Искендер

Номер патента: 343231

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Абдуллаев, Алихаиова, Ахундов, Воротникова, Джафарова, Искендер

МПК: G01R 31/26

Метки: 343231

...превышающем длину диффузионного смещения не- основных носителей в базе диода; и; - концентрация собственнных носителей; Т - температура р - а перехода; й - постоянная Больцмана; д - заряд электрона.Учитывая температурную зависимость и то, что во всем рабочем интервале полупроводниковых диодов Л 7 п;, после преобразований получаем:Свин(Т) = - Е(Т) 1 п Х7(р Р "дт Рфгде Е (Т) - ширина запрещенной зоны полуЫФпроводника, Р, М, - постоянные, определяющие эффективную плотность состояний в валентной зоне и в зоне проводимости полупроводника, соответственно при комнатнойтемпературе Тк.Концентрация примесей У есть величина постоянная в базе диода и определяется удельным сопротивлением исходного кристалла полупроводника. В области р - и...