Думаневич

Номер патента: 288522

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Думаневич, Козлов, Ловцов, Лубнина, Рюмшин

МПК: B23K 35/26, H01L 21/60

Метки: 288522

...является использовяше твердых припоев в КОПТЯКТИОСОСД 111 С 1 ц ПИ 1(ИИЙ ТСР.ОКО.ПЕ 1- сатор - оиовапце трибсра.Известны припои для пайки термокомпсисяторов силовых полупроводниковых приборов с основанием, содержащие олово.Однако пайка цззсстиыми прпоями 1 пяпрл мер, ПСр) пр;Гводт к получсшцо напряженных спасв, вызывающих короолецие тсрмэ. компсцсятора ц растрескивяние кристалла,Для ир 1 оров с Гвсрдопаяин 1)п контактам:1 характс 1)иы 1 вышенос тсплоВое сопротивление и трудость от)ывки Остатков трявител после травлец;я, цаличе которых приводит к ) худшеццо зло(греских . Яряктеристик при боров.Прсдлагасмьш припой отличается тем, что 20 Ои содс;)жт 5 - 10 зсс.галлия. Пак ц:жпего термокомпец зтора с медным осиозаиием прибора...

Номер патента: 256086

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белебашев, Думаневич, Ловцов, Рюмшин, Смол, Файншмидт, Шмелев

МПК: H01L 29/74

Метки: 256086

...3 - базовый р-слой тиристора; 4 - эмиттерный р - и-переход тиристо ра; б - коллекторный р - и-переход тиристора; б - локальный металлический шунт; 7 - катодная клемма; 8 - анодная клемма; 9 - базовый и-слой тиристора. Устройство работает следующим образом.При подаче положительного смещения на тиристор (+ на клемму 8 и-на клемму 7) к переходу 4 прикладывается прямое смещение, которое должно вызвать инжекцию электронов в базовый слой 3. Так как переход 4 зашунтирован шунтом б с малым сопротивлением, его смещения в прямом направлении не происходит, и инжекция электронов из слоя 2 в слой 3 отсутствует. В то же время в базовый слой 3 поставляется дырочная составляющая обратного тока центрального р - и-перехода 5 и часть дырочного тока...

Номер патента: 253934

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Горохова, Думаневич, Ихтенгольц, Козлов, Ловцов, Лубнина, Пина, Рюмшин

МПК: H01L 23/10

Метки: вентильных, элементов

...обнаруживается большое количество пор и лысин, умень шающих эффективную площадь спая, неравномерное распределение их приводит к локальной концентрации напряжений и растрескиванию кремния из-за того, что окисные пленки, имеющиеся на мягких припоях, не диссоции руют и не удаляются из паяного шва при температуре пайки.С целью получения качественных соединений выпрямительных структур с термокомпенсаторами, в верхнем и нижнем вольфраме 25 (%) сделаны отверстия, в которые закладывают навеску припоя (в виде таблетки), Размер отверстия зависит от плошади спая и устанавливается для каждого типа прибора экспериментально. 30 На чертеже показано выполнение соединеия. При такои конструкции паяного соединения после расплавления припоя окисная...

Номер патента: 238017

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: однополярным, симметричный, тиристор, управлением

...же типом проводимости.Основу тиристора составляет монокристаллическая пластина электронного типа проводимости с удельным сопротивлением порядка 40 оги сзг и,диффузионной длиной 0,3 л,и, в которой методом последовательной диффузии создана структура, сечение которой изображено иа фиг. 1; на фиг. 2 и 3 - то же, соответственно вид сверху и вид снизу; на фиг. 4 - вольт-амперная характеристика тиристора.На фиг. 1 обозначены: 1 - слой исходного кремния с электронным типом проводимости;2, 3 - слои кремния с дырочной проводимостью, полученные методом диффузии и образующие на глубине 70 - 80 як р - гг-переходы 4, 5; 6, 7, 8 - слои с электронным типом проводимости, полученные методом диффузии и образующие на глубине 10 - 12 лк р - гг-переходы гг,...

Номер патента: 238016

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Василенко, Думаневич, Евсеев, Тучкевич, Челноков

МПК: H01L 29/747

Метки: полярности, симметричный, тиристор, током

...пятислойной структуры позволяет получить симметричную относительно начала координат переключающую управляемую вольт-амперную характеристику с током управления при гиобой полярности источника в цепи управления сравнимой величины.У этой пятислойной структуры типа гг - р - гг - р - гг к верхнему 14 и нижнему 15 элект.родам выведены области р-типа, называемые в дальнейшем шунтами, Проекции шунтов на верхнюю или нижнюю плоскость основания пластины пересекаются только в области управляющего электрода и имеют общий отрезок прямой в остальной части, что позволяет рационально использовать пластины с целью получения приборов на большие токи,Особенность данной конструкции состоит в том, что на нихкней плоскости пластинки шунтировка выполнена...