246682

(32) Приорит Опубликован осударственныи комитетСовета Министров СССРоо делам изобретенийи открытий) ФОТОТИРИСТ изоб снов На фиристора Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, в частности к фототиристорам.Известно, что многослойную полупроводниковую структуру, лежащую в основе тиристора, можно перевести во включенное состояниес помощью света с длиной волны меньшей,чем длина волны, соответствующая грачицеполосы поглощения,Одним из важнейших свойств фототиристора является его чувствительность к воздействию светового потока.Цель изобретения - повышение световойчувствительности прибора,Для достижения этого в базе структуры вокруг освещаемой поверхности структуры выполнен участок с увеличенным продольнымсопротивлением и с пониженной концентрацией примеси. Вокруг освещаемой поверхности выполнена канавка, проникающая в базу 20и оставляющая под собой слой базы с повышенным продольным сопротивлением, причеммежду разделенными участками эмиттера сохраняется электрическая связь, Эмиттериыйили коллекторный переход имеет ступенчатую форму, причем ступени расположены подметаллическим электродом,жена конструкция фототиетырехслойной полупроводниковой структуры. Часть эмиттерной поверхности освещена, остальная часть занята непрозрачным металлическим контактом. В базе имеется участок с пониженной концентрацией примесей.На фиг. 2 изображена конструкция фототиристора с аналогичными условиями освещения, часть материала базы удалена.На фиг. 3 изображена конструкция фототиристора также с аналогичными условиями освещения. Эмиттерный или коллекторный переходы имеют ступенчатую форму.В фототиристорах, рассчитанных на большие токи, большая часть поверхности структуры должна быть закрыта непрозрачными металлическими контактами и для освещения выделяется лишь часть общей поверхности структуры, результатом чего является неравномерное освещение структуры,В этом случае при освещении плотность тока, протекающего через полупроводниковую структуру, будет различной по площади структуры, а характер неравномерности будет зависеть от величины продольного сопротивления базового слоя. Увеличение продольного сопротивления базового слоя приводит к повышению максимального значения плотности тока по структуре, что способствует более быстрому достижению условий, необходимых для переключения структуры,246682 Иеоюбой ооглок тщаппическцйконтаит юлией пегиенлод фиг В предлагаемой конструкции фототиристора вокруг освещаемого пятна в базе создается участок с повышенным продольным сопротивлением, Этот участок может быть получен за счет более низкого уровня легирования части базового слоя (фиг. 1), а также уменьшения ширины базового слоя при ступенчатой форме эмиттер ного или коллекторного перехода (фиг. 3), получаемых, например, с помощью селективной диффузии.Участок с повышенным продольным сопротивлением базового слоя может быть создан удалением части материала базы (фиг. 2), что может быть получено методом вытравливания. При этом со стороны эмиттера между разделенными участками должна сохраняться электрическая связь, что достигается либо технологическим путем, либо за счет внешнего металлического контакта, либо за счет незамкнутой формы канавки.Такое выполнение фототиристора позволяет увеличить его световую чувствительность в несколько раз при сохранении высоких электрических параметров. Предмет изобретения1. Фототиристор, содержащий не менее четырех слоев чередующегося типа проводимости, например и - р - и - р структуры, с металлическими непрозрачными контактами и свободным участком для освещения поверхности структуры, отличающийся тем, что, 5 с целью повышения световой чувствительности, в базе структуры вокруг освещаемой поверхности структуры выполнен участок с увеличенным продольным сопротивлением. 10 2. Фототиристор по п. 1, отличающийс я тем, что вокруг освещаемой поверхности выполнена канавка, проникающая в базу и оставляющая под собой слой базы с повышен.ным продольным сопротивлением, причем 15 между разделенными участками эмиттера сохраняется электрическая связь,3. Фототиристор по п. 1, отличающийс я тем, что в базе структуры вокруг освещае мой поверхности выполнен участок с пониженной концентрацией примеси. 4. Фототиристор по п. 1, о тл и ч а ю щ и йс я тем, что эмиттерный или коллекторный пе реход имеет ступенчатую форму, причем ступени расположены под металлическим электродом.246682 С 5 етобой пОтокИеяалличегкиекают актыбархность, закрь л металлически тактом сйиаема ой,охюость246682 Беттой погпок Иещалпическис контакпыГдетпйой поток и Метоппи ческийлпитакты Фиг 3 Составитель О, федюкинаРедактор Б. Нанкина Техред Л. Акимова Корректор Н. Стельм аказ 2781/4ЦНИИПИ ография, пр. Сапунова. Изд.осударств по дела Москва, ного комитета изобретенийЖ, Раушская Тираж 760 ПодписиСовета Министров СССРоткрытийнаб., д. 4/5