Способ изготовления электрических контактов композиционных микрорезисторов

Номер патента: 323806

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гальперин, Солдатова

МПК: H01C 7/06

Метки: высокоомных, композиционных, резисторов

...до минимума количество проводящих компоцецтов, повысив тем самым предельную величину сопротивлеиия. Одновременно благодаря большому коэффициенту расширения композиции создается возчожность использования болеЕ цысокоомцых проводящих компонентов с соотиетствеицо большим отрицательным ТКС (цаиример, слабо црокалеццые сажи), что также 5 с посооствует повышешпо величины сопротивлеиия омозици,11 ебольшое количество мицеральцого иаполцителя может при иеобходимости вводиться для корректировки величииы ТКС.10 Для получешя мелкодисперсцого оргацического 1 аолцителя смолу предварительио из.мельчшот в шаровой мельнице и насыпают тонким слоем 1 - 2 л,я иа противень, который помещают в термостат и выдерживают в тре буемом режиме в зависимости от вида...

Номер патента: 494086

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Андрейченко, Врублевский, Горелов, Добжинский, Жаворонков, Зорин, Манчук, Полевцев, Репях

МПК: H01C 17/02

Метки: композиционных, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННЫХ РЕЗИСТОРОВ, состоящих из защитной оболочки, выполняемой из пластичных смесей, и собственно тела резистора, выполняемого из смесей сверхжесткой консистенции на основе портландцемента с влажностью смеси 6,5 - 10% , включающий формовку, выдержку, гидротермальную обработку и сушку резистора, отличающийся тем, что, с целью достижения монолитности защитной оболочки с телом резистора и повышения напряжения перекрытия по телу резистора, вначале между наружной стенкой формы и коаксиально расположенным цилиндром методом виброуплотнения формуют защитную оболочку на всю высоту резистора, затем, постепенно поднимая коаксиальный цилиндр, в свежеотформованную защитную оболочку формуют тело резистора путем динамического...

Номер патента: 993342

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Горелов, Минакова, Пугачев, Татьянченко, Халин

МПК: H01C 17/00

Метки: композиционных, резисторов

...резистив мента, нанесение на него оболочки и сушку, нанесе оболочки на резистивный осуществляют намоткой пр ных эпоксидной смолой ни ловолокна одновременно с температуре, иэменяющейс ному закону от 50 до 180 ние 20-60 мин.Способ осуществляется образом. Резистивный элемент собирают из отдельных цилиндрических деталей диаметром и высотой 0,5 мм помещают в термокамеру с вытяжйым окном, а затем обматывают послойно нитями из стекловолокна,пропитанными эпоксидной смолой ЭД. Намотку осуществляют вращением резистивного элемента вокруг своей оси с угловой скоростью 2-16 об/мин и возвратно-поступательным перемещением нитей из стекловолокна. Одновремекой осуществляют сушку в20 - 60 мин при непрерывщенки резистора внутри тот одного ее конца к...

Номер патента: 347810

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бондаренко, Московский, Соколов, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: композиционных, материал, резисторов

...диапазоном номиналов, значительным разбросом параметров и температурной нестабильностью.Цель изобретения - расширение диапазона номиналов резисторов, снижение температурного коэффициента сопротивления и повышение рабочих температур резисторов,Для этого в качестве электропроводящей компоненты взята смесь мелкодисперсных карбидов вентильных металлов, например карбида тантала и карбида ниобия, а состав композиции взят в следующих количественных соотношениях (вес. %):Карбид тантала 65 - 94,5 Карбид ниобия 5 - 0,5Связующее 30 - 5 Электропроводящая компонента, составлен тая из смеси мелкодисперсных карбидов тан тала и ниобия, обладает высоким удельных 2электрическим сопротивлением (1 ом млт 2 лт), мало изменяющимся прн изменениях...

Номер патента: 641813

Опубликовано: 15.12.1979

Автор: Шулишова

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционных, материал, резистивный, резисторов

...по сравнению со стехиометрическим составом.Изготовляется материал методом боротермического носстзновления ок си кальция в вакууме, 1 йхта рассчитывается на прохождение реакции СаО + 7 В= СаВ 6 + ВО. При составлении шихты берется запланированное избыточное количество одного из ее компонентов (окиси кальция или бора). Реакция проводится при 1800 ОС в течение 1 ч,Изменение соотношения компонентов состава н указанном диапазоне позволяет получать резистивный материал для токопроводящей Фазы н диапазонеб 41813. 17 0 60 материал с тного, поско тной окиси са стоимос 40 к,эа 1 кг 5780 О,15 36 ормула иэобре 5 . 148320 25 зИэвестсамари кальци бор ный материадй 1,0-;69,6:й 0,13437,6 230,2-,615 1,5- 2 Как виднтериал, нети значенийуспешно заний...