Резистор объемного типа
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
"-еоказП ИСАЯЗОБРЕТЕНИАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬ 7807 Союз СоветскихСоциалистически Республик Я вт. свидетельства Ло висимо аявлено 29.1 Х.1970 ( 1478093/26-9присоединением заявкиН 01 с 7/О Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРиоритет ДК 621.317,8(088.8) Опубликовано 10 Х 111.1972. БюллетеньДата опубликования описания 1.1 Х.1972 Авторыизобретения. Г, Рудовол, В, Т. Павлов и Л, Г. Власов явите РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИП А,.т В с С, где х=0,1 - 0,9; А,.т - металл подгруппы титана четвертой группы периодической системы элементов Менделеева; В - металл подгруппы ванадия пятой группы.Такая тугоплавкая композиция способна при пропусканпи тока выдерживать высокие температуры и при этом не менять своих характеристик в течение длительного времени эксплуатации.Для получения заданного низкого ТК сопротивления приведены следующие примерные составы резистивцого карбида (в вес. %): Т 1 10 - Ч 10 -Собщ 4 - Ссвоб до пример 4Хг 18 - 90 Ч 10 - 70 Соощ 4 - 15 Ссвоб дО 1 пример 7 Н 1 25 - 90 Ч 10 - 60 Собщ 4 - 15 Ссвоо до 1 Изобретение относится к радиодеталестроению и может быть использовано при производстве непроволочных резисторов,Известные резисторы объемного типа на основе сложного карбида обладают большим 5температурным коэффициентом сопротивленияи имеют низкую устойчивость к дестабилизирующим факторам,Предлагаемый резистор не имеет этих недостатков и отличается от известных тем, что в 10качестве токопроводя щей фазы использовансложный карбид металлов Ю и Ч групп периодической системы.Компоненты токопроводящей фазы взяты вследующих количественных соотношениях 15(вес. %):Металл 1 Ч группы 1 - 94Металл Ч группы 1 - 94Углерод общ. 4 - 25Углерод своб. 001 - 25 20Для расширения температурного интервалаработы резистора до 200 - 250 С, увеличениямощности рассеивания при уменьшении габаритов, повышения механической прочносги истабильности, а также для расширения диапазона номиналов в сторону низких значений всостав предлагаемого низкоомного объемногорезистора наряду со связующим материалом(например, алюмо-силикатно-борно-бариевогосостава стекло) входит сложный карбид типа ЗО пример 2Т 1 10 - 70ХЬ 10 - 90 С,-4 - 15 Ссвоб до 1 пример 5 Хг 10 - 80 МЬ 10 - 80 Соощ 4 - 15 Ссвоб до пример 8Н 1 20 - 901 Ь 10 - 70Собщ 4 - 15С своа дО 1 пример 3 Т 1 10 - 60 Та 15 - 90 Собщ 4 - 15 Ссвоб до 1 пример 6 Хг 10 - 65 Та 20 - 90 Собщ 4 - 15 Ссвоб дО 1 пример 9 Н 1 10 - 90 Та 10 - 90 Соощ 4 - 15 Ссвоб до 1347807 Составитель Ю. Еркин Корректор А. Васильева Техред Л. Богданова Редактор Т. Иванова Заказ 2871/1 Изд. Мо 1198 Тираж 406 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, 7 К, Раушская наб., д. 4/о Типография, пр. Сапунова, 2 Карбидный резистор изготовлен в габаритах резистора СПО - 0,5 вт методом горячего прессования при 900 С в слабо восстановительной среде. Связующим материалом служит высокобариевое алюмо-силикатно-борно-бариевое стекло с добавками модифицирующих окислов. Предмет изобретения1. Резистор объемного типа на основе сложного карбида, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к дестабилизирующим факторам и снижения температурного коэффициента сопротивления, в качестве токо- проводящей фазы использован сложный карбид металлов 1 Ч и Ч групп периодической системы.5 2. Резистор по п. 1, отличающийся тем, чгокомпоненты токопроводящей фазы взяты в следующих количественных соотношениях (вес. /,):Металл 1 У группы 1 - 94 10 Металл Ъ группы 1 - 94Углерод общ, 4 - 25 Углерод своб. 0,01 - 2,5
СмотретьЗаявка
1478093
Г. Г. Рудовол, В. Т. Павлов, Л. Г. Власов
МПК / Метки
МПК: H01C 7/06
Метки: объемного, резистор, типа
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-347807-rezistor-obemnogo-tipa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистор объемного типа</a>
Резистор объемного типа
Номер патента: 347812
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Власов, Павлов, Перевезенцев, Рудовол
МПК: H01C 7/06
Метки: объемного, резистор, типа
...низкую мощность расс яния, плохую термостойкость и высокий температурный коэффициент.Предлагаемый резистор не имеет этих недостатков и отличается от известных тем,;то в качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов у и у 1 гру;ш периодической системы, В качестве металла Х 1 группы взят вольфрам, в качестве металла у группы - ниобий или ванадий. Компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес, %):Ниобий (вацадий) 10 - 95 Вольфрам 0,5 - 70Углерод общ. 4 - 20Углерод сноб. 0,1 - 2(например, алюмо-сил состава стекла) входит имущественно твердые Такая тугоплавкая 5 при пропускании тока температуры и при это рактеристик в течение эксплуатации. Для получения задан О водится следующий пр тивцого карбида (вес....
Электролит для осаждения металлов группы платины
Номер патента: 541441
Опубликовано: 30.12.1976
МПК: C25D 3/50
Метки: группы, металлов, осаждения, платины, электролит
...на металл), г изве рост элек саед водо авкние, ную, лоть тов кпм образом электроды пр 1стве анода в производстве хлнатрия.Толщинаслоя, мкм Электроды 1,100 1,100105 115 1,125 0,76 0,77 0,75 0,7 о 0,79 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 10 0,04 0,08 0,14 0,20 0,28 16 20 30 Формула изобретения следующем 0,1 - 60 0,05 - 1,0До 1 Составитель В, БобокТехрсд И. Каваидашова Корректор А. Галахова Редактор Е. Юепелева Заказ 700/12 Изд.155 Тираж 499 Подписное ЦНИИГ 1 И Государственного комитета Совета Министров СССР ио делам изобретений п открытий 113035, Москва, )К.35, Раушская иаб., д. 4,5Типография, нр. Сапунова, 2 Как видно из таблицы, при отношении Вг - / /1 г=36 осаждение иридия не происходит.П р и м е р 2. Титановый электрод покрывают слоем иридия...
Резистор объемного типа
Номер патента: 303660
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Власов, Гребенкина, Королева, Перевезенцев, Просвирнина, Самсонов, Юсов
МПК: H01C 7/00
Метки: объемного, резистор, типа
...реуглерода.объемного 30 Технология изгот снове сложного кар е отличается от тех исторов на основе Например, постоянньрезис занно изгото аций торы овления бида ук нологии модифи е резт Изобретение относится к компонентам ра. диоаппаратуры и может быть использовано в качестве резисторов общего назначения.Известные непроволочные резисторы объемного типа, выполненные на основе модификации углерода, имеют недостаточную термо- и влагостойкость, Кроме того, эти резисторы не могут быть низкоомными.Цель изобретения - создание резисторов объемного типа, обладающих низким температурным коэффициентом сопротивления, высокой термо- и влагостойкостью, а также расширяющих номинальные значения сопротивлений в низкоомную область.Это достигается тем, что...
Материал для непроволочных резисторов объемного типа
Номер патента: 317113
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Агарков, Болдырев, Власов, Павлов, Павлушкин, Рудовол
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, непроволочных, объемного, резисторов, типа
...наполнителя использован хромово-титановый боридв области гомогенности, а в качестве связующего алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло,Кроме того, упомянутые компоненты взяты в 20весовых процентах в следующем соотношении: хромово-титановый борид 50 - 80, алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло 20 - 50.Предлагаемый материал для непроволочных резисторов объемного типа изготовлен 2методом горячего прессования при +900 С вслабо восстановительной среде. В качестверезистивн ого материала в нем примененсложный тугоплавкий борид: Т 1 о,аСго 2 В, а вкачестве связующей фазы - стекло состава, З 0 вес. %: 8102(4 - 20); В 20 з (8 - 20); ВаО (60 - 78); А 120 з (до 12).Содержание резистивного материала в композиции составляет 50 - 80 вес, %, остальное -...
Резистор объемного типа
Номер патента: 302756
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Власов, Гребенкина, Королева, Перевезенцев, Просвирнина, Самсонов, Юсов
МПК: H01C 7/00
Метки: объемного, резистор, типа
...1 ийся тем, что, с целстоикости и влагостойкширении диапазона со5 ную область, исходныедящей фазы введенывенных соотношениях (тЬ - 90 8 - 91 8Собщ. - 9,2 - 8,2. тпа с ью повь ости рез протпвле компоне в следую вес.% ): с Р 1 Известен резистор объемного типа с токо проводящей фазой на основе сложного карбиль изобретения - повышение термостойи и влагостойкости резистора при расшии диапазона сопротивлений в низкоому область,Для этого в предлагаемом резиные компоненты токопроводящейны в следующих количественныхях (вес.%):МЬ - 90,8 - 91,8Соощ - 9,2 - 8,2.В предлагаемом низкоомном резисторе вкачестве резистивного материала используется карбид в области гомогенности ХЬСо;, который отличается низким ТКС, высокой терм о- и вла го стойкостью,...
Предыдущий патент: Устройство для армирования подвесных изоляторов
Следующий патент: Материал для пленочных резисторов
Случайный патент: Автомобиль-самосвал