистора, исключается влияние неконтролируемой примеси на его параметры; благодаря отсутствию халькогенидных стеклообразных полупроводников примесной проводимости повышается радиационная стойкость, что обеспечивается высокой радиационной стойкостью стеклообразных полупроводников. Терморезистор, содержащий полупроводниковый термочувствительный элемент, отли.аюи 4 ийся тем, что, с целью улучшения параметров терморезистора, в качестве полупроводникового термочувствительного элемента используют волокна из халькогенидного полупроводникового материала в стекло- образном состоя. 1 ии в защитной стеклянной оболочке. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Кот М, В., Шутов С. Д. Высокотемпературные сопротивления из трехселенистойсурьмы, Экспресс-информация Кишинев,1962, (прототип).
СмотретьЗаявка
2667201, 26.09.1978
ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ АН МОЛДАВСКОЙ ССР
АНДРИЕШ АНДРЕЙ МИХАЙЛОВИЧ, ПОНОМАРЬ ВИКТОР ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01C 7/04
Метки: терморезистор
Опубликовано: 07.04.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-819825-termorezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Терморезистор</a>
Предыдущий патент: Опорный изолятор
Следующий патент: Устройство для подгонки сопротивленияпленочных резисторов
Случайный патент: Способ определения тяжелых металлов в биологических объектах