С-структура с распределенными параметрами
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 337829
Авторы: Брук, Грибовский, Ейн, Терентьев
Текст
337829 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУависимое от авт. аявлено 24,Х,196 свидетельс М. Кл. Н 01 с 6( 12 аявки Лс присоединени оритет Комитет ао доламиаоОрвтений и открытиори Совете МинистровСССР епь15 21,316.86 (088.8) публиковано 05,7.1972. Бюлл Да бликован 1.197 я описани Авторыизобретения О. Грибовский, М Терентьев и В. И. к, Т. аявител ЯС-СТРУКТУРА С РАСПРЕДЕЛ МИ ПАРАМЕТР слоем, В такой структуре функцию распределенного сопротивления выполняет керамический материал на основе окислов металлов (цинка, меди и т, д.), а функцию диэлектрирамический материал с высоким знадиэлектрической проницаемости (на титаната бария, тптаната кальцияИспользование в качестве диэлектрика ЯС- структуры керамических материалов с высоким значением диэлектрической проницаемости позволяет получить в предлагаемых структурах большие удельные емкости. Это значительно снижает габариты ЕС-структуры. ка - ке чением основе и т. д.) Керамическуюными параяетраьобразом.Готовят тонкодисперсные порошки ке ческих материалов, обладающих необхо ми свойствами. Из порошков этих матер делают заготовки полуфабрикатов необ мой конфигурации. Заготовку полуфабр из материала, требующего наиболее вь температуры обжига для спекания, под ют обжигу. Затем обожженную заготов заготовки полуфабрикатов остальных ке ческих материалов соединяют в пакет и в обжигают (в ряде случаев с примен груза) прн температуре спекд этих и Изобретение относится к области радиоэлектроники.Известна ЯС-структура с распределенными параметрами, содержащая последовательно нанесенные на диэлектрическую подложку резистивный, диэлектрический и проводящий слои.Для таких ЯС-структур характерны невысокая надежность диэлектрического слоя, плохая повторяемость н ограниченный диапазон номиналов 1 и С, длительный цикл разработки и изготовления.Цель изобретения - расширение диапазона объемного сопротивления и увеличение удельной емкости ЛС-структуры,Это достигается тем, что йС-структура выполнена в виде полнкерамического твердого тела, у которого в качестве резистивного слоя использована керамика на основе смеси окислов металлов, например цинка, кадмия, меди, а в качестве диэлектрического слоя - керамика и на основе титанатов металлов, например бария, кальция.На чертеже представлена РС-структура с распределенными параметрами,Распределительная ЯС-структура состоит из резистивного 1, диэлектрического 2 второго резпстивпого 3 слоев, Часто один из резиствп 1 стоев заяеняот токопроводящим 20 25 30 ЯС-структуру с распределен- и изготавливают следующим рамидимь 1- палов ходииката сокой вергаку и рами- месте ением мате337829 Предмет изобретения Составитель Л. Дарьинаактор Т. Рыбалова Техред Л. Богданова Корректор Т. Миронова Заказ 1484/7 Изд, М. 638ЦНИИПИ Комитета го делам изобретенийМосква, Ж, Рауш Тираж 448 Подписное открытий при Совете Министров СССР ая наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 риалов. В результате получают монолитное керамическое изделие.Для присоединения ЯС-структуры к электронной схеме на струткуру наносят металлические электроды (например, вжиганием серебра). Получение в РС-структурах заданных значений Р и С обеспечивается применением материалов с соответствующими значениями удельного объемного сопротивления керамического материала для распределенного сопротивления и диэлектрической проницаемости керамического материала для диэлектрика, а также путем изменения геометрических размеров керамической ЯС-структуры, в том числе и после спекания. ЯС-структура с распределенными параметрами, содержащая последовательно нанесенные на диэлектрическую подложку резистивный, диэлектрический и проводящий слои, отличаюи 1 аяся тем, что, с целью расширения диапазона объемного сопротивления и увеличения удельной емкости ЛС-структуры, упомя путая ЯС-структура выполнена в виде поликерамического твердого тела, у которого в качестве резистивного слоя использована керамика на основе смеси окислов металлов, например, цинка, кадмия, меди, а в качестве 15 диэлектрического слоя - керамика и на основе титанов металлов, например бария, кальция.
СмотретьЗаявка
1278488
П. О. Грибовский, М. Б. Брук, Т. И. Терентьев, В. И. ейн
МПК / Метки
МПК: H01C 7/18, H01L 49/02
Метки: параметрами, распределенными, с-структура
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-337829-s-struktura-s-raspredelennymi-parametrami.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">С-структура с распределенными параметрами</a>
Электропечь для светлого отжига металлов и сплавов, например, меди, в атмосфере водяных паров
Номер патента: 135230
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Гликман, Горчаков, Панкратов
МПК: C21D 9/00, C22F 1/08, F27D 3/00
Метки: атмосфере, водяных, меди, металлов, например, отжига, паров, светлого, сплавов, электропечь
...воздуха и быстрого охлаждения садки после отжига, корпус печи 1 располагается над водяным баком 2, при этом щиты кожуха печи по периметру опушены в воду, Контейнер 3 для загрузки полос, с целью лучшего их нагрева, выполнен в видс елочного стеллажа из жароупорной стали. Конструкция контейнера позволяет производить его загрузку и вь 1 грузку на любом участке.Автоматический цикл работы печи происходит следующим образом. Загруженный контейнер устанавливается на раму 4 печи. Гама прп помощи механизма 5 вертикального и горизонтального перемещения опускается в водяной бак и затем, под водой, передвигается под псчь. Механизм привода б раскрывает дверцы печи 7, заменяющие под, и контейнер входит в печь. В рабочее пространство печи...
Способ получения двухслойных структур на основе сплошных сверхтонких пленок
Номер патента: 717926
Опубликовано: 30.01.1986
Авторы: Быковский, Дудоладов, Кобыляков, Козленков, Лощинин, Миронос, Шаповалов
МПК: C23C 14/28
Метки: двухслойных, основе, пленок, сверхтонких, сплошных, структур
...с и в существенно неравновесных условиях. Пересыщения, развивающиеся при этом, настолько велики, что эффективные размеры устойчивого зародыша должны быть меньше атомных размеров, т.е. рост пленки происходит сразу сплошным слоем. Подавление процессов миграции во время сверхбыстрого осаждения тонких слоев является причиной образования сплошных сверхтонких пленок при испарении вещества импульсным ОКГ. Режим работы импульсного ОКГ при этом не имеет решающего значения, Дальнейшее поведение осажденной пленки зависит от ее толщины с;, температуры подложки 1 з, в еличины пер е грев а ь 1 пленки в момент осаждения, адгезии пленки к подложке, степени соответствия параметморфологическая релаксация первоначально сплошной пленки в дискретную. Время...
Способ получения эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия
Номер патента: 1771335
Опубликовано: 19.06.1995
Авторы: Захаров, Лымарь, Нестерова, Шубин
МПК: H01L 21/205
Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий наращивание на полуизолирующих арсенидогаллиевых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений элементов III группы в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка гидридных или металлоорганических соединений мышьяка буферного слоя полуизолирующего арсенида галлия и последующее наращивание легированных низкоомных слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет улучшения изолирующих свойств буферного слоя и повышения воспроизводимости его параметров, наращивание буферного слоя проводят при давлении 12 30 Торр в среде водородной плазмы высококачественного тлеющего разряда при температуре подложек 530...
Способ получения светочувствительных структур на основе теллуридов кадмия и цинка
Номер патента: 1825431
Опубликовано: 30.06.1993
Авторы: Беляев, Калинкин, Рубец
МПК: H01L 21/203
Метки: кадмия, основе, светочувствительных, структур, теллуридов, цинка
...напыления линейно возрастала, Линейный нагрев испарителя обеспечивался с помощью модифицированного терморегулятора, До достижения испа1825431 Формула изобретения Составитель А,БеляевТехред М,Моргентал рректор В,Петраш ор при ГКНТ СС Тираж Подписное дарственного комитета по изобретениям и открыти 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Заказ 2235 ВНИИПИ Го роиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 1 рителем температуры 450 С поток к напыляемым структурам перекрывался специальной задвижкой. В испаритель закладывалась навеска твердого раствора (2 по,7 СОо,зТе)ол (1 п 20 з)о,о 1. Масса навески выбиралась такой, чтобы было все вещество израсходовано в процессе напыления. Заранее определенная масса навески...
Кристаллогидраты изополиванадатов молибдатов или вольфраматов щелочных металлов в качестве терморезистивных материалов или катализаторов окисления триметилфенолов и способ их получения
Номер патента: 1098911
Опубликовано: 23.06.1984
Авторы: Волков, Захарова, Ивакин, Коленко, Коренский, Скобелева, Харчук
МПК: C01G 31/00
Метки: вольфраматов, изополиванадатов, катализаторов, качестве, кристаллогидраты, металлов, молибдатов, окисления, терморезистивных, триметилфенолов, щелочных
...катализатор обеспе 5 чивает максимальную конверсию и селективность процесса, равные 63,3- 100 и 85,4-1007 соответственноПосле экстракции продукта реакции - триметилбензохинона - гексаном с помощью делительной воронки легко отделяется каталитический слой, который не теряет своей активности и может быть многократно использован в процессе окисления триметилфенолов.Из табл. 1 следует, что соединения М 2712,1 Э 02 пН 20 как терморезистивные материалы обладают резким увеличением электросопротивления в интервале температур 57-90 С и устой 20 чивы в атмосфере повышенной влажности, так как все измерения проведены при Р = (22-32) 10 Па. При охлажде 2нонии имеет место гистерезис электроо сопротивления величиной - 20-50 С.Использование предлагаемых...
Предыдущий патент: Устройство для снятия экранирующей оплетки
Следующий патент: 337830
Случайный патент: Станок для изготовления выводов флажкового типа электрических конденсаторов