Патенты с меткой «транзисторах»

Номер патента: 1002989

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Константинов, Рабодзей

МПК: G01R 31/26

Метки: интервалов, мощных, однородности, сохранения, токораспределения, транзисторах

...на основе предварительных исследований партиитранзисторов данного типа, включающих снятие характеристик зависи мости статического коэффициента усиления В от тока эмиттера и напря"жения коллектора, а также контрольоднородности токораспределения низбранном измерительном режиме осу щестнляемый, например, при исследовании распределения температуры поплощади транзисторной структуры спомощью инфракрасной техники илижидкокристаллических индикаторов, 15 либо косвенно путем снятия зависи-мостей напряжения база-.эмиттер отнапряжения коллектора при данномтоке эмиттера.Параметры измерительного режимавыбираются в области сохраненияоднородности токораспределения так,чтобы производная коэффициента уси"ления по току коллектора имела отрицательное...

Номер патента: 1034031

Опубликовано: 07.08.1983

Автор: Быков

МПК: G06F 7/50

Метки: двоичный, комплементарных, мдп, одноразрядный, сумматор, транзисторах

...между, шиной питания и5 выходной шиной .трех Р-канальных тран.зисторов и трех в-канальных транзисторов, последовательно включенныхмежду выходной шиной и общей, приэтом затворы каждой пары этих тран 10 зисторов дополняющего типа подключе"ны к одной из трех входных шин, вего логическую часть формированиясуммы введены два Р-канальных транзистора, первый из которых подключенпараллельно первому и второму последовательно включенным Р-канальнымтранзисторам, а второй - параллельно второму итретьему последовательно включенным Р-канальным транзисторам, и два о -канальных транзистора, подключенных соответственнопараллельно первому и второму ивторому и третьему последойательновключенным и -канальным транзисторам,25 причем затворы...

Номер патента: 1034191

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Косоусов, Максимов, Петричкович

МПК: H03K 19/23

Метки: комплементарных, махоритарный, мдп, транзисторах, управляемый, элемент

...и 4, при этом параллельно транзистору 3 подключен третий-канальный транзистор 5.Вторая ветвь содержит последовательно включенные И -канальные чет-. вертый и пятый транзисторы б и 7 и шестой й-канальный транзистор 8, подключенный параллельно пятому транзистору 7, и включена между выНедостатком элемента являетсянизкое быстродействие, обусловленноебольшой паразитной емкостью выходной шины, образуемой стоками шестиМДП-транзисторов.Цель изобретения - повышениебыстродействия управляемого мажори-тарного элемента.Для достижения поставленной целив управляемом мажоритарном элементе 10 на комплементарных МДП-транзисторах,содержащем первую ветвь, включенную между шиной питания и выходнойшиной и состоящую из последовательно включенных первого и...

Номер патента: 1095115

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Веденеев, Ждан, Кабыченков, Сульженко, Шафран

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп, параметров, пограничных, состояний, транзисторах

...при определении спектра"мелких" ПС, а именно низкое энерге- ,тическое разрешение дЕ и большаяпогрешность при определении плотнос-,ти мелких" ПС, М (Е).Цель изобретения - увеличениечувствительности способа.Указанная цель достигается тем, что согласно способу определения параметров пограничных состояний в МДП- транзисторах, включающему охлаждение транзистора, измерение зависимости тока стока транзистора от напряжения смещения нри фиксированном значении напряжения исток-сток и определение спектра пограничных состояний расчетным путем, транзистор охлаждают до температуры ТдЕ/4 К, одновременно с измерением зависимости тока стока от напряжения смещения измеряют зависимость скорости возрастания тока стока от этого напряжения,...

Номер патента: 1109797

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Артеменков, Братов, Старосельский, Суэтинов

МПК: G11C 7/06

Метки: барьерным, запоминающего, переходом, полевых, полупроводникового, считывания, транзисторах, усилитель, устройства

...скорость считывания.Цель изобретения - повышение быст родействия усилителя,Поставленная цель достигается тем,что в усилитель считывания для полупроводникового запоминающего устройства на полевых транзисторах с барьерным переходом, содержащий линейныйусилитель, один вход которого подключен к первой разрядной шине, другой вход - к второй разрядной шине,нагрузочный элемент, первый вход но"торого подключен к шине питания, апервый и второй выходы - соответственно к первой и второй раэряцйым шинам, введен инвертор, причем выход ли".неййого усилителя подключен к второму входу нагрузочного элемента и 35входу инвертора,. выход которого соединен с третьим входом нагрузочногоэлемента.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема...

Номер патента: 1129739

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Барановский, Проворов

МПК: H03K 19/094

Метки: дополняющих, мдп, транзисторах, уровней

...и восемь транзисторов, выходы первого и второго инверторов соответственно подключены квходам третьего и четвертого инверторов, выходы которых соответственно подключены к затворам первого и второго транзисторов с каналами р-типа, входы первого и второго инверторов соответственно подключены к затворам третьего и четвертого транзисторов с каналами р-типа, исток и затвор соответственно пятого и шестого тран - эисторов с каналами и-типа подключены к входу, затвор пятого транзистора подключен к второй шине питания, сток - к входу первого инвертора, истоки первого и второго транзисторов подключены к первой шине питания, стоки - к истокам соответственноседьмого и восьмого транзисторов с каналами р-типа, стоки которых соответственно подключены...

Номер патента: 670019

Опубликовано: 30.11.1985

Авторы: Булгаков, Выгловский, Лебедев, Сонов

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, мдп, схем, транзисторах

...6 методомфотолитографии. Слой реэиста 6 покрывает активные области и служит маской при последующей ионной имплантации бором. Ионную имплантацию проводят при энергии ионов бора 100 кэВпри дозе 2 мкКул/см. При этом нанеактивных областях поверхности кремния образуется область 7 с повышенной концентрацией бора, который предотвращает образование инверсионных 9 2областей между диффузионными шинамии увеличивает пороговое напряжениепаразитных транзисторов. Затем снимают окисел 5 с нитрида кремния 2 надобластями 7. Травление окисла происходит в буферном травителе в течение 2-2,5 мин, Далее снимают фоторезист в серно-перекисной смеси истравливается нитрид кремния 1 надобластями 7. Травление происходитв ортофосфорной кислоте при температуре 140 фС...

Номер патента: 1201874

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Артеменков, Братов, Старосельский, Суэтинов

МПК: G11C 7/06

Метки: барьерным, переходом, полевых, считывания, транзисторах, усилитель

...схемах запоминающих устройств.Цель изобретения - повышение быстродействия усилителя,На чертеже изображена структурная схема усилителя,Усилитель содержит триггер 1, первый 2 и второй 3 выводы питания которого подключены к шине 4 питания и общей шине 5 соответственно, входы установки нуля 6 и единицы 7 вк первой 8 и.второй 9 разрядным шинам (РШ) соответственно, а прямой 10 и инверсный 1 выходы - к входам 12 первого 13 и второго 14 инверторов, у которых первый 15 и второй 16 выводы питания подключены к шинам 4 и 5 соответственно, а входы 17 - к входам 18 соответственно первого 19 и второго 20 нагрузочных эле-. ментов, выводы 21 питания которых подключены к шине 4 питания, а выходы 22 - к 20 шинам 8 и 9 соответственно. Усилитель...

Номер патента: 1220118

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Андреев, Беллавин, Лебедев

МПК: H03K 5/02

Метки: буферный, к-моп, транзисторах, усилитель

...из транзистора 9 и диодном включении и резистора 10, создает на затворе транзистора 7 напряжение, превышающее пороговое напряжение этого транзистора ца , небольшую величину, так, чтобы трацзистор работал в пологой областиЬАХ, т.е. транзистор 7 работает врежиме генератора тока. При этом независимо от величины питания схемыца подложке транзистора 1 устанавливается напряжение, соответствующеегранице отпирания его истоковогоР-перехода, т.е. примерно 0,5 В,Величина тока, обеспечивающего 1 О смещение подложки, должна соответствовать лишь границе отпирания истокового Р перехода (не более1 мкА)9 чтобы коэАФициецт усилениявертикального биполярного транзистора К" МОП структуры несущественноо."личался ат единицы.Если величина напряжения...

Номер патента: 1241285

Опубликовано: 30.06.1986

Авторы: Баранов, Герасимов, Григорьев, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: кмдп, считывания, транзисторах, усилитель

...транзисторы 30 и 31, и триггер 25 переключается в устойчивое состояние, в результате чего на выходе 12 устанавливается напряжение лог. "0", а на выходе 12 - лог,"1".После переключения триггера 25 входная часть усилителя на транзисторах 1-5, 8, 32-33 устанавливается в симметричное состояние путем пода" чи напряжения лог. "1" на тактовую шину 13 и выравнивания напряжений на входах 9 и 10 (считываемый сигнал на входах 9 и 10 уже не нужен). При этом закрываютсяинвертирующие 6 и 7 и управляющие 16 и 17 транзисторы. Однако считанная информация сохраняется на выходах 11 и 12, поскольку триггеры 20 и 25 сохраняют свои сос тояния.В исходное состояние, соответствующее статическому режиму, усилитель приводится путем подачи...

Номер патента: 1257807

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Диденко, Капустин

МПК: H03F 3/45

Метки: балансного, каскада, настройки, полевых, транзисторах

...токов, три сопротивления (С) 5, 6 и 7 и г-р переменного напряжения 8, Вначале настройки С 5, 6 и 7 выставляют в среднееположение, Затем, регулируя С 7 и 5,выставляют нулевые показатели В 3.После этого регулируют С 7 и 6, добиваясь минимальных показаний В 4.Цикл повторяют до тех пор, пока небудет достигнуто одновременно равенство нуля показаний В 3 и 4, Данный способ позволяет настроить балансный каскад на ПТ с управляющимр-п-переходом на минимум дрейфа напряжения смещения. Дан другой примербалансного каскада для реализацииданного способа настройки. 2 ил.Составитель Ю. Рогаткактор И. Сегляник ТехредИ,Верес Корректор М. Демчик акаэ о пис о комитетаий н открыт ушская наб Проектная ственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгор ро.иэ...

Номер патента: 1285534

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Высочина, Копытов, Солод, Хоменко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, кмдп, транзисторах

...с помощью входов 7 первой группы устройства и входов 14 второй группы устройства ячейке записана такая информация, что при подключении ячейки к разрядным шинам на шине 8 потенциал падает, а на шине 9 - растет. На управляющие входы 12 разрядного коммутатора при этом поступает положительный потенциал, который передает этот потенциал на входы"выходы триггера-защелки, устанавливая на выходе 10 потенциал меньше, чем на выходе 11.Одновременно сигнал с входов первой группы устройства поступает на адресные шины накопителя, на конце которых находится блок 4 ключей. Транзистор блока 4 ключей, соответствующий выбранной адресной шине, от крывается и на выходе формировйтеля 5 импульсов вырабатывается импульс положительной полярности, который,...

Номер патента: 1287267

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Быков, Гусаков, Корягин

МПК: H03K 5/24

Метки: компаратор, мдп, одноразрядный, транзисторах

...4, 7 соответственно, третья .выходная шина 17 подключена к затворам шестого, восьмого транзисторов 6, 8, истокам первого, девятого транзисторов 1, 15, четвертая выходная шина 18 у подключена к затворам второго, третьего транзисторов 2, 3 и стокам пятого, десятого транзисторов 5, 16.Устройство работает следующим образом. 55На шины 9, 10 подключаются "плюс" и ,минус источников питания соответственно. Потенциалы плюса" и минуса источника питания принимаются соответственно за "1" и "О".Входные сигналы подаются на шины 13 и 14. На транзисторах 1, 15 и 5, 16 образованы инверторы для этих сигналов а выходными шинами 17, 18, Одновременно транзисторы 1 и 5 являются транзисторами, входящими в схемы элементов ИЛИ-НЕ с выходными шинами 11, 12....

Номер патента: 1336226

Опубликовано: 07.09.1987

Автор: Виноградов

МПК: H03K 19/094

Метки: двухвходовый, кмдп, логики, транзисторах, трехзначной, элемент

...источников напряжения питания.На чертеже изображена электрическая принципиальная схема двухвходового элемента трехзначной логики на КМДП-транзисторах х. 15Схема содержит первую входную шину 1, первую шину 2 питания, общую шину 3, выходную шину 4, пять инверторов 5 - 9, вторую входную шину 10, вторую шину 11 питания, первая входная шина 1 соединена с входом первого инвертора 5, выход которого соединен с входом второго инвертора 6, выход которого соединен с истоком р-транзистора пятого инвертора 9, выход которого соединен с выходной шиной 4, а вход - с выходом четвертого инвертора 8, вход которого 25 соединен с выходом третьего инвертора 7, вход последнего соединен с второй входной шиной 1 О. Цепи питания первого, третьего и четвертого...

Номер патента: 1347153

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Гаврилюк, Краснопольский, Механцев, Рысухин

МПК: H03K 3/286, H03K 3/353

Метки: д-триггер, полевых, транзисторах

...транзистор 6 закрыт, ЛД 1 и ЛД 2имеют ВАХ, изображенную в виде кривых 1 О и 11 (фиг.2) соответственно.Для записи кода "1" необходимо ньтактирующий вход 7 подать логический "нуль", а затем восстановить потенциал логической "1". Тогда при переходе сигнала на тактирующем входе 7 от "О" к "1" откроется лямбда-диод, имеющий большее значение максимального тока, в данном случае откроется 10 ЛД 1, так как 1 м ) 1 м, . Изменение 50 15 20 25 ЭО Э 5 40 во время действия на тактирующем входе 7 "единичного" потенциала хранения сигнала на 0-входе 8 не приво-. дит к изменению состояния триггера, поскольку появление нулевого потенциала на П-входе 8 не изменяет формы ВАХ ЛД 2.При записи кода "О" на Э-входе 8 действует нулевой потенциал, транзистор 6...

Номер патента: 1348904

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Белоусов, Герасимов, Григорьев, Кармазинский, Поплевин

МПК: G11C 7/06

Метки: кмдп, считывания, транзисторах, усилитель

...Б где15, Борр - напряжение питания и пороговое напряжение транзистора р-типа,40В режиме считывания на вход 15подается напряжение "1", а на входы11 и 12 - напряжение, соответствующеесчитываемой информации, При этомоткрываются транзисторы 1 и 2 и запирается транзистор 1 бр вследствиечего усилитель оказывается в активномсостоянии и начинает переключаться всоответствии с сигналом, поступающимна входы 11 и 12. Например, если напряжение на входе 11 больше, чем навходе 12, то на выходе 13 устанавливается напряжение "О", а на выходе14 - напряжение "1",Введение положительной обратноисвязи с помощью транзисторов 17 и 18позволяет повысить коэффициент усиления усилителя считывания в несколько раэ. Формула изобретения Усилитель считывания на...

Номер патента: 1370752

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Кузьменко, Сидоренко, Солод

МПК: H03K 17/687, H03K 5/153

Метки: импульсных, мдп, постоянного, сигналов, транзисторах, уровней, формирования

...на вход 30 блока управления ключом логического "0". где инвертируется и поступает на вход 63 ключа логического "0". В зависимости от уровня входного сигнала шина выходного сигнала будет подключаться или к шине напряжения логической "1" (при высоком уровне входного сигнала), или к шине напряжения логического "0" (при низком уровне входного сигнала). Таким образом, на шине 17 будут формироваться сигналы высокого и низкого уровней, синфаэные с входным сигналом. С выхода 28 переключателя 3 фазы сигнал, синфазный входному поступает на вход 29 линии 2 задержки, где задерживается н поступает на вход 33 блока 1 усилителей задержанного сигнала, на выходах 34 и 37 которого формируются два противофаэных сигнала, задержанных относительно...

Номер патента: 1374422

Опубликовано: 15.02.1988

Авторы: Гаврилюк, Краснопольский, Механцев, Рысухин, Сухоруков

МПК: H03K 17/687

Метки: аналоговый, ключ, полевых, транзисторах

...п-типа. Стоки третьих полевых транзисторов 5 и 6 соединены со средней точкой Л -диода 9.Первый Л-транзистор 7 включен между первой управляющей шиной 14 и первым электродом Л -диода 9, к которому подключены также затворы полевых транзисторов р-типа. Второй транзистор 8 включен между второй управляющей шиной 15 и вторым электродом Л-диода 9, к которому подключены также затворы полевых транзисторов п-типа. Управляющие электроды -транзисторов 7 и 8 соединены соответственно с шинами 16 и 17 источников питания.Устройство работает следующим образом.В закрытом состоянии ключа напервую управляющую шину 14 подан положительный сигнал, а на вторую управляющую шину 15 - отрицательный.При этом, первая 16 и вторая 17 шиныисточников питания подключены...

Номер патента: 1376117

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Баранов, Герасимов, Григорьев, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: кмдп, считывания, транзисторах, усилитель

...второго типа проводимости, что при ч/ Ь н = 0,5-1,0 и 1 р =0,1 составляет К = 1,4-1,6. Формула и з о б р е т е н и яУсилитель считывания на КИДП-транэксторахрсодержащий первый и второй дифференциальные каскады усиления, ключевой транзистор, причем каждый дифференциальный каскад усиления содержит первый и второй переключающие транзисторы первого типа проводимости, установочный, первый и второй нагрузочные транзисторы второго типа проводимости, причем истоки унравляющих транзисторов обоих дифференциальных каскадов усиления под-. ключены к шине нулевого потенциала усилителя, стоки управляющих транзис" торов соединены с истоками первого к второго переключающих транзисторов первого и второго дифференциальных каскадов усиления...

Номер патента: 1381694

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Буй, Дедикова, Животовский

МПК: H03K 5/153

Метки: адресных, заднему, импульсного, моп, переднему, сигнала, сигналов, транзисторах, формирователь, фронтам

...достаточной для открытиятранзисторов 11 и 12 и с этого момента времени на затворы ключевыхтранзисторов 13 и 14 поступают потенциалы с первой и второй входныхшин соответственно, это приводит кразряду точки 21 и к переключениюсостояния триггера, т.е. заряду точки 22. Изменение состояния триггераприведет с момента времени С к изменению состояния в цепочках схемы.И-ИЛИ, т.е. разряду точки 27 и кзаряду точки 28. Пусть в момент времени с . в точке 22 установится потен 6циал, достаточный для протекания зарядного тока через транзисторы 18 7 в точку 23. Так как транзистор 6 закрыт уровнем "0" инверсного сигнала, то ток, протекающий через транзисторы 18, 7, идет только для заряда емкости, подключенной в точку 23, Таким образом, с момента...

Номер патента: 1406778

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Братов, Кравченко, Сапельников, Старосельский, Суэтинов, Хлыбов

МПК: H03K 19/094

Метки: логический, полевых, транзисторах, элемент

...существенно меньше и ток стока заметно зависит от напряжения исток50 сток. В этом случае стабилизацию напряжения переключения логического элемента следует осуществлять с использованием дополнительного цагрузочцого блока и дополнительного цагрузочцого55 транзистора, как это показано в схеме логического элемента ца фи 5..1 огический элемент состоит из ицвертирующего 1 и нагру очного 2 транзисторов, нагруэочного блока 3 с выводами 4-6, дополнительного нагруэочного транзистора 9 и дополнительногонагрузочного блока 11 с выводами 11-13. Все транзисторы выполнены с одинаковыми пороговыми напряжениями, анагрузочные блоки аналогичны описанным.В данном варианте логического элемента принцип стабилизации напряженияпереключения сохранения и...

Номер патента: 1464210

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Адамов, Братов, Кравченко, Сапельников, Старосельский, Суэтинов

МПК: G11C 7/06

Метки: полевых, считывания, транзисторах, усилитель

...открытого ПТШ,исток которого является вводом, затвор выводом, а сток подкл 1 очен к напряжениюпитания. Инвертор 3 содержит нормальнозакрыть 1 й инвертирующнй ПТШ, затвор которого является входом, исток подключен кобщей И 1 ине, а сток является выходом иподкл 1 очен и обьединенным электродам затвора и истока нагрузочного нормально открыгого ПТ 111, сток которого подключен кнапряжению питания.Величина опорного напряжения Ыол навыходе инвертора 3 автоматически устанавливается такой, чтобы обеспечить протекание тока считывания 1 оч в пеги истока ПТШнагрузочпого элемента 2, наг:ряжение затвористок которого составляет 1,= .), -1 оч,Если транзисторы инвертора 3 (инвертирующий и нагрузочный), работающие в пологой области вольтамперной...

Номер патента: 1483628

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Золотаревский, Покровский

МПК: H03K 19/092

Метки: кмдп, согласования, транзисторах, уровней

...при этом на затворетранзистора 5 устанавливается напряжение, меньшее напряжения питанияна величину порогового напряжениятранзистора 6, транзистор 5 закрытлибо очень большое сопротивление(в зависимости от соотношения пороговых напряжений транзисторов 5 и 6),и"канальный транзистор выходного инвертора закрыти ток от источникапитания практически не потребляется.При переходе входного напряженияот высокого уровня к низкому транзистор 4 закрывается, транзистор 51, Устройство согласования уровней напряжения на КМДП-транзисторах, 40 содержащее выходнои инверторф включенный между шиной питания и общейшиной, выход которого соединен с выходной шиной, первый и-канальныйтранзистор, затвор которого соединен с входной шиной, исток - с общейшиной, а...

Номер патента: 1492452

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Габсалямов, Малютина, Мозгирев, Шейдин

МПК: H03K 3/286, H03K 3/353

Метки: взаимодополняющих, входом, мдп, счетным, транзисторах, триггер

...соогветствующего "Лог.1", транзисторы 6 и 9 огкрываюгся, а транзистор 11 закрываегся.На затворе транзис гора 5 сохраняется сигнал "Лог, 1" эа счет емкостей собственной цепи затвора и цепи пигания транзисторов 12 и 13. Выход инвертора 14 через огкрытые транзисторы 5 и 6 подключается к общей шине 1 б,и начинается переключение триггера.Закрытый транзистор 11 препятствует записи единичной информации в цепи питания транзистора 13 и в цепи затвора транзистора 8 до окончания переходных процессов переключения триггера и до установления на входной шине 18 уровня сигнала, соответствующего иЛог. О, После этого транзисторы 6 и 9, 12 и 10 закрывают" ся, а транзисторы 7, 13 и 11 открываются в соответствии с сигналами на выходах инверторов 14 и 15 и...

Номер патента: 1506543

Опубликовано: 07.09.1989

Автор: Ручин

МПК: H03K 17/687, H03K 19/094

Метки: кмдп, преобразования, сигналов, транзисторах, уровней

...20 устанавливается напряжение, совпадающее с напряжением на шине 22 питанияЗакрывается транзистор 7, открывается транзистор 16, В узле, образованном стоками транзисторов 7, 16, устанавливается уровень напряжения, совпадающий с напряжением на шине 23. Этот уровень напряжения открывает транзисторы 4, 2, 8 и закрывает транзисторы 13, 18, 11. Через открытьп транзистор 2 в узле, обра - зованном стоками транзисторов 1, 17, 2 и затвором транзистора 3, устанавливается исходный уровень напряжения, совпадающий с напряжением на шине 22 питания, который закрывает транзистор 3Уровень напряжения, установившийся в узле, образованном стоками транзисторов 3, 4, 12, 13, сохраняется благодаря открытому транзистору 4. Напряжение в узле, образованном...

Номер патента: 1534754

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Зуб, Прокофьев, Сидоренко, Сирота

МПК: H03K 19/003

Метки: мдп, стабилизированного, транзисторах, формирователь

...1-4На истоке транзистора 4 устанавливается напряжение, близкое по вели" чине к напряжению источника питания, Это напряжение подается на затвор 45 транзистора 1, Последний при этом имеет низкое сопротивление, и на его стоке, а значит, и на выходной шине 7 устанавливается напряжение, близкое к потенциалу общей шины, 50Если же на шину 6 подано напряжение "Лог,1", транзистор 2 открывается. По цепи транзисторов 1-4 протекает ток, создающий падение напряжения на этих транзисторах в зависимости от величины их сопротивлений, Выходное напряжение формирователя равно падению напряжения на транзисторе 1Его величина задается делителем 5 напряжения, Величина выходного напряженияформирователя отличается от напряжения на выходе 12 делителя лишь...

Номер патента: 1539994

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Газарян, Лементуев

МПК: H03K 19/094

Метки: выходное, кмдп, состояниями, транзисторах, тремя

...заряжаться от шины 10 питания, и на выходе 8 устройства Формируется сигнал "1". 6На первом этапе переключения бла" годаря наличию элемента 13 задержки сигналы на входах 15 и 17 стробируемого блока 16 сравнения не успевают измениться, что обеспечивает начало сраЬатывания логических элементов И-НЕ 5 и ИЛИ-НЕ 4. Величина задержки элемента 13 задержки выбирается примерно равной времени Формирования сигнала на выходе 8 устройства на заданном уровне напряжения, например на уровне порогового напряжения транзисторов. В дальнейшем сигналы на входах 15 и 17 стробируемого блока сравнения изменяются синфазно, что гарантирует завершение процесса переключения,При наличии единичных сигналов на этих входах состояние строЬируемого блока 16 сравнения не...

Номер патента: 1561201

Опубликовано: 30.04.1990

Авторы: Кузьменко, Сидоренко, Солод

МПК: H03K 19/08, H03K 5/01

Метки: воздействий, мдп, многоканальный, режимных, транзисторах, формирователь

...на их выходах будут Формироваться сигналы в соответствии с сигналами на входных шинах.Низкий уровень на управляющем входе переключателя 12 Фаз соответствует формированию на его первом выходе сигнала, противофазного входному, а во втором - синфазного Та ким образом, во время о " 1 на вторых выходах переключателей. 12 Фаз будут формироваться сигналы, синФазные с сигналами на входных шинах, а на первых - противофазные. Следовательно, и на шинах выходных сиг" валов будут Формироваться сигналы, синфазные с входными сигналами, но с некоторой задержкой, вызванной задержкой сигнала на Функциональных узлах.Так как, во время- 1 и С - С- на шину 24 счетных импульсов поступают импульсы, на. шине 26 разрешения . счета есть разрешающий сигнал и на...

Номер патента: 1622925

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Берг, Габсалямов, Шейдин

МПК: H03K 3/353

Метки: взаимодополняющих, входом, мдп, счетным, транзисторах, триггер

...э транзисторы 13 и 14 закрываются, на затворе транзисгарэ 5 сохраняется сигнал "Лог. 1" за счет емкостей собственной цепи затвора и стока транзистора 11,Выход инвертора 18 через открытые гранзистары 5 и 6 подключается к общей шине 20 и эчинэется переключение триггера, На выходе лнвертора 18, входе инвертора 19 и нэ за гворах транзисторов 10, 12 и 16 устанавливается сигнал "Лаг, 0". На выходе инвертара 19, входе инвертора 18 и на затворах транзисторов 7, 11 и 15 устанавливается сигнал "Лог. 1". Трзнзисторы 4, 10, 16,1 и 11 закрываются, а транзисторы 2, 7, 15, 3 и 12 огкрьваются.Емкость истока транзистора 11 разряжается через открытые транзисторы 15 и 17 на общую шину 20, Затвор транзистора 5 срез открытый транзистор 7 подключается к...

Номер патента: 1676065

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Иванисов, Попов, Рыжов

МПК: H03F 3/16

Метки: кмоп, операционный, транзисторах, усилитель

...достигнуто за счет уменьшения постоянных времени во внутренних узлах данного канала и в первую очередь в узле подключения затвора транзистора 6, Постоянная времени в данном узле определяется произведением величины паразитной емкости в данном узле на выходное сопротивление второго дифференциального каскада вспомогательного канала. Соединение затвора и стока третьего нагрузочного транзистора 9 переводит данный транзистор в диодный режим. При этом выходное сопротивление второго дифференциального каскада вспомогательного канала падает с десятков МОм до десятков кОм. Расчеты показывают, что частота доминирующего полюса при этом определяется крутизной третьего 3 и четвертого 4 транзисторов и емкостью нагрузки,Таким образом, вспомогательный...