Патенты с меткой «taeaacfoiflv»
Резистивньш материалi 1 • к.; ., taeaacfoiflv •ч-, -, i.
Номер патента: 347809
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Власов, Дубовик, Куценок, Павлов, Рудовол, Самсонов, Юсов
МПК: H01C 7/06
Метки: taeaacfoiflv, материалi, резистивньш, ч•
...росту удельно Изооретение относится к технологии изготовления радиодеталей и может быть использовано при производстве постоянных и переменных резисторов.Известный резистивный материал на основе тугоплавких соединений карбидов металлов 1 Ч, Ч и Ч 1 групп периодической системы, характеризуется высоким температурным коэффициентом сопротивления и узким диапазоном рабочих температур,Цель изобретения - снижение температурого коэффициента сопротивления и расширеие диапазона рабочих температур.Для этого в состав предлагаемого материала входят цитриды элементов 111 группы периодической системы (бора, алюминия), при этом исходные компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес. %):Бор (алюминий) 1,5 - 4,5 Азот43 - 2,0Углерод...