Патенты с меткой «транзисторах»

Страница 4

Усилитель-формирователь на металло= диэлектрических полупроводниковых транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 531284

Опубликовано: 05.10.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: диэлектрических, металло, полупроводниковых, транзисторах, усилитель-формирователь

...равный Е О,питгде О о - пороговое напряжение МДП-транзисторов.С приходом отрицательного перепада на вход усилителя-формирователя в точке 22 устанавливается потенциал, равный О вх+ + Е - О о, который превышает уровеньпитЕ пит,Транзисторы 5, 10, 14 и 18 открываются, и в точке 21 и выходах всех двухтактных усилителейформирователей устанавливаются потенциалы, близкие к нулю, при этом верхние транзисторы двухтактных усилителей закрыты и ток не проводят.Накопительный конденсатор 8 и смещаюшие конденсаторы 11 и 15 заряжаются через открыте пары транзисторов 3 и 14, 12 и 10, 16 и 14, Так как напряжение в точке 22 превышает Е, то в точках 20,пит24 и 26 устанавливаются потенциалы, оавные Е , Конденсатор 2 также зарядитсяпитчерез...

Трехфазный мостовой инвертор на транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 546072

Опубликовано: 05.02.1977

Автор: Мыцык

МПК: H02M 7/53

Метки: инвертор, мостовой, транзисторах, трехфазный

...разницей, что его нулевая точка 23 под- Ьключена к "-" шине питания инвертора, трехфазный задающий генератор несущий частоты(ТЗГ)гх выполненный по схеме пересчетногокольца на трансформаторах 24 - 27. Выходные обмотки ТЗГУл ЯвлиютсЯ входными дли хОпреобразователей ПЧл и ПЧ2Сущность работы инвертора поясняетсявременными диаграммами на фиг. 2 - гдепоказаны: а) форма напряжения на обмоткахтрансформатора 1 7,о, в, г -хтторма напряжения на обмотках трансформаторов 5, 261 2 7 ОООтаетствехито1подаваемая на входы транзисторов 1 2 34и-1 нн хт1 1 14, 6 - инвертсра соответственно 20ШсЗ 1 ОрМ В, 1; ГС г"ОГО ф. ЗХХОГО Наттг 1 ЯХХХЕХХХХЯинвертсра при соединении негр:.руси в -Везду( При УГЛЕ рЕХ ЧХХироваХХХХЯ НацгОЯж-:1 ИЯ СХ О ),г,б 1 тх ст хгои...

Выходное устройство на мдп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 547970

Опубликовано: 25.02.1977

Авторы: Копытов, Прокофьев, Сидоренко, Сирота, Таякин

МПК: H03K 17/60

Метки: выходное, мдп, транзисторах

...одного случая, аименно при лог,О", на входе вгэрогэ пэвР/ l35тэрителя, который при этом шуцгированвыходным сопрэгивлецием ицвергэра 8,При флог,1" на входе устройства конденсатор 4 и еыкэсть затворов гранзистэ 40ров 3 и 9 заряжены, конденсатор 7 и емкость затвэра транзистора 6 разряжены через выходное сопротивление инвергэра 8,гак как ца его выходе устанавливается"лог. Оф, В э врем я фазы Ф 2 транзистор 6закрыт, а грацзистэр 3 эткрыт. Импульсыф 2 не проходят на затвор трацзистэра 11парафазного каскада и трацзистор 11 эсгается закрытым,Транзистор 12 открывается и обеспечи-ваег разряд емкостей затворов транзисторов10 и 2, транзисторы 10 и 2 закрываются,За счет гогэ, что разряд конденсатора 4во время фазы ф 2 незначителен напряжение...

Автоколебательный мультивибратор на дополняющих мдп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 554612

Опубликовано: 15.04.1977

Авторы: Берзин, Якимаха

МПК: H03K 3/281

Метки: автоколебательный, дополняющих, мдп, мультивибратор, транзисторах

...приложенного к затвору транзистора 4, то в момент переброса в другое квазистационарное состояние потенциал затвора транзистора 4 скачкообразно повышается до уровня, равного сумме напряжений источника питания на клемме 1 и порогового напряжения транзистора 4,Высокий потенциал затвора транзистора 9 обеспечивает его надежное отпирание и малое внутреннее сопротивление, что создает возможность быстрого разряда конденсатора 7, который разряжается по следующей цепи: клемма 1 источника питания, малое внутреннее сопротивление открытого транзистора 5, конденсатор 7, малое внутреннее сопротивление транзистора 9, клемма 2 источника питания. Разряд конденсатора 7 прекращается, когда потенциал затвора транзистора 4 понижается до уровня порога...

Кварцевый генератор на транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 557466

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Иванченко, Плонский, Теаро

МПК: H03B 5/32

Метки: генератор, кварцевый, транзисторах

...кад, выполненный по схеме общая торе 1, и эмиттерный повторитель тиежду эмиттерами транзисторов 1, положительной обратной связи, вь емкостного делителя на конденсато длинную линию 5 с подсоединеннь концу кварцевым резонатором 6. К557466 орректор А, Власен Составитель Г. ТепловаТехред И. Асталош елактор Г. Петров каз 869 63 Тираж 1065 Государственногопо делам изоб 13035, Москва, )К -Подписи ни ов НИИ комитета Совета Ми стрретений и открытий35, Раушская наб., д. 4 Филиал ППП" Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 ного делителя подключен второй конец длинной линии 5, при этом длина отрезка ее выбрана кратной четверть длины волны генерируемых колебаний, Конденсатор 7 разделительный.Генератор работает следующим образом, На вход эмиттерного...

Одновибратор на полевых транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 588619

Опубликовано: 15.01.1978

Авторы: Высочина, Солод, Яровой

МПК: H03K 3/281

Метки: одновибратор, полевых, транзисторах

...точке г - отрицательный. Тогда транзистор8 закрывается, а транзистор 10 открывается,Время заряда конденсатора 14 через транзистор 7 намного больше времени его разрядачерез открытый транзистор 10, поэтому изменение потенциала в точке б до нуля черезконденсатор 14 передается в точку а, и в мо 10 мент разряда в ней устанавливается небольшой положительный потенциал, равный падению напряжения на прямосмещенном р - п-переходе стоков транзисторов 15, 8 - подложке.По окончании переключения конденсатор 1415 заряжается через времязадающий транзистор7 и открытый транзистор 10.В момент достижения потенциала в точке авеличины порогового значения транзистор 6начинает открываться, потенциал в точке г20 понижается, что вызывает повышение потенциала в...

Устройство выборки для запоминающих устройств на мдп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 591960

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Копытов, Прокофьев, Сирота, Таякин

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063, G11C 7/00 ...

Метки: выборки, запоминающих, мдп, транзисторах, устройств

...в зто время низкий уровеньнапряжения. После окончания действиятактового импульса на шине 41 и доначала действия тактового импульсана шине 42 переключаемый конденсатор 409 разряжается через транзистор 7. Вовремя действия тактового импульса нашине 42 тактовый импульс передаетсяна выход блока возбуждения 1 черезоткрытый транзистор 3, и на выходе 45блока возбуждения 5 остается низкийуровень напряжения,Если во время действия тактовогоимпульса на шине 41 тактовых импульсов на адресном вх де 37 устанавливаЯ)ется низкий уровень напряжения, конденсатор 4 разряжается. Во время действия тактовых импульсов на шине 42тактовых импульсов на выходе блокавозбуждения 1 остается низкий уровеньнапряжения, а на выход блока 5 черезоткрытыи транзистор 8...

Выпрямитель на транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 598200

Опубликовано: 15.03.1978

Автор: Веденеев

МПК: H02M 7/217

Метки: выпрямитель, транзисторах

...подается не 2 ц , а напряжение, требующееся по входным характеристикам данного транзистора. Транзистор по коэффициенту усиления мощности использует ся максимально, Сопротивление открытого транзистора 3 суммируется с базовым сопротивлейием и не вносит дополнительных потерь. Эта цепь только вносит потери на базовом сопротивлении транзистора 3, которые малы,При смене полярности, соответственно, открываются транзисторы 4 и 2, а транзистор 3 закрывается, раэрыная598200 Формула йэобретения ф,тем салем цепь базы транзистора 1. Таким образом, через.транзистор 1 шунтирующего дополнительного тока не протекает.Указанная схема работает достаточб но надежно, однако, для того, чтобы исключить режим работы транзистора с оборванной базой...

Полусумматор на моп-дс транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 600734

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Горячев, Мансуров

МПК: H03K 19/20

Метки: моп-дс, полусумматор, транзисторах

...транзисторов.1-1 аиболее близким к изобретеншо является полусумматор (3), содержащий элемент И - НЕ па МОП - ДС транзисторах. Однако такой полусумматор недостаточно надежен.Целью изобретения является повышение надежности. Это достигается тем, что в полусумматор дополнительно введены две логические ячейки, каждая из которых выполнена на двух МОП - ДС транзисторах, причем точка соединения стока и истока транзисторов каждой логической ячейки подключена ко входам элемента И - НЕ, объсдинснныс затворы транзисторов каждой ячейки - к истоку. транзистора и-типа другой логической ячейки и ко входу полусумматора, а стоки транзисторов 0-типа обеих логических ячеек - к шинс питания,Электрическая схема предлагаемого полу- сумматора приведена на...

Автоколебательный блокинг-генератор на транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 607330

Опубликовано: 15.05.1978

Авторы: Макаров, Макогон, Орлов

МПК: H03K 3/30

Метки: автоколебательный, блокинг-генератор, транзисторах

...кон- ЯС -филвтра в пепи питания. Средняя точка туром в цепи змиттера 2. Недостатком это- контактов реле соединена с корпусом, а норго блокинг-генервторв является вевоэмож- т мально разомкнутый контакт - с обшей точвость обеспечения условий устойчивого са соединения конденсатора 5 и индуктивмовозбуждевия при включении. 6. параллелькойности следующим апряжеиия резистор 4, сутствует до десвторе 3 , при кото- срвбвтывеБлокивг-генератор образом,После включения и конденсатор 3 эвряжв Напряжение на транзис тех пор, пока напряжеостигнет за данн ог срабатывает реле обеспечение ждения блоЭто достим блокингв пепь ис о рвэомкнуе денного реЦелью иэ словий уст инг-генер в ается тем генератореочникв пит ые контакт яется обретенияойчивого са...

Мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости

Загрузка...

Номер патента: 653735

Опубликовано: 25.03.1979

Автор: Спиричев

МПК: H03K 3/28

Метки: двух, мультивибратор, проводимости, разного, типа, транзисторах

...разного типа провэдимости по авт. св; М 400006, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения скважности и периода формируемых импульсов, в него введены транзистор, конденсатор, резистор и диод, причем коллектор транзистора, включенного по схеме с общей базой, соединен с источником тока через базо-эмиттерный переход дополнительного транзистора, коллектор которого через дополнительные резистор и диод соединен с базой транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и через дополнительный конденсатор со своим эмиттером и с кэнденсатором время- задающей цепи. 07/42 Тираж 1059 Подпис ЦНИИПИ За лиал П 1 П фПатент г, Ужгород, ул, Проектная, 4 На чертеже приведена принципиальная схема мультивибратора,Мультивибратор содержит...

Автоколебательный мультивибратор на дополняющих мдп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 677070

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Берзин, Якимаха

МПК: H03K 3/281

Метки: автоколебательный, дополняющих, мдп, мультивибратор, транзисторах

...либо с источником 20 смещения противоположной полярности напряжения. Резистор 2 подключен между затвором аналогового ключа и шиной 17 питания,Мультивибратор на дополняющих МДП- транзисторах работает следующим образом.Если переключатель 3 находится в положении Выкв, то мультивибратор работает в автоколебательном режиме с определенной частотой и скважностью, Выход 6 мультивибратора отключен от выхода 16 элемента ИЛИ в , поскольку транзистор аналогового ключа заперт низким потенциалом затвора относительно истока.Пусть в произвольный момент времени на выходе 6 мультивибратора высокий уровень напряжения (логическая 1), а на выходе 9 - низкий уровень (логический О). При переключении переключателя 3 в положение Вкл высокий уровень...

Компаратор на транзисторах разного типа проводимости

Загрузка...

Номер патента: 725220

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Орловский, Чуев

МПК: H03K 5/20

Метки: компаратор, проводимости, разного, типа, транзисторах

...помехоустбйчивость к воздействию разнообразных помех. В процессе работы сравниваемое напряжение П изменяется в направлении сближения. с опорным уровнем Бор . На конденсаторе 6 напряжение П возрастает, достигая в мо 15 20 25 мент 1 опорного уровня ППри этом траиэистор 1 переходит в активный режим работы и отпирается диод 3; транзистор 2 и диод 4 все еще остаются в запертом состоянии, При выборе .достаточно малым сопротивления резистора 7 и большим сопротивления 5 источник . смещения Е в принципе может и отсутствовать. После отпирания транзистора 1 и диода 3 помехоустойчивость компаратора к изменениям электрического режима работы транзисторов остается на достаточно высоком уровне. Так изменения напряжения источника 40 питания Еп меняют...

Усилитель на каскодно соединенных полевых транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 731555

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Ковтун, Осипов

МПК: H03F 3/42

Метки: каскодно, полевых, соединенных, транзисторах, усилитель

...доцолцительцого трацзистора ключен к источнику цитации. На чертежо приведена схема стабцлио/жср схссмссэ ссэрдоКаСКадцо СОЕдИ ого усилителя. еодегэжит соусов са траОссторс ключеццые касксцсссо, нагрузку овасц Схем э ИогэеотСС Тсэщая усилитель с О П 11 С А И К Е 731555И ЗОБРЕТЕ,К 14 Р3 73155543, поцолннтел ко вкаоченныо нолевой Пионозоц 1 жгулкроцання нон 1 нженнк оаротронзистор 4 и резистор Е 06 нуо шну деляется величиной нонркжения Отсекн6, изину 7 вя цодключення источникатранзистора 2.нктоння отрицательной полярности в слу Е результате происходит стабнлизочле тронзистороп с конпом р тио, клем-ыия коэффициента усиления устройствому 8 для нодочн входного сигнала, И появляется возможность каскадного совредлогоемоП схема к, точке 8...

Инвертор на полевых транзисторах с управляющим переходом

Загрузка...

Номер патента: 741473

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Кильметов, Краснопольский, Механцев, Переверзев, Сухоруков

МПК: H03K 19/40

Метки: инвертор, переходом, полевых, транзисторах, управляющим

...принципиальная схема инвертора, в котором четыре полевых транзистора 1 - 4 с управляющим переходом и с чередующимися типами проводимости каналов попарно образуютпервый А-транзистор 5, включенныймежду выходной шиной 6 и общей шиной 7 и второй Х -транзистор 8 дополняющего типа, включенный между шинойпитания 9 и выходной шиной. Затворы транзисторов 1 и 4 подключены,квыходной шине, затвор транзистора 2 щчерез А-диод 10 в обратном включении и затвор транзистора 3 через)-диод 11 в прямом включении подключены к входной шине 12.На Фиг. 2 представлены вольтамперные характеристики А -транзисторов 5 (сплошными линиями) и 8(пунктирными линиями),Инвертор работает следующим образом.ЗОВ исходном состоянии сигнал нашину 12 не поступает, ее...

Триггер с эмиттерной связью на транзисторах разного типа проводимости

Загрузка...

Номер патента: 748812

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Гордун, Фролов

МПК: H03K 3/2893

Метки: проводимости, разного, связью, типа, транзисторах, триггер, эмиттерной

...в пряго транзистора, ре- мом направлении, то цепь положительной обгрузки, включенный ратной связи замкнута, и при выходе транпитания и коллекто зистора 1 из насыщения в схеме развиваетсястора, резистор свя 25 лавинообразный процесс обратного опрокиго подюцоченк ами дывания. Этот процесс продолжается доистора, введеньс до- момента запирания диода 4, после чегор и разделительный цепь положительной обратной связи окадополннгельного зывается разорванной, и схема возврак шине источника 50 щается в исходное состояние.ектору выходного Поскольку эмиттер транзистора 3 соетор - к точке сое- динен с шиной источника питания непосреда резистора связи с ственно, а рабочая точка атого транзисторазделительного диода перемещается в процессе работы...

Управляемый по частоте кварцевый генератор на транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 773903

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Иванченко, Самойленко

МПК: H03B 5/32

Метки: генератор, кварцевый, транзисторах, управляемый, частоте

...раз большей, чем конденсатора 6, из менением емкости конденсатора 6 можно регулировать величину Фазового компонента. При этом величина нагруженной добротности кварцевого резонатора 5 изменяется незначительно, так как определяется в этом случае в основном вели".иной входного сопротивления усилительного каскада 1 и сопротивлением конденсатора 7 для тока с частотой, равной частоте генерации. Поэтому уровень гармонического компонента при любых значениях реактивного сопротивления элемента 4 будет изменяться незначительно, При выполнении соотношения Х )Х 4, где Х 6 - сопротивление конденсатора 6 на частоте ЗО генерации; Х 4 - сопротивление элемента 4 управлейия частотой на частоте генерации, величина Фазового компонента зависит лишь от емкости...

Триггер на мдп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 790127

Опубликовано: 23.12.1980

Автор: Берлинков

МПК: H03K 3/286

Метки: мдп, транзисторах, триггер

...транзистора, а второй вход второго элемента ИЛИ-НЕ подключен к шине записи информации,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема триггераЭаказ 9058 5ного комитеений и открРаушская на Тираж 9 сударстве ам изобре ва, Ж,ПодСССРий сно 4/ 113 илиал ППП "Патент", гУжгород, ул. Проектная, 4 Устройство состоит из первого логического элемента 1 ИЛИ-НЕ, который содержит два параллельно включенных переключающих транзистора 2 и 3 н нагрузочный транзистор 4, последовательно включенный с транзисторами 2 и 3 между шиной питания 5 и общей шиной. б. Один вход и выход элемента 1 подключены, соответственно, к выходу и к одному иэ входов второго логического элемента 7 ИЛИ-НЕ, вы,.полненного аналогично первому на транзисторах 8-...

Быстродействующий преобразователь уровней напряжения на дополняющих мдп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 790330

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Герасимов, Гусаков, Кармазинский, Красильников, Трушин

МПК: H03K 19/02

Метки: быстродействующий, дополняющих, мдп, транзисторах, уровней

...поддерживается и на выходах этих элементов,н результате чего формирующие транзисторы 12 и 13 закрыты и не влияютна работу устройства в стационарном состоянии,При изменении напряжения на шине9 с логического "О" на логическую"1" переключающий транзистор 3 открывается, а транзистор 8 закрывается по истоку. В двухтактном повторителе 6 оба транзистора 7 и 8 закрыты, и напряжение на шине 10 не40 изменяется. В двухтактном инверуоре1 переключающий и нагруэочный транзисторы 3 и 2 открыты. Удельная крутизна переключающих транзисторов выбирается значительно большей по от 65 ношению к крутизнам нагрузочныхЗО транзисторов, которые необходимы тоЛЪко для удержания статистического состояния логической "1" на соответствующей выходной шине....

Логический элемент “исключающеене-или” ha мдп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 797074

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Грибов, Шафранский, Якушев

МПК: H03K 19/21

Метки: исключающеене-или, логический, мдп, транзисторах, элемент

...тора р-типа подключен к выходнойшине, а исток - к выходу инвертора.На чертеже представлена электрическая принципиальная схема логического элемента "Исключающее НЕ-ИЛИ"на МДП-транзисторах.5В логическом элементе иивертор 1,выполненный на комплемеитарной паре транзисторов 2 и 3, включен между шиной питания 4 и общей виюной 5, выход инвертора 1 подключен м,затвору транзистора б р-тина двунаправленного ключа 7, а .вход - к первой входной шине 8, на которую поступает сигнал А, к затвору транзистора 9 и-типа двунаправлеийого ключа 7 и к истоку транзистора 10 д-типа, сток 15 которого подключен к выходной шине 11, на которой формируется выходной сигнал 5 , и к стокам транзисторов б и 9 двунаправленного ключа 7, а затвор - к истокам транзисторов...

Устройство записи и считывания информациидля накопителей ha мноп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 830563

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Ваняшев, Мякиньков, Тищенко

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, информациидля, мноп, накопителей, считывания, транзисторах

...источник 8 питания неучаствует, так как изолируетсяразделигельным диодом б за счет егозапирания отрицательным напряжениемзаписи Б, возникающим на выходеоткрытого формирователя 5 записи.В режиме Считывание на входдешифратора 3 адреса из блока 4 управления пэсгупает сигнал Считы:вание 1, по которому дешифратор3 адреса обеспечивает запуск соответствующего формирователя 1 считывания. При этом на вход накопителя 2 поступает импульс считывания0 , амплитуда которого задаетсясцивторым источни ком 8 питания (импульспоступает через диод б и выбранныйформирователь 1 считываниями. В данномрежиме не участвует первый источник7 питания, так как при этом формирователь 5 записи находится н закрытом состоянии,В предлагаемом устройстве каждый...

Выпрямитель на транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 877745

Опубликовано: 30.10.1981

Авторы: Драбович, Комаров, Шевченко

МПК: H02M 7/217

Метки: выпрямитель, транзисторах

...конденсатор 21.Вход датчика 16 выходного напряжения с предварительным усилителем 6 подключен к выходу выпрямителя, к 20 которому подключен также сглаживающий конденсатор 21, а выход предварительного усилителя датчика 16 соединен с базой регулирующего транзистора 17, Эмиттер транзистора 17 25 подключен к положительному выводу выпрямителя, который образован объединенными коллекторами транзисторов 1 и 2 выпрямителя, а коллектор к средней точке вспомогательной 30 обмотки 20, концы которой через включенные в прямом направлении дополнительные диоды 18 и 19 соединены с базами соответствующих транзисторов 1 и 2.Датчик 16 может быть выполнен, например, в виде схемы сравнения выходного напряжения устройства с опорным напряжением эталонного...

Усилитель мощности на транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 900406

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Гончаров, Остапенко

МПК: H03F 3/20

Метки: мощности, транзисторах, усилитель

...25Устройство работает следующим образом,Рассмотрим рабату одной диагоналиусилителя мощности (другая диагональработает аналогично). На схеме выделен один канал коммутатора на транзисторах 7, 11, 17 и резисторах 25,29, 35, 44, 52 и 55, 49, другие каналы выполнены аналогично. Параллельно нагрузке 66 подключен резис -тинный делитель из резисторов 49, 52,55, при этом соотношение резистороввыбрано так, что при достижении выходным напряжением величины несколько меньшей напряжения источника 63,начинает открываться транзистор 17 40и потенциал его коллектора возрастает, что недет к отпиранию транзистора 11 и, как следствие, к отпираниютранзистора 7. При этом потенциалколлектора транзистора 7 повышается, 4так как подключается сумма источников...

Триггер на кмоп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 921052

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Беляев, Ваградов, Смирнов, Фильцер

МПК: H03K 3/286

Метки: кмоп, транзисторах, триггер

...в диодном включенииподключены к шине 6, а выходы триггера 8 подключены соответственно,к затвору второгои третьего дополнительных МОП транзисторов 14 и 15,того же типа проводимости, истокикоторых подключены к шине 7, а стоки к затвору четвертого дополнительного МОП транзистора 16 того же типапроводимости и через пятый дополнительный МОП транзистор 17 дополняющего типа проводимости - к шине 6, 35исток транзистора 16 и затвор транзистора 17 подключен к шине 7, асток транзистора 16 - к одному извыходов триггера 1.Устройство работает следующим образом.В процессе нарастания напряженияпитания вначале открывается транзистор 17 и вследствие этого транзистор16, при этом низкий потенциал поступает на один из выходов триггера 1.По мере...

Инвертор на полевых транзисторах с управляющим переходом

Загрузка...

Номер патента: 953732

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Кильметов, Краснопольский, Механцев, Переверзев, Сухоруков

МПК: H03K 19/094

Метки: инвертор, переходом, полевых, транзисторах, управляющим

...Переверзев н А., И. СухоруксЬ3 98 твор 1 гранзистора 1 через 3 -диод 7 в обратном включении подключены к входной шине 8. У дополнительног введеннсго бипспярного транзистора 9 км- . лектор подключен к выходной шине 3, эмиттер - к общей шине 4, а база- к управляющему затвору 3 -гранзистора 1.Устройство работает следуккцим образом.В исходном состоянии сигнал на входно шине 8 отсутствует, ее потенциал равен потенциалу общей щнны 4,-диод 7 оькрыт, затвор 3 -транзистора 1 подвпочен к входу, имеющему нулевой потенциал, поэтому Я -гранзистор 1 закрыт. В то ж время 3 -транзистор 2 открыт, а 3- диод 6 закрыт, и поэтому ток через прямосмещенный переход полевого транзистора-транзистора 2 не протекает. При этом на выходной шине 3 формируеъ ся...

Устройство для стирания информации в блоках памяти на мноп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 955194

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Ваняшев, Мякиньков, Тищенко

МПК: G11C 7/20

Метки: блоках, информации, мноп, памяти, стирания, транзисторах

...объединенын являютсявходом25 запуска устройства,а выход дополнительного адресногоформирователя подключен кдругим выводам резисторов и черезключ - к шине нулевого потенциала.На чертеже представлена структур- .30, ная схема предлагаемого устройства.В его состав входят адресные формирователи 1 импульсов стирания, на- копитель 2, дешифратор 3 адреса, дополнительный адресный формирователь 4 нагрузочные элементы на резисторах 5 и ключ б, 5Устройство работает следующим образом.В режиме выборочного стирания ключ б открыт и нагрузочные резисторы 5 подключены к нулевой шине. В режиме 10 общего стирания информации внешний сигнал запуска поступает на шину 7, .объединяющий входы дополнительного ацресного формирователя 4 и ключа б, который при...

Ячейка памяти на мдп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 968854

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Иванисов, Павлов, Рыжов

МПК: G11C 11/40

Метки: мдп, памяти, транзисторах, ячейка

...напряжения. Если это усдовиенарушается, то, емкость между затвороми стоком, истоком существенно уменьшается. Таким образом, измерение напря:- жения на тактовой шине 7 будет передаваться на узловую емкость 10 толькодо тех пор, пока напряжение на тактовойшине 7 превышает напряжение на узловой .емкости 10, хотя бы на величину порогового напряжения, Поскольку в данном .случае на узловой емкости 10 запомнен40 уровень логической единицы, который незначительно отличается от уровня тактового импульса, то к емкостному делителю будет приложено небольшое изменение напряжения, равное разности между уров нями напряжения на тактовой шине 7 и уровнем логической единицы на узловой емкости 10. Это изменение напряжения вызовет изменение...

Усилитель считывания для запоминающего устройства на мдп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 989583

Опубликовано: 15.01.1983

Автор: Сафонов

МПК: G11C 7/06

Метки: запоминающего, мдп, считывания, транзисторах, усилитель, устройства

...диаграмма подачи управляющих напряжений. 15Усилитель содержит первый 1 и второй 2 нагрузоцные транзисторы, первый 3 и второйвходные транзисторы, первый 5 и второй 6 переключающие транзисторы, ключевой транзистор 7 20,Входные сигналы поступают на входы 8 и 9 усилителя из элемента 10 .памяти и опорного элемента 11. Управляющие напряжения О 1 и 1 подаются соответственно на затворы транзисто- р 5 ров 7 и 5. Усилитель считывания для запоминающего устройства на ИДП-транзисторах,содержащий входные, нагрузочные и ключевой транзисторы, причем стоки входных транзисторов соединены с истокомключевого транзистора, сток которогоподключен к шине питания, а затворявляется первым управляющим входомусилителя, истоки первого и второговходных...

Усилитель-формирователь для оперативного запоминающего устройства на кмдп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 999104

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Баранов, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: запоминающего, кмдп, оперативного, транзисторах, усилитель-формирователь, устройства

...останется открытым, Схема сохранит(запомнит) установившееся состояниепри любых изменениях информации на 16 входе, так как состояние информацион-.ного транзистора 11 не может повлиятьна уровень логического "0" на первомвыходе 5, соединенном с открытымтретьим транзистором 3;При подаче на информационный вход .13 логического ."0" инФормационныйтранзистор 14 закроется или подза"кроется в случае подачи на вход 13уровня логического "0", величина ко торого близка к порогу переключенияусилителя), Вэтом случае ток, протекающий через второй .транзистор 16обратной связи. и опорныйтранзистор17 (правое плечо усилитля) будетбольше и первый второй третий ичетвертый 1, 2,. 3 и.4 транзисторыустановятсяв состояние, когда навтором выходе 6 будет логический...

Устройство для моделирования динамических процессов на кмдп транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 999163

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Кармазинский, Смирнов

МПК: H03K 19/00

Метки: динамических, кмдп, моделирования, процессов, транзисторах

...16 включен параллельно второму цополнительному транзистору, а второй аополнительнительный конценсатор - параллельно третьему дополнительному транзисгору.На фиг, 1 представлена электрическая 1 принципиальная схема устройства.Затворы транзистора 1-типа и транзистора 2 И -типа поцключены к вхоау 3, стокитранзисторов 1 и 2 поаключены к выхоцу устройства 4, первый аополни тельный транзистор Р -типа 5 и второй цополнительный транзистор И -типа 6 послеаовагельно включены межцу шиной питания 7 и общей шиной 8, третий цополнительный транзистор-типа 9 и четвертый аополнигельный транзистор И типа 10 также послеаовательно включены межцу шинами 7 и 8, стоки транзисторов Б и 6 подключены к истоку транзистора2, а стоки транзисторов 9 и 10 -...