Способ измерения эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике

Номер патента: 853424

Опубликовано: 07.08.1981

Автор: Логвиненко

МПК: G01B 7/16, G01K 7/01, G01R 33/06

Метки: магнитного, механи-ческих, напряжений, напряженности, поля, температуры

...образованный областями 2 и 4 пластины 1, контакт 10; контакт б, область 2 пластины 1, контакт 8, входное сопротивление измерителя напряжения, подключенного к контактам 8 и 10, контакт 10. Измеритель напряжения входит в состав измеритель. ной схемы. Соотношение между токами в указанных цепях будет определяться соотношением сопротивления р-и-перехода и входного сопротивления измерителя напряжения. Для эффективной совместной работы термодиода и измерителя напряженности магнитного поля это соотношение следует выбирать таким образом, чтобы ток первой цепи, т.е. ток термодиода, был в пределах (10-50)10А. Протекание тока от контакта б к контакту 8 через область 2 вйэывает инжекцию носителей тока в эту область, имеющую малую толщину (2-5 мкм)...

Номер патента: 492757

Опубликовано: 25.11.1975

Автор: Шор

МПК: G01K 7/02

Метки: магнитных, полях, температуры

...тепловой экран 8, имеющийтепловой контакт с блоком 2 и выполненный в виде трубки нэ материала с высокой 10 тепяопроводностью, например нз меди.Все устройство, включая тепловой экран8, помещено в теплонзоляцию 9, напримерввакуумную оболочку, Термометр 1 с бло-,ком 2 помещен в магнитный экран 10. тф Устройство работает следующим образом.Прн отклонении температуры блока 2от нэмеряемай на термопаре 4 возникаеттермо-э.д. с., воздействующая на терморегулятор 7 так, что последний с помощью 20 нагревателя 3 возвращает температуру блока 2 к измеряемой. Температура блока 2измеряется термометром 1. Погрешность термометрасобусловленная аффектом Гаус тивлення снижено О П И А Н И Е ц 4 ювтИЗОБРЕТЕН Ияблагодаря вынесению термометра в зону слабого...

Номер патента: 550882

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Юзкевичене

МПК: G01R 31/26, H01L 21/00

Метки: горячих, носителей, полупроводнике, температуры, эффективной

...горячихносителей тока в полупроводнике обычно определяют по величине термоэдс, 5обусловленной градиентом концентрации носителей тока, который создаютпосредством лвгирования полупроводника, что является технологически слож, ным и трудно контролируемым процес Осом. В процессе измерения наряду сполезным сигналом обычно появляютсяи нежелательные ЭДС. Все это приводит к снижению точности измерений.В известном способе определения 15эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике 1в части однородного образца с контактами, создаютэлектрическое поле,причем контакты находятся вне области электрического поля, освещают образец светом, в результате чего создается необходимый градиент концентрации носителей тока, приводящий...

Номер патента: 1375947

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Бондарева, Денега, Дубровин

МПК: G01B 7/16

Метки: испытания, магнитном, низких, поле, температурах, тензорезисторов

...упорной площадкой тензоэлемент 8 опирается через шарик 7 на пассивчую силовую тягу 11, выполненную в виде трубы, соединенной с 45 корпусом 3, Тензоэлемент 8 соединен штоками 12 и 13, которые в верхней части выполнены в виде труб,с измерителем деформации - индуктивным датчиком 14, причем шток 12 - с сердеч- " 50 ником датчика, а шток 13 - с катушкой датчика 14, Внутренние полости корпуса 3 и кожуха 4 герметизированы с помощью сильфона 15 и прокладки 16. Нагружающий механизм выполнен в виде рычага и гирь. Перемычка 9 установлена перпендикулярно оси тяг 6 и 11 и может быть выполнена сменной с элементами крепления на концах. Устройство работает следующимобразом.При подаче усилия от нагружающего механизма 5 через тягу 6 к тензоэлементу...

Номер патента: 1774397

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Лебедев

МПК: H01L 21/66

Метки: базовой, заряда, концентрации, носителей, области, р-п-перехода

...захваченных носителей с постоянной времени О, где 0 определяется параметрами ГЦ, Тогда разность между двумя значениями емкости в моменты времени т 1 и 1 г после окончания импульса инжекциие 11/О М е 1 г/О М (е ц/О- е сг/О): ЬСм, (3)где М - полная емкость р-п-перехода, обусловленная ГЦ.Если между окончанием импульса прямого напряжения и началом импульса обратного прошло время таад, при котором напряжение на структуре равно нулю, перезарядка ГЦ будет определяться двумя процессами;во-первых, термической ионизацией,во-вторых, во время Гзад, когда напряжение и, следовательно, электрическое поле вбазе р-и-структурыы равно нулю, захватомносителей из зоны с погтоянной времени г.После окончания тэад и начала импульса обратного напряжения...