285707

11285 УОУ Союз Советских Социалистических Республик) М. Кл. Н 01111/ 1 Государственныи комитет Совета Министров СССРно делам изобретений публиковано 15,06,74нь22 лле и открытн Дата опубликовап исания 04.06.75(72) Авторы изобретения Якивчик, Н. ли уманев аявител ЦР . 4 тт " Г / С% 4) ИМПУЛЪСНЫЙ ТИРИСТО онструкциям предлагаемои конструкции за счет повышения сопротивления полевой части эмиттера.Свободная от металлического покрытия часть эмиттера выполнена в виде узкой полосы, подходящей к центральной части структуры и охватывающей выход базового слоя в области основного управляющего электрода, а вспозтогательные управляющие электроды окружены эмиттерной областью. При этом сопротивления участков эмиттера между металллчеакихт,контактом к нему и вспомогательными управляющими электродами одпнаковы,На фиг,1 и 2геометрия эмиттструктуры, где 1электрод, 2 - элвспомогательный иристоров с скорости наечить больключения и нения вклюр,на основе имер, типа ре, от одной збуждающим осредственно миттера, овос самоой,потенасти перется как мплитуды го состоя 20 Для устранения возможного включенияструктуры вне областями с повышенным сопротивлением полевой части основной управляющий электрод расположен так, что он охватывается свободной от металлического покры тия частью эмиттера. Сопротивление полевойчасти и-эмиттера при заданном легировании определяется лишь геометрическими размерами и,при заданной глубине тем больше, чем больше отношение длины к ширине, Область 30 первоначального включения (ом. фиг. 2) име - повыти нарасе рабочей Изобретение относится к к полупроводниковых приборов.Для создания имлульсных т большой величиной допустимой растания й/Ж необходимо обесп шую площадь одновременного в повышенную скорость распростра ченного состояния.Известен импульсный эиристо многослойной структуры, напр и-р-п-р с выводом, по крайней ме ,из базовых областей и с самово управляющим электродом, неп к которому примыкает слой э бодный от омического контакта. Известна конструкция тиристоравозбуждающим включеннем, в которциал полевой части эмиттера в облвон ачального,выключения,иапользууправляющий сигнал большой адля быстрого, переноса включеннония в новые области структуры.Цель предлагаемого изобретенияшение допустимой величины скоростания анодного тока и повышеничастоты.Для эффективннал полевой частистаточно большиз ого самовозоуждения сигэмиттера должен быть дот, что и осуществляется в представлена предлагаемая ерного слоя четырехслойной - основной управляющий ектрод полевой области, 3 - управляющий электрод.ет длинную полевую часть 1, позволяющуо возбудить включение в центре структуры.Таская геометрия четырехслойной структуры с самовозбужде:ием обладает. рядом преимуществ:а) позволяет увеличить амплитуду. сигнала управлеия, снимаемого с полевой части, для включения перферийных мест;б) первоначально устраняется, возможное включение вне области эмиттера с высоким сопротивлением полевой части;в) включение периферийных участков при наличии,включенного состояняя в центре значительно (примерно в шесть раз) сокращает путь возможного распространения включенного состояния,по диаметру структуры.Одним из вариантов аналогичной а-р-г-р структуры является расположение,вспомогательных управляюцих электродов на периферии пластинки. В этом случае зона самовозбуждающего заключения располокена не внутри эмиттерной области, а по периферии.Для более эффективного использования рабочей площади структуры целесообразно сопротивление полевых частей эмиттерного слоя регулировать за счет различной степени легирования нужных участков.Протекание анодного тока по свободной от металлического покрытия части эмиттерного слоя в продольном направлении приводит к образованию большого электрического ,поля, которое вызывает искрение и эрозию крсмния с поверхности пластины, а также к сильному разогреву полевой части структуры.Нанесение слоя диэлектрика с хорошей теплопроводностью и большой теплоемкостью на 5 поверхность полевой части структуры значительно устраняет эти отрицательные эффекты, что в конечном итоге приводит к повышению допустимого значения скорости нарастания анодного тока при включении тиристора. оПредмет изобретения Импульсный тиристор на основе могослойной,структуры, например, тила и-р-п-р с вывсдом, по крайней мере, от одной из базовых областей и с самовозбуждающим управляющим электродом, непосредственно к которому примыкает, слой эмиттера, свободный от омического контакта, отличающийся тем, что, с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока и повышения рабочей частоты, свободная от металлического покрытия часть эмиттера выпол 1 ена ,в виде узкой полосы, подходящей к центральной части структуры и охватывающей выход базового слоя в области основного управляющего электрода, а вспомогательные управляющие электроды окрукены эмиттерной областью, причем сопротивления участков эмпт- ЗО тера между металлическим контактом к немуи вспомогательными упра 1 вляющими электродамм и один а ковы.