337830

Номер патента: 1838455

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Гнеденков, Гордиенко, Скоробогатова, Хрисанфова

МПК: C25D 11/02

Метки: бария, нанесения, пленок, титаната

...проницаемости пленки в целом, что вносит свой вклад в повышение сегнетоэлектрических свойств пленки.45 После вакуумно-термической обработки значения диэлектрической проницаемости увеличиваются до 1108, проводимость с 5 10 до 1,8 104 (Ом см), при этом на материале полученной пленки наблюдается 50 диэлектрическая петля гистерезиса, являющаяся наиболее важноф характеристикой сегнетоэлектрика, При температуре Кюридиэлектрическая проницаемость таких пленок возрастает до 11000 (соответственно улучшаются их сегнетоэлектрические свойства).Нижний предел температуры вакуумнотермической обработки обусловлен значением энергии связи кислородсодержащихионов на поверхности пленки. При температуре отжига в вакууме меньше 300 С десорбция ионов...

Номер патента: 895020

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Веневцев, Новоселова, Туревская, Турова, Яновская

МПК: C04B 35/468

Метки: бария, пленок, титаната

...Ват 1409. Кристаллизующиеся лишь выше 1000 С. При более низких температурах они присутствуют в качестве аморфной межзеренной прослойки в кристаллической структуре ВаТ 10 з, не ухудшая его диэлектрических свойств,Целью изобретения является придание сегнетоэлектрических свойствпленкам титаната бария и улучшение ихкачества,Поставленная цель достигается тем,чта в известном способе получения пленок титаната бария путем нанесенияна подложку пленкообразующего раствора алкогалятов бария и титана с последующим высушиванием,раствор алкоголятов готовят с отношением барий:титан, равным 1:(1, 1-1,5), причемраствор наносят на подложку методомцентрифугирования - одна- или многократно, а пленки после высушиванияоподвергают отжигу при 800-1000 СПрим ер...

Номер патента: 1096021

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Блажявичюс, Жельнис, Землявичюс, Марукович

МПК: B22D 11/045

Метки: горизонтального, кристаллизатор, литья, материал, наклонного, непрерывного, слоем, слоя, теплопроводного, теплопроводным

...когда уже сверху скорость затвердевания станет выше,чем снизу.Выбор теплопроводности слоя на боковых поверхностях в 1,5 и более раза выше теплопроводности слоя в нижней части кристаллизатора обус- ЗО ловлен тем, что выполнение слоя в нижней части кристаллиэатора, теплопроводность которого менее чем в 1,5 оаза меньше теплопооводности слоя на боковых повеохностях не обеспечи-З 5Фвает устоанения смещения теплового центра отливки вследствие малого термического сопротивления такого слоя.На фиг.1-3 схематически изображе ны возможные варианты изготовления кристаллизатора, поперечные разрезы.Кристаллизатор включает .вставную гильзу 1, теплопроводный слой 2, охлаждающую рубашку 3 с каналом 4 для 45 циркуляции охлаждающей жидкости....

Номер патента: 741344

Опубликовано: 15.06.1980

Автор: Честнов

МПК: H01J 9/48

Метки: автомат, внутреннюю, колб-трубок, нанесения, отражательного, поверхность, слоя, сушки, этого

...9, металлоконструкцию 10 дляустановки на ней неподвижного бункера 11 для загрузки колб-трубок 7 сотсекателем 12, предназначенным дляпоштучной подачи колб-трубок 7 взажимные устройства 2, дозатор 13 дляподачи порции суспенэии во внутреннюю часть колбы-трубки, нагреватель14 для просушивания отражательногослоя, кулаки 15 и 16, предназначенные для раскрытия зажимных устройств2, и склиэ 17 для приема готовыхколб-трубок 7,Зажимное устройство 2 состоит иэкрышек 18 для плотного закрыванияконцов колб-трубок 7,жестко сидящихна валиках 19, которые совершаютпоступательные движения во втулках 20с фиксаторами 21, служащими для предотвращения вращательного движенияваликов 19 за счет воздействия кулаков 15 и 16 на ролики 22, жесткозакрепленные на...

Номер патента: 947810

Опубликовано: 30.07.1982

Автор: Анохин

МПК: G03G 13/00

Метки: диэлектрика, изображения, пленке, электрофотографического

...поля зарядов скрытого изображения 3 положительными и отрицательными ионами 5 от источника ионов б, 25 радиоактивного типа; на фиг.Зб - операция компенсации поля зарядов скрытого изображения 3 положительными и отрицательными ионами 5 от источника 6 ионов со скользящим разрядом. На Фиг,4 показаны отделенная от слоя 1 пленка 4 со скрытым изображением 7 и электрофотографический слой 1 на подложке 2 со скрытым изображением 3. На фиг.5 дается операция проявления ,скрытого изображения 7 на пленке 4 ча"тицами электрографического проявителя 8, подаваемых иэ устройства 9; на фиг,б - готовое изображение 10 на пленке 4.40П р и м е р 1. Проводят репродуцирование штрихового оригинала-позитива с оптической плотностью изображения 1,45 и Фона 0,15 на...