Пленочный резистор

Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 270978 (21) 2666820/18-21с присоединением заявки Йо -(53)М. Кл.з Н 01 С 7/00 Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения В.А,Лопухин, Д.К,Шелест, Ю,ф.Шеханов, Т,А,СемецОВа иЮ.Р.Вацяк Ленинградский институт авиационного приборостроения,(71) Заявитель(54) ПЛЕНОЧНЫЯ РЕЗИСТОР Изобретение относится к измерительной технике и может быть исполь-. зовано при изготовлении гибридных интегральных микросхем повышенной точности.Известен пленочный резистор, в котором подгонку величины сопротйвления под номинальное значение осуществляют удалением узких участков реэистивного слоя пленки, нанесенной на диэлектрическое основание, или в котором подгонку осуществляют ступенчатым последовательным подключением к основному участку резистора подгоночных секций путем перерезания 15 проводящих перемычек, которыми закорочены подгоночные реэистивные секции при нанесении микросхемы 11 1.Недостатком известных пленочных резисторов, подгонка сопротивления 20 которых осуществляется плавным или дискретным способом, является ухудшение стабильности сопротивления и изменение температурного коэффициента сопротивления резисторов.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является пленочный резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней резистивнцм элементом ЗО круглой формы с кольцеобразной внеш ней и круглой внутренней контактными площадками 12.Недостатком известного пленочного резистора являются недостаточная стабильность резистора и неудовлетворительная точность при дискретной подгонке. Цель изобретения - повиаение стабильности параметров и точности резистора. Поставленная цель достигаетсятем, что пленочный резистор, содержащий. диэлектрическую подложку с размещенным на ней резистивным элементом круглой формы с кольцеобразной внешней и круглой внутренней контактными площадками, снабжен проводящий пленочной спиралью, размещенной на реэистивном элементе и соединяющей его контактные площадки, причем в резистивном элементе выполнены подгоночные отверстия, расположенные под проводящей пленочной спиралью кроме того, проводящая пленочная спираль выполнена в виде логарифмической спирали или в виде спирали Архимеда.На Фиг, 1 изображен пленочный резистор; на Фиг, 2 - виток проводящей пленочной спирали Архимеда.Диэлектрическая подложка 1 1 фиг,1) служит для размещения на ней пленочных элементов, Внутрення контактная площадка 2, выполненная в виде круга и расположенная в центре концентрически расположенных кольцевых контактных площадок 3, изготовлена из проводящего материала и осуществляют коммутацию пленочного резистора с другими элементами схемы. Резистивный элемент 4 круглой формы расположен между ними, а именно между внутренней 2 и внешней 3 контактными площадками, его размеры и вид ма териала определяют сопротивление пленочного резистора. Проводящая, пленочная спираль 5 выполнена из проводящего материала, соединяет соседние контактные площадки и пред О назначена для дискретной подгонки пленочного резистора, Сквозные отверстия 6 в резистивном элементе, расположенные под проводящей пленочной спиралью 5, определяют места перерезания проводящей пленочной спирали 5 при дискретной подгонке резистора с помощью лазера или пескоструйной обработки.На Фиг. 2 показан виток проводящей пленочной спирали Архимеда, где г, г, г", г" - радиусы подгоночных секций при последовательном пережигании подгоночных секций спирали; З6 г - приращение радиусаодной подгоночнойсекции;го. - радиус внутреннейконтактной площадки;гв - радиус внешней контактной площадки.Подгонка резистора осуществляетсяпоследовательным перерезанием прово дящей пленочной спирали 5 в местахрасположения сквозных отверстий 6 вреэистивиом материале. При этом сопротивление резистора будет увеличи.ваться в большей или меньшей степени, в зависимости от последовательности перерезания проводящей пленоч-, ной спирали 5 (по контуру спирали или по радиусам) и типа спирали (логарифмическая спираль или спираль Архимеда).Сопротивление круглого резистора К зависит от удельного сопротивления резистивной пленки Яо и соотношения радиусов внутренней и внешней контактных площадок и выражается формулойй ро-,й.Использование предлагаемого изобретения позволит увеличить точность и стабильность параметров подгоняемого пленочного резистора в 2-3 раза.Формула изобретения1, Пленочный резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней резистивным элементом круглой Формы с кольцеобразной внешней и круглой внутренней контактными площадками, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повыаения стабильности параметров и точности резистора, он снабжен проводящей пленочной спиралью, размещенной на резистивном элементе и соединяющей его контактные площадки, причем в резистивном элементе выполнены подгоночные отверстия расположенные под проводящей ,пленочной спиралью.2, Резистор по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что проводящая пленочная спираль выполнена в виде логарифмической спирали или в виде спирали Архимеда,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Коробейников В.Н. Конструирование апериодических пленочных усилителей. М., "Советское радио", 1972,с. 69, рис. 214 (а, б).2. Патент Великобритании,кл. Н 1 5, Р 1367983, 25.09.74 (прототип).809409 ю я з ю е аноич остави ехред Ж ель Т. БаКастеле рГ.Реаетиик писио/5 атент , г. Ужгород, ул. Проекти фйлиал П едактор Н.Кешеля аказ И 3770 ВНИИПИ по д 113035, Тираж осударст елам изоб Мосйва, нного тений 35 Р омитета СССР открытийшская наб