Патенты с меткой «трехэлектронный»

Номер патента: 578603

Опубликовано: 30.10.1977

Авторы: Белоусов, Ефремов, Леонов, Литко, Лукина, Овинников, Солодова, Усиков

МПК: G01N 27/02

Метки: датчик, трехэлектронный

...трехточечной (трехзаяимной схеме), например, с трансформаторными мостами типа Е 8-2, Р 509, Р 5004 и др, При этом возможны дистанционные измерения, так как учитываются (исключаются в процессе измерения) паразитные и краевые поля, что позволяет избежать некорректной градуировки по жидким эталонам.Отсутствие распределенных параметров датчика и измерения по трехточечной (трехзажимнои) схеме позволяют для определения удельной электропроводцости х, и диэлектрической проницаемости ь, а также гометрической постоянной К, использовать в качестве эталона наиболее стабильный эталон, вакуум цли воздух. Тогда диэлектрическая проницаемость определяется цз выраженияСо(1)С где Со - начальная (постоянная), измереннаяс помощью прибора емкость...

Номер патента: 526243

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Думаневич, Евсеев, Рачинский, Тетерьвова

МПК: H01L 29/74

Метки: переключатель, полупроводниковый, трехэлектронный

...затем тиристор с областью 5 и, наконец, главный тиристор с областью 3. Фиг, 5 поясняет работу симистора в третьем квадранте. Инжекцией электронов с области 9 обеспечивается первоначально включение тиристора с катодной областью 6, затем начинает ивкектировать область 5 и включается главный тиристор с катодной областью 8. В данном случае оптимальный режим работы устройства обеспечивается при условии, когда проекции области 9 и 6, а также 5 и 8 хотя бы частично перекрываются.фиг. 6 поясняет работу симистора в четвертом квадранте. Область 10 во вспомагательной дырочпой области служит для уменьшения токов управления, Область первоначального включения в данном случае возникает в тиристоре с областью 6 благодаря инжекции области 10...