Тиристор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕ 1 збз 41 оИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 25.02.71(21) 1630477/26-25 51) М. Кл. Н 011. 21/00 исоединением заявкиосударстаенный комитетСоаета Иинистраа СССРпо делам изобретенийи открытий(23) Приорит 43) Опубликовано 25,08,76,Бюллетень31 К 621,382088,8) 02. 77 та опубликования описан Ю, М. Локтаев, П. Г. Дерменж ов Ю, А, Евсеев,2) Автор изобре Думаневич,А. В. Коню 1) Заявител 54) ТИРИСТОР нос оянии через чезникаюшее вслед ентрапьного и Достигается Й шунтирсвкп оодагти, чск у правляюшему рытом сост руктуру, во пцошадях ц переходов, конструкциеперехода в илегаюшей ырехствиемитте е это трукэмиттепосреэлект оказан вариант предлагавид сверху, где 1,2,3 - проводимости, 4 - гранимого а ца р -п-перехода,рода ме- перекрыа проводиход выходит ляюшего элек ого токосьема раионе управ ация основн бласти разн так, что эм тал менного типттерный перого покрытия а из-по отдег облас д металличес ьных участк и й аэиеленных базо тью.такой конструкции руктуры, ограниченн родом, протекает не ллическому контакту р-п-переход,весь ток от ппощаой управпяюшимпосредственно к и с пек мета сведены к миусповия, выэь;- епение плот минуя эмиттер ый Изобретение относится к области конруирования попупроводниковых приборов. Известны конструкции тиристорныхструк р с распределенной шунтировкой в эмитм р- п переходе,Основной недостаток известных к ции тиристорных структур заключается в том, что при подаче напряжения с прямым фронтом на части плошади структуры в состоянии низкой проводимости реализуются повышенные плотности тока, где и происходит первоначально включение тиристора, Как правило, в этой же области тиристорная структура обладает максимапьным значением коэффициента усиления, 15Приборы с такой конструкцией допускают скорости нарастания ансдного напряжения в лучшем спучае до 100 в/мксек,Цель изобретения - повышения стойкости к эффекту ди/1 Ф и устранение самовкпюО чения тиристора эа счет наводок в цепи управпения.В предлагаемом тиристоренимуму ипи вообще устраненываюшие неравномерное распред тока в эак лойную ст разницы в рного р-иециапьной рного р и ственно пр оду.чертеже и тирис тора, и и типа363410 ЮГПОЛЛ Составитель О. ФедюкинаТехредМ. Левицкая Корректор Н, Зопотовская Редактор Т. Баранова Заказ 5226/467 Тираж 963 ПодписноеПНИ ИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Фипап ППП" Патечт", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Такая конструкция тиристорной структуры допускает скорости нарастания анодного напряжения больше 2000 в/мксек,Кроме того, помехоустойчивость тиристора лучше, так как шунтировка снижаетинжектируюшие свойства эмиттерного р-оперехода,В общем спучае, если у ь -р-в-р-структуры имеется несколько эмиттеров с несколькими управпяюшими эпектродами илинесколько областей электронного типа проводимости, щунтировка этих открытых эмиттерных областей выпопняется указаннымвыше способом. Что касается геометрииширины шунтов и расстояний между ними,за основу можно взять геометрию точечногошунта металлизированной части эмиттера,тогда ширина полосы должна быть равна диаметру точечного шунта, а расстояниемежду полосками р-типа должно равнятьсярасстоянию между точечными шунтами. б Формула изобретения Тиристор, выполненный на основе многослойной структуры, с числом слоев чередую шегося типа проводимости не менее четырех и зашунтированным эмиттерным р-и-переходом, отличающийся тем, что, с цепью повышения стойкости к эффекту дад 1, а также повышения помехоустой чивости прибора, шунт выпопнен так, чтос управляющим электродом граничит эмиттерная область в виде участков, разделенных базовой областью.
СмотретьЗаявка
1630477, 25.02.1971
ЕВСЕЕВ Ю. А, ДУМАНЕВИЧ А. Н, ЛОКТАЕВ Ю. М, ДЕРМЕНЖИ П. Г, КОНЮХОВ А. В
МПК / Метки
МПК: H01L 21/00
Метки: тиристор
Опубликовано: 25.08.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-363410-tiristor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Тиристор</a>
Способ определения направления оси, вдоль которой ориентирован вектор спонтанной поляризации в кристаллах, входящих в состав сегнетокерамики со структурой типа тетрагональной калиевовольфрамовой бронзы
Номер патента: 785711
Опубликовано: 07.12.1980
Авторы: Девликанова, Крыштоп, Сидоренко, Турик, Фесенко
МПК: G01N 27/22
Метки: бронзы, вдоль, вектор, входящих, калиевовольфрамовой, которой, кристаллах, направления, ориентирован, оси, поляризации, сегнетокерамики, состав, спонтанной, структурой, тетрагональной, типа
...спонтанной деформации, метрию; в последнем случае возможныприводящей к растяжению элементарной два направления вектора спонтаннойячейки вдоль полярной оси и одновремен- поляризации: либо вдоль направленияному сжатию в перпендикулярных нап (001, (ось С), либо вдоль (010785711 формула изобретения 01 а но кристаллографической оси 001 (ось С) .П р и м е р 3. Кроме того, были выполнены измерения диэлектрической проницаемости полученного ряда твердых растворов горячепрессованной сегнетокерамики со структурой ТКВБ (1-х) К И+БЬОРц-.хРЬКНЬ Оэ, особенностью которых является налйчие морфотропной области, разделяющей составы тетрагональной и ромбической симметрии,1 О Измерения выпслнены на частоте 10 Гц при комнатной температуре, На...
Способ определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила
Номер патента: 1226208
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Андриевская, Киселев, Клещинский, Лунев, Розенберг
МПК: G01N 23/20
Метки: анионов, кристаллах, положения, рутила, структурой, типа
...титана. Интенсивности рефлексов измеряются на дифрактометре 2 О ДРОК,0 в СцК -излучении. Полученные результаты сведены в таблицу. Изобретение относится к методам расшифровки структуры кристаллов.Целью изобретения является повышение экспрессности и точности определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила,имеет вид: Материал Интенсивность (имп) 1 ло 1 ссс 1 ясо сп 5546 17813 0,3113 0,295 0,3819 0,300 ТО 7874 20615 Погрешность в определении координаты составляет 0,57. Использование предлагаемого способа сокращает время эксперимента 35 и позволяет уменьшить погрешность определения координаты. Формула изобретения4 О Способ определения положения анионов в кристаллах со структуройСоставитель Т. ВладимироваРедактор...
Способ гидротермального выращивания кристаллов со структурой типа ктр
Номер патента: 1583477
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Демьянец, Мельников, Триодина
МПК: C30B 29/14, C30B 7/10
Метки: выращивания, гидротермального, кристаллов, ктр, структурой, типа
...Р, КН РО 4 при 1000 СПРоцесс ведут при соотношениижидкой и твердой Фаз, равном 10:15:1 по объему.4 1583477 Шнхт Концентрация ра створите ие ическая а мас. Стекло КГКА 1 РО Г 5О,КА 1 РО Г 100% 0,7 0,6 КА 1 РО Г (скоростьроста уменьшаетсяна порядок) КА 1 Р 04 Г (100%)кристаллы в видепластин 150 О,РО с талл100%) иэомермы 0 0,8 0 ской 5 КАУРО,Г (100%) КА 1 РОГ размером 0,5 см удлиненно Формы (100%)длиненная форма 0 4 10 100 0,7 У Г (г 0%),о КА 1 РОГ (80%)4 Г (50%) р+ Си (50%) 300 ст 5 5КНГ На дно автоклава объемом 160 см,футерованного медным вкладышем, помещают 40 г шихты, представляющейсобой фториднофосфатное стеклостехиометрического состава (КА 1 РОГ).Вкладыш с шихтом заполняют растворителем КГ концентрацией 5 мас.%с коэффициентом...
Устройство для получения структур типа шеврона
Номер патента: 356172
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Деревообрабатывающей, Запотылько, Иванченко, Конструкторский, Узов
Метки: структур, типа, шеврона
...окно, по периметру которого жестко укреплены стенки 8, кроме одной продольной стороны.На оси б в средней части укреплена (жестко) стенка 9 с торцовым уплотнением, которая проходит сквозь окно в валу 1. 11 о длине оси б, между стенками 8, выполнено несколько отверстий 10. На противоположных концах рычагов 6 установлен на подшипниках ролик 11 Устроиство работает следующим образам, На фиг, 1 показан пример склейки двух листов, например бумаги. Один из листов 12, перемещаясь, покрывается клеем изнутри клеенаносящим вальцом 13, и далее подается совместно с ненамазанным листом 14 в ориентирующие ролики 1 б. Листы огибают барабан с перфорацией 4, ролик 11, натяжные валики 16 и попадают в формирующие устройства 17,Оптимальный режим...
Способ получения фельдшпатоида структуры типа калиофилита
Номер патента: 1347864
Опубликовано: 23.10.1987
Автор: Жозеф
МПК: C01B 33/26
Метки: калиофилита, структуры, типа, фельдшпатоида
...тета излуупри вибрациации в .орму и затем в течечение линии кобальта при 1 79 А). ние 1 30ние ч мин выдерживается гриКроме очень интенсивных линий кордие С. П осле сушки полученный продуктрита и довольно интенсивных линий 20 имеет плотность 3 0 г/мл Пм ллитать , г мл. Родукту различают линии слабой ин- блестящий егоего твердость 6 по шкале;тенсивности 4,49/4,28/3,53/2,59/2,28/ Моса,2 16 А ,а т акже зону между 10,00 П р и м е р 5, Готовят реакциони 11 8 А Эт а рентгенограмма являет- ную смесь по примеру 1 с молярнымися рентгенограммой К)-РЯ, указанной 25 соотношениями КО/810 0,38 у.810 /в таблице, однако зона между 3,38 и А 10 а 4,0, НО/А 1 О 20, К О/Л 102,80 А пе ек ытаР Р интенсивными ли,52. После выдержки образованная таниями ко...
Предыдущий патент: Устройство конического сканирования
Следующий патент: Устройство для предохранения конвейерной ленты от разрывов
Случайный патент: Регулятор угловой скорости колес транспортной машины