Кабыченков

Номер патента: 1622955

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Кабыченков, Шавров, Шевченко

МПК: H04R 15/00

Метки: излучения, параметрами, электромагнитного

...получать ДС различного профиля. Например рля малых амплитуд изменение намагиичеыыости будет близким к синусоидальному. Дифракция ЭМИ на такой.ДС дает только два боковых максимума н подавляет нулевой максимум,Ф что увеличивает эффективность управления параметрами ЭМИ, При возбуждениив магнетике поперечной волны такжеобразуется ДС Намагниченность в данном случае будет отклоняться от направления распространения волны впротивоположные стороны на соседнихполовинах длины упругой волны, С ростом амплитуды волны угол отклонениябудет увеличиваться, стремясь к предельному значению Т/4,Возбуждение в магнетике поверхностной волны приводит к образованию поверхностной ДС, Дифракция ЭМИ на поверхностной ДС происходит так же, каки на объемной,....

Номер патента: 1418830

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Кабыченков, Шавров

МПК: H01P 1/215, H01P 9/00

Метки: волнах, спиновых, частотно-селективное

...полеформы ферромагнитного элемента 1, днеоб)ходимый градиент внутреннего поля создается неоднородной магнитнойанизотропией. 11 мецо в этом случаепонерхность, образованная мнжстномточек поворота, будет плоск)Й, д изЛУЧЕННЫЕ В НаС 1 РДВЛЕНИИ НЫХОДНОГОпреобразователя спиноные волньс - ко 35 О ЭЛЕМЕНта, ПРИЧЕМ МОДУЛ 1 ГРа - Ккоцстантьс мдгитцой днишс удовлетворяет соо гспсе)с)по цитног диента э о троп ч1 б)1/, ,с 40 где 1,цамдгичс ссн с т асьп сеця;ДЛИ)Са ЗЛЕКтРОМДГцт)Й СОЛ -герентными. цьс;требуемый ко ффссссиет ре - обрдэов дццч зсссктр)";д 1 итНО Й ВО С 1 Ы ЦПсЦ) СЭ ч Р) . Гостянитель Н.СавченкоТехред Л.Олийцьск Корректор Н. Е рос 1 Редактор Н,Гуссько Заказ 4163/52 Тираж б 32 11)дни.оеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам...

Номер патента: 1095115

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Веденеев, Ждан, Кабыченков, Сульженко, Шафран

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп, параметров, пограничных, состояний, транзисторах

...при определении спектра"мелких" ПС, а именно низкое энерге- ,тическое разрешение дЕ и большаяпогрешность при определении плотнос-,ти мелких" ПС, М (Е).Цель изобретения - увеличениечувствительности способа.Указанная цель достигается тем, что согласно способу определения параметров пограничных состояний в МДП- транзисторах, включающему охлаждение транзистора, измерение зависимости тока стока транзистора от напряжения смещения нри фиксированном значении напряжения исток-сток и определение спектра пограничных состояний расчетным путем, транзистор охлаждают до температуры ТдЕ/4 К, одновременно с измерением зависимости тока стока от напряжения смещения измеряют зависимость скорости возрастания тока стока от этого напряжения,...

Номер патента: 956713

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Кабыченков, Каганович, Моносов

МПК: G03G 5/00

Метки: записи, изображений, тепловой

...выделение тепла при данной неизменной интенсивности записываемого сигнала. Это дает возможность уменьшить время за95 б 71 Формула изобретения-С Аксеновс КоПотета СССРкрытийнаб., д.л. Гроектн Составитель В. Техред А. Бойка Тираж 488 ственного коми бретений и от- 35, Раушская г. Ужгород, уектор О. Билисное Редактор Н. ШвыдЗаказ 6542/13ВНИИи113035,Филиал ПП И Государ делам из Москва, Ж П Патент/5 я,писи, а следовательно, и растекание тепла, что приводит к увеличению чувствительности, разрешающей способности к передаче полутонов и пороговой чувствительности.Гетерогенную смесь можно облучать однородным излучением со стороны гетероген ной смеси, Излучение от записываемого объекта преобразуется фотопроводником в тепло и производит изменение...