Патенты с меткой «транзисторах»

Номер патента: 1697118

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Гусева, Сидоренко, Стиканов

МПК: G11C 7/00

Метки: информации, памяти, полевых, сигналов, считывания, транзисторах, формирователь, элементов

...информации пороговое напряжение опорного транзистора 4 становится отрицательным.Подбором геометрических размеров транзисторов 2 и 4 добиваются того, что в этом случае потенциал в узле А становится ниже потенциала запирания транзистора 8 и выход 11 начинает заряжаться от шины 9 пИтания через транзисторы 1,5, причем размером транзистора 5 регулируется ток (постоянная времени заряда выхода 11). С повышением напряжения на выходе 11, а следовательно и на истоке транзистора 4 пороговое напряжение. последнего возрастает и при достижении определенной величины становится равным нулю, Транзистор 4 (опорный элемент памяти) закрываетсяа потенциал в узле А становится равным напряжению питания, что достаточно для запирания транзистора 3,В...

Номер патента: 1742993

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Никулина, Сильченков

МПК: H03K 19/094

Метки: затвором, испл-типа, логический, полевых, транзисторах, шотки, элемент

...соответственно, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с. целью повышения быстродействия логического элемента; в него введены два резистора, причем затворы транзисторов соединены со стоком третьего транзистора, исток и затвор которогоподключены к отрицательной шине источника питания, к которой подсоединены иистоки шестого и седьмого транзисторов, 5стоки первого и второго транзисторов под-.ключены к затворам четвертого и пятоготранзисторов соответственно, а через резисторы нагрузки токового ключа соответственно соединены с общей шиной, к которойподключены стоки четвертого и пятого транзисторов, истоки четвертого и пятого транзисторов через первый и четвертый диодысдвига уровня соединены с выходными ши.нами логического элемента и...

Номер патента: 1817218

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Патлахов, Чеботарев

МПК: H02M 7/5395

Метки: входным, выходное, выходным, демодулятором, заданной, инвертором, мостовым, напряжение, однофазное, переменное, постоянного, преобразователем, тиристорах, транзисторах, формы

...транзисторы одного полумоста инвертора, переключают на транзисторы другогополумоста и наоборот, что позволяет, в частности, исключить замагничивание ВКтрансформатора 2 (вследствие пропуска импульса Овх в конце периода опорного сигнала).Импульсы. управления тиристорами выходного мостового демодулятора 3 подают5 одновременно на оба тиристора, включенных встречно-параллельно в каждое плечо.Органиэация однополярной ШИМ с регулированием положения переднего фронта импульсов и реверс полярности выходного10 напряжения взаимным переключением импульсов управления с транзисторов Одногополумоста инвертора 1 на транзисторы другого полумоста этого инвертора обеспечивают возможность упростить форму15 импульсов управления демодулятором...

Номер патента: 1530058

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Адамов, Кравченко, Соляков, Хлыбов, Щетинин

МПК: H03K 19/094

Метки: логический, полевых, транзисторах, элемент

ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ с каналами одного типа проводимости, содержащий источник тока на нагрузочном транзисторе, исток которого соединен с затвором и шиной отрицательного напряжения питания, и последовательно включенные между шинами положительного и отрицательного напряжений питания переключающий транзистор, затвор которого соединен с входом логического элемента, а сток - с шиной положительного напряжения питания, и диоды сдвига уровня выходного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и коэффициента усиления по напряжению, введены первый дополнительный транзистор, включенный между диодами сдвига уровня и стоком нагрузочного транзистора, и второй дополнительный транзистор, сток которого...

Номер патента: 1530059

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Адамов, Кравченко, Соляков, Хлыбов, Щетинин

МПК: H03K 19/094

Метки: логический, нормально, открытых, полевых, транзисторах, элемент

ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ с барьерным переходом, состоящий из входного инвертора, содержащего включенные последовательно между общей шиной и шиной положительного напряжения питания первый переключающий транзистор, затвор которого соединен с входом логического элемента, и первый нагрузочный транзистор, и выходного истокового повторителя, содержащего включенные последовательно между шинами положительного и отрицательного напряжений питания второй переключающий транзистор, затвор которого соединен со стоком первого переключающего транзистора, диоды сдвига уровня выходного сигнала и второй нагрузочный транзистор, сток которого соединен с выходом логического элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 1538830

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Лукасевич, Манжа, Соловьева, Шевченко

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, транзисторах

Способ изготовления ИС на биполярных транзисторах, включающий формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости высоколегированных областей второго типа проводимости под скрытый слой, наращивание эпитаксиального слоя второго типа проводимости, создание охранных областей первого типа проводимости под области изоляции, формирование областей изоляции и глубокого коллектора, осаждение на поверхность эпитаксиального слоя первой пленки поликремния, ее локальное прокисление вне базовых областей транзисторов, ее легирование примесью первого типа, формирование первой диэлектрической пленки, вскрытие в ней окон под эмиттерные области транзисторов, вытравливание во вскрытых окнах первой пленки поликремния, формирование пристеночных...