Патенты с меткой «с-структура»

Номер патента: 337829

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Брук, Грибовский, Ейн, Терентьев

МПК: H01C 7/18, H01L 49/02

Метки: параметрами, распределенными, с-структура

...характерны невысокая надежность диэлектрического слоя, плохая повторяемость н ограниченный диапазон номиналов 1 и С, длительный цикл разработки и изготовления.Цель изобретения - расширение диапазона объемного сопротивления и увеличение удельной емкости ЛС-структуры,Это достигается тем, что йС-структура выполнена в виде полнкерамического твердого тела, у которого в качестве резистивного слоя использована керамика на основе смеси окислов металлов, например цинка, кадмия, меди, а в качестве диэлектрического слоя - керамика и на основе титанатов металлов, например бария, кальция.На чертеже представлена РС-структура с распределенными параметрами,Распределительная ЯС-структура состоит из резистивного 1, диэлектрического 2 второго...

Номер патента: 438054

Опубликовано: 30.07.1974

Автор: Кутлин

МПК: H01G 1/00

Метки: параметрами, распределенными, с-структура

...в виде компланарной системы, состоящей изизвестной слоистой структуры,проводящий слой которой выполнен так, чтоего боковые участки расположены непосредственно на диэлектрическом основании. Междурезистивной пленкой слоистой структуры ипроводящей плейкой, лежащеи в той жс плос кости, получается распределенная емкость, величина которой зависит от геометрических размеров резистивной и проводящей пленок, а также от толщины диэлектрической пленки.На фиг, 1 изображена конструкция предла гаемой КС-структруы; на фиг. 2 - электрическая схема ее.Предлагаемая КС-структура состоит из двух компланарных систем, получающихся за счет чередования резистивного слоя 1, диэлектрического слоя 2 и проводящего слоя 3. Для обеспечения возможности...