Патенты с меткой «транзисторах»

Номер патента: 357662

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Антонов

МПК: H03F 1/00

Метки: непосредственными, связями, транзисторах, усилителя

...и Устройство контрол сторах с,непооредстве ненного по схеме с об жалящее электромагнитн тем, что, с целью повь мотка упомянутого ре эмиттером транзисто усилителя и средним делителя, включенног точяика питания, Известны устройства контроля усилителей с непосредственными связями, содержащие двухобмоточное электромагнитное реле.В таких устройствах имеет место постоянное потребление тока от выходного каскада усилителя, приводящее в двухтактных каскадах к появлению несимметрии; кроме того, известные устройства требуют использования двухобмоточных реле,В предлагаемом устройстве, с целью повышения надежности, катушка однообмоточного реле включена в диагональ моста, образованного транзисторами и резисторами усилителя и двумя...

Номер патента: 359739

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Артым, Ленинградский

МПК: H03F 3/217

Метки: переключений, режиме, транзисторах, усилитель

...низкочастотного сигнала.На фиг. 1 изображена схема усилителя; на фиг,2 - вариант схемы усилителя на транзисторах типа и - р - и.Усилитель содержит два идентичных усилителя класса Д однополярного сигнала, собранных на высокочастотных транзисторах 1 и 2, имеющих общую нагрузку 3, и два низкочастотных транзистора 4 и 5. К коллектору транзистора 1 через дроссель 6 фильтра высокой частоты присоединен один конец нагрузки 3,шунтированной конденсатором 7, Другои конец нагрузки через транзистор б соединен с одним электродом источника 8 питания, другойэлектрод которого соединен с эмиттером тран 5 зистора 1. Коллектор транзистора 1 через диод9 связан с источником 8.Эмиттер транзистора 2 соединен с эмиттеромтранзистора 1, коллектор через диод...

Номер патента: 359743

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Михайлов

МПК: H03F 3/26

Метки: двухтактный, каскад, транзисторах, усилительный

...из переменного резистора 9 и диода 10. Кроме того, каскад имеет резисторы 11 - 14. Цепочка из резисто КАД НА ТРАНЗИСТОРА ра 7 и диода 8 включена между базой транзистора 2 одного плеча усилителя и входной клеммой 15 источника входного сигнала другого плеча; цепочка из резистора 9 и диода 10 включена между базой транзистора 1 второго плеча усилителя и входной клеммой 1 б источника входного сигнала первого плеча. Точка соедицепия резистора 7 и диода 8 подключена непосредственно к эмиттеру транзистора 1, а точка соединения резистора 9 и диода 10 подключена непосредственно к эмиттеру транзистора 2.Резисторы 7 и 9 спарецы.Работает усилительный каскад следующим образом.Постоянные положительные напряжения У, и Ь, от источников входных сиало...

Номер патента: 387436

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Хавкин

МПК: G11C 11/40, G11C 17/00

Метки: запоминающее, мдп, постоянное, транзисторах

...чертеже представлена схема предла мого постоянного запоминающего устройс на МДП транзисторах.Она содержит МДП транзисторы 1 и 2, включенные в диагональ матрицы ПЗУ, затвор 3 транзистора 1, соединенный с шиной У, сток 4 транзистора 1, соединенный с шиной Х, исток 5 транзистора 1, соединенный с истоком 6 гранзистора 2; сток 7 и затвор 8 (соответср ,венно) транзистора 2, соединенные вместе и одновременно с шиной считывания.Во вновь изготовленных матрицах во всем 5 массиве записан О. Для записи информациимодуль ПЗУ подсоединяется всеми своими внешними контактами к устройству записи, например устройству считывания с перфокарты или перфолсн, тумблер ному пульту 10 И т. п. ЕсЛи с помощью такого устройства присоединить одну из шин У к...

Номер патента: 387502

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Андреев

МПК: H03K 3/281

Метки: мдп, мультивибратор, транзисторах

...определяется удельной крутизной нагрузочного транзистора 8 (или 4) и емкостью конденсатора 5 (или б). Стабильность напряжения на стоке закрытого транзистора 1 (или 2) определяется отношением величин удельной крутизны транзисторов 8 и 8 (или 4 и 7) и напряжением на затворе транзистора 7 (или 8), т, е. отношением величин удсльпои к 1)утизны транзисторов 9 и 10. Длительность квазиустойчиво го состояния определяется эффективным значением емкости конденсатора 5 (или б), удельной крутизной транзистора 8 (или 7) и напряжением на затворе последнего.Рассмотрим работу мультивибратора с момента, когда транзистор 1 только что открыт, а транзистор 2 только что закрыт. Конденсатор 5 заряжен, конденсатор б имеет разность387502 Составитель Ю. Еркин...

Номер патента: 362445

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Анпилов

МПК: H03F 1/04, H03K 5/13

Метки: импульсный, транзисторах, усилитель

...3 закрывается, так как на его базу25 поступает положительный потенциал с точки15 делителя через открытый переход эмиттерколлектор транзистора 2. Транзисторы 4 и 5открываются и через нагрузки 12 и 13 протекает рабочий ток от источника коллекторного30 питания,На чертеже изображена схем усилителя.Усилитель содержит входной кад на полевом транзисторе 1, кады на транзисторах 2 и 3 и кады на транзисторах 4 и 5, Д а импульсног ключевои касключевые касвыходные каслитель смещеИзвестен усилитель, состоящий из нескольких усилительных каскадов на транзисторах с непосредственными связями, источника напряжения смещения и делителей смещения. Для запирания каждого транзистора в таком усилителе необходим отдельный делитель напряжения смещения, а...

Номер патента: 365848

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Визир, Матенков

МПК: H04B 3/38

Метки: развязывающее, транзисторах

...через резисторы и конденсатор соответственно с эмиттером первого и второго 30 транзисторов, эмиттер,второго транзистора соединен через резистор с ко.Лекторох Первого транзистора, а база второго транзистора соединеа с колле 14 тором первого.На чертеже дана схема предлагаемого устройства.Устройство содержит усилитель на транзисторах 1 и 2, К зажимам 3 и 3 подключена двусторонняя линия с входных сопротивлением Ль к зажимам 4 и 4 - исходящая линия с входным сопротивлением Ле и;к зажимам 5 и 5 - входящая линия с выходным сопротивлением ЕзЗажим 5 через резистор б и конденсатор 7 соединен с базой транзистора 1. Зажим 4 соединен через резистор 8 с эмиттером транзистора 1. К зажимам 5 - 5 подключен резистор 9. Зажим 5 через резисторы 9 и...

Номер патента: 367524

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Новиков

МПК: H03K 3/282

Метки: мультивибратор, транзисторах

...15 и конден сатора 1 б, причем резисторы 13 и 15 подключены к коллекторам транзисторов 1 и 2,Резисторы 17 и 18 являются нагрузкамитранзисторов 1 и 2.Мультивибратор работает следующим обра- О зом. При опрокидывании схемы одсторов, например транзистор 1,другой - отпирается. При этомрается, и конденсатор 3 разряжвремязадающий резистор 5, колзистор 17, источник питания иЧерез диод 9 будет протекать тконденсатора 1 б, ограничиваемы15, и напряжение на диоде 7 обеное запирание транзистора 1,367524 Предмет изобретения Составитель Ю. Еркин Редактор Т, Котельскнй Техред Л. Богданова Корректоры: С. Сатагулова и Н, СтельмахЗаказ 659/13 Изд,1156 Тираж 780 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж,...

Номер патента: 372659

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Гаевой

МПК: H03K 4/60

Метки: генератор, мостовой, пилообразного, транзисторах

...диоды запираются, и ток в 0 нагрузке прекращается до прихода следующего управлягощего импульса, благодаря чему фиксируется нулевой уровень тока нагрузки. Резистор 9 привязывает потенциал базы к потенциалу эмиттера в запертом со стоянии транзистора 2. Изобрете Известен ного тока159194.Цель и е относится к радиомостовой генераторна транзисторах п хнике. илообразавт. св. бретения - упрощен уст ои редмет изобретен М30 начаю ства.Предлагаемый генератор отличается тем, что база одного (неуправляемого) транзистора подключена через резистор к коллектору другого (управляемого) транзистора противоположной полярности.На чертеже приведена схема предлагаемого устройства,Генератор пилообразного тока представляет собой мост, плечи которого...

Номер патента: 422080

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Костюк, Мороз

МПК: H03K 3/281

Метки: биполярном, мультивибратор, полевом, транзисторах

...транзистора 1 соединен через лвс пяраллельныс испи с точкой соелипсиия резисторов 6 и 7 рсостатиого Делителя. Первая цепь состои из лоля 8 и резистора 9, втора 51 - из 20 Лиода 10 и резистора 11. Для получения исоохолимых режимов рябопя в схеме примсисиы резисторы 12 и 13. Источник исания и)лсосЛиняется к клемме 14.ложнтельной обратной связи возникает автоматическая генерация.Пусть в нскоторьш момент времени тр 21 зисторы 1 и 2 Заперт 11. ПО мере зарядя конденсатора ) через резистор 11 напряжение на затВОре транзистора 1 ПОВышяется (фРг, 3) до момента г - вхо)кдение схемы в активиуо область. При этом включается положителыая обратная связь, которая переводит схему в противоположное состояние, когда транзисторы 1 и 2 открыты....

Номер патента: 423246

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Мад, Романенко, Фонд

МПК: H03K 17/60

Метки: распределитель, транзисторах

...последовательно включенные диод 13, шунтированный резистором 14, и конденсатор 15. База транзистора 11 каждой ячейки соединена через конденсатор 16 с ка;одом диода 3, под:,люченного анодом к коллектору транзистора 2 каждой последующей ячейки. Первый каскад распределителя состоит из тех же элементов, что и ячейки, за исключением ветви моста импульсного мостового элемента и транзистора, включенного параллельно коллекторной нагрузке основного транзистора.При подаче на вход первого каскада распределителя стартового импульса отрицательной орност раЗистор с. 5 еио входит в режим насыщения, и конденсатор 5 начинает разряжаться через резистор 8, открытый диод 3 и переход коллектор - эмиттер транзистора 2 чеик10 с оносительно малой постоянной...

Номер патента: 429532

Опубликовано: 25.05.1974

Автор: Иаобрете

МПК: H03K 17/60

Метки: ключевое, полевых, транзисторах

...ггчпереходом: т 1 рггнзцстэр р-тццз 1 В /, транзистор гг-типа 2, транзистор р-тцпа 3и транзгстор и-типа 4. Шины цсточника вцтан 11 я 5 и 6 полключецы соответственно к стдс(ам крайних транзисторов, злтворы эт 1 гх же Т 1 рлнзистдров соединены вместо ц 1 эдкл 10- чены,к входной п 11 не 7. затворы средн 1 цх трлнзцстдрдв подключенысоэтветствующ;о шцнам источника питания, обес 11 ечива 1 ощцм цх закрытое состояние в статичеэком режиме, л в 1 хэдная шина 8 подключена,к эреднсй точке ключевого устройст 1 ва.Устройство работает следуюгццм образом.Прп включении питагощего наиряженця цо вел цчцце Ьо 1+ Ьо Б, = (/оз+ (/о 1/о - напряжецце отсечки поле 1 вого транзистора) и т 1 рц 25отсутспвцц входного сигнала, т, с. (, =0 транзисторы 1 ц 2...

Номер патента: 434395

Опубликовано: 30.06.1974

Автор: Темрезов

МПК: G05F 1/56

Метки: импульсные, импульсный, постоянного, проводимости,уз, различного, регулирующий, содержащие, составной, стабилизатор, стабилизаторы, типа, тока1из1вестны, транзистор, транзисторах

...делителем в цепи коллектора и резпстивцый делитель смещения составного транзистора, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности и упрощения, в стабилизатор до полнительно введены два конденсатора, одиниз которых включен между отводом рсзцстив ного делителя смещения и эмпттером состав ного транзистора, другой - ,между базой составного транзистора и отводом резистпвцого 0 делителя в цепи коллектора коммутирующеготранзистора. Известны импульсные стабилизаторы напряжения постоянного тока, содержащие составной регулирующиц транзистор па транзисторах различного типа проводимости, узел управления, коммутирующий транзистор с резистивньом делителем в цепи коллектора и резистивный делитель смещения составного...

Номер патента: 438112

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Бугрова, Соколовский

МПК: H03K 17/56

Метки: переключающая, схема, транзисторах

...что, с целью упро ЗО лампы через диодь1Изобретение относится к автоматике и предназначено для поиска неисправных ламп сигнализации в устройствах автоматики.Известны переключающие схемы на транзисторах, содержащие контрольные и сигнальные лампы, соединенные с одной из шин питания, транзисторы, коллекторы которых подключены к контрольным лампам, диоды, резисторы и контактный прерыватель.Недостаток известных устройств состоит в их сложности,Цель изобретения - упрощение переключающей схемы.Эта цель достигается тем, что сигнальные лампы через диоды, резисторы и контактный прерыватель подключены к другой шине питания, при этом место соединения сигнальных ламп и диодов через резисторы подсоединено к базам соответствующих транзисторов,...

Номер патента: 441651

Опубликовано: 30.08.1974

Автор: Семенов

МПК: H03K 4/60

Метки: генератор, мостовой, пилообразного, транзисторах

...формирователя поступает на ключевую схему 3, отпирает ее, и ток в индуктивной нагрузке начинает возрастать. При этом напряжение на коллекторе ключевого транзистора 7 равно 5 нулю.Во время прямого хода развертки дополнительные импульсы запуска нс могут изменить состояние формирователя импульсов.По окончании прямого хода развертки ток 10 в индуктивной нагрузке начинает падать, приэтом на коллекторе транзистора 7 появляется э.д.с. самоиндукции, равная напряжению источника питания. Это напряжение выше, чем напряжение стабилитрона, вследствие чего на 15 базе шунтирующего транзистора появляетсясигнал. При этом транзистор 9 отпирается и шунтирует вход формирователя, предотвращая таким образом преждевременный запуск формирователя импульсов...

Номер патента: 443484

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Громов, Игумнов, Королев

МПК: H03K 17/78

Метки: ключ, оптоэлектронный, п-р-п, транзисторах

...нап электронного ключа характ ным запиранием транзистора мый оптоэлектронный ключ основным элементом целого р схем (логические ячейки, т лена схема предлагал юча.электронного ключаи 2, фотодиодов 3 и яда пг 61) Зависимое от авт. свидетельства22) Заявлено 28.03.73 (21) 1899241/26-9 Опубликовано 15.09.74, Бюлл Дата опубликования описани Д. В. Игумнов, Н. С. Громов и Г. Изобретение относится к области радиотехники и применяется в качестве основного элемента самых разнообразных схем.Известны оптоэлектронные ключи на гг-р-г транзисторах.Однако для построения электронных ключей с хорошей помехозащищенностью и надежностью, способных качествеццо выполнять своп функции при положительных температурах, часто необходимо использовать...

Номер патента: 444306

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Деркач, Попов, Тимошенко, Фролов

МПК: H03H 7/30

Метки: аналоговой, дефицита, задержки, заряда, линии, моп, оконечное, переносом, последовательным, транзисторах

...затвор которого соединен с вы ходом дополнительного каскада задержки,Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в гребенчатых фильтрах и другой р адиоап пар атуре.Известно оконечное устройство аналоговой линии задержки на МОП-транзисторах с последовательным переносом дефицита заряда, содержащее импульсный источник питания и выходной истоковый повторитель.Цель изобретения - устранить в выходном задержанном сигнале несущей тактовой частоты и расширить полосы частот, пропускаемых через линию сигналов.Для этого в усцройстве введен дополнительный каскад задержки с последовательно включенным МО 11-транзистором, между стоком и затвором, которого подключен конденсатор. В выходном истоковом повторителе параллельно первому...

Номер патента: 448561

Опубликовано: 30.10.1974

Авторы: Власенко, Землянский, Корченко, Мальцева

МПК: H02M 7/52

Метки: транзисторах

...до нуля в точке максимума тока намагничивания (фиг. б,в), Напряжения на обмотках 8, 10 и 11, которые приложены к базам транзисторов 1, 4 и 5 соответственно, представлены на фиг, б, г, д, е, причем напряжения на обмотках 8 и 11 совпадают по знаку, и транзисторы 1 и 5 находятся в открытом состоянии. Через открытый транзистор 5 и одну половину первичной обмотки выходного трансформатора 7 протекает ток от источника питания,Напряжение на обмотке 10 противоположно по знаку напряжениям на обмотках 8 и 11. Транзистор 4 находится в закрытом состоянии. Далее в момент времени 1 ток намагничивания трансформатора 3 достигает максимума.сКс,В этой точке его производная " равна нулю, и, следовательно, становится равным нулю напряжение Ук, на обмотке 9...

Номер патента: 450230

Опубликовано: 15.11.1974

Автор: Тэнк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, мдп, транзисторах, элемент

...считывания и регенерации числовую шину 5 необходимо раз. рядить до пулевого потенциала,Режим считывания. Адрссна на записи 6 подключается к нулевому и а. Баиковеменова корректор Н. Ау едакто Подписио Тираж 591тета Согета Министров ССС1 ий и открытийская наб д, 4/5 аказ 790,2 Типография, пр. Сапунова лу, а на адресную шину считывания 7 подается высокий (по абсолютной величине) готенциал. Если в ЗЭ хранится единица (конденсатор 4 заряжен), то информационный транзистор 2 открыт, и потенциал узла 8 становится равным потенциалу адресной шинысчитывания 7. Далее через открытый транзистор 3 высокий потенциал передается начисловую шину 5, заряжая паразитную емкость 9 числовой шины, Если в ЗЭ хранился 10логический нуль (конденсатор 4 не...

Номер патента: 450311

Опубликовано: 15.11.1974

Авторы: Бочко, Мерхалев, Солод

МПК: H03F 3/26

Метки: двухтактный, полевых, транзисторах, усилитель

...быстродействие, так как перезаряд паразитных ейкоствй нагрузочных транзисторов происходит через высокое выходное сопротивление усилительных каскадов.С целью увеличения быстродействил в предлагаемою двухтактноц усилителе затвор транзистора дина, иической нагрузки каждого плеча подключен к истоку истокового повторителя другого плеча.На чертеже приведена принципиаль ная схемка предлагаемого двухтактного усилителя,Выходной каскад состоит иэ двух идентичных истоковых повторителей. Первый повторитель включает в себя управляющий транзистор 1 и динаиическую нагрузку на транзисторе 2 о второй - включает в себя управляющий транзистор 3 и динаиическую нагрузку транзистора .Ф.Затвор транзистора 1 первого повторителя соединен со входоц 5...

Номер патента: 458036

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Мальцев, Нагин, Поспелов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, интегральное, мдп, транзисторах

...1, дешифратора строк 2, дешифратора столбцов 3, ячейки матрицы накопителя 4, запоми нающего МДП-транзпстора с изменяемым пороговым напряжением 5, нагрузочного МДП-транзистора 6, активного МДП-транАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВОСТОРАХ зистора 7, шины питания 8, управляющих шин 9, МДП-транзистора 10, выходной шины ЗУ 11, выходной шины дешифратора строк 12 и выходной шины дешифратора столбцов 13.Для записи необходимого массива информации все запоминающие МДП-транзисторы 5 с изменяемым пороговым напряжением предварительно переводят в одно состояние (стирание). Для этого на шину 9 подают напряжение стирания, а шины 8 и 11 заземляют. Затем избирательно МДП-транзисторы 5 переводят в другое состояние. Для этого на шину 9 подают напряжение записи Еэ,...

Номер патента: 475727

Опубликовано: 30.06.1975

Автор: Фролов

МПК: H03K 4/50

Метки: взаимно, генератор, двух, проводимости, противоположным, типом, транзисторах, фантастронный

...па длительность и амплитуду генерируемого напряжения, обусловленных нестабильностью входной характеристики коммутирующего транзистора, значительно уменьшится, а стабильность амплитуды и длительности генерируемого напряжения возрастет.После выхода рабочей точки коммутирующего транзистора на крутой участок его входной характеристики произойдет опрокидывание схемы, коммутирующий транзистор 8 перейдет в насыщенное состояние, а времязадающий конденсатор 1 начнет зарякатися от источника питания через промежуток эмиттер - база интегрирующего транзистора 4, прямое сопротивление диода 6, промежуток эмиттер - коллектор насыщенного коммутирующего транзистора 8 и прямое сопротивление 5 диода 3. Зарядный ток времязадающего конденсатора...

Номер патента: 478361

Опубликовано: 25.07.1975

Автор: Караханьян

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическая, мдп, транзисторах, ячейка

...представляющего собой открытое плечо ячейки, приравняем выражение5 05для вольт-амперной характеристики нагруэочного транзистора 5 к выражению;1 К, (,)вх ОО 1 ОВЦ)представляющему собой вольт-амперную характеристику информационно о транзистора 1 (точка пересечения кривых а и в на фиг, 3) Е, Е 0 О нормированноеЕИ 5 гииично о зиачеияо. чил"Вых 3редмет изобрете ни я, аб Пинал еская ячейка памяти иа ЛОЕ 1-транзисторах, содержащая ифорл 1 а.иииые транзисторы с индуцированным каналол 1, соединенные НО схеме триггера, эаиолшнаюцие конденсаторы, включенные между 60 затВоромистоком каже 10 го инфорлацоигде К , К, - удельные крутизны и иорооные напряжения транзисторов 1 и 5 соот-. иетственно, Ц , О - напряжение наВЫХ ВХсОке и зВоре рсиЗисгора...

Номер патента: 482012

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Бугрименко, Шагурин

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсный, мдп, мощности, транзисторах, усилитель

...Выходной сигнал снимается с выходного электрода 13 пушпульного каскада,Схема работает следующим образом,В исходный момент на входе действует высокий уровень напряжения, Тогдатранзисторы 1, 6, 8 и 9 открыты, Напряжение на выходе вентиля близко к нулю.Напряжение на затворе зарядного транзистора 5 определяется коэффициентом передачи реостатного делителя, образованногооткрытыми транзисторами 8 и 9, параметры которых выбраны: так, что зто напряжение равно пороговому напряжению МДПтранзисторов. При этом конденсатор 7 за-ряжен до напряжения, близкого к пороговому напряжению МДП-транзисторов, а "1482012 45 Составитель Н дубровс ая"даР О.Стенина "екРед Н,Ханеева КоРРектоР А Д, ва Лака Д /3 Иад, М1 ираж 902 1 одписвое ЦНИИ 11 осударствеииого...

Номер патента: 497710

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Бочко, Мерхалев, Солод

МПК: H03F 3/26

Метки: двухтактный, полевых, транзисторах, усилитель

...транзистора 11, также включенного по схеме с общим сто ком, к истоку которого подключены затвортранзистора 2 и сток дополнительного транзистора 12. Последовательно соединенные пары транзисторов 9, 10 и 11, 12 являются истоковыми повторителями. Затворы транзисторов 15 10 и 12 объединены и подключены к источнику смещения Е Стоки транзисторов 1, 2, 9 и 11 подключены к зажиму источника питания Еистоки транзисторов, 2, 4, 10 и 12 соединены с корпусом усилителя.20 Усилитель работает следующим образом.На входные зажимы 5 и 7 подаются противофазные входные сигналы. Сигнал, поданный на одно плечо усилителя, например на входной зажим 5 плеча, образованного транзисто рами 1 и 2, вызывает появление на выходномзажиме 6 выходного сигнала с той...

Номер патента: 500588

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Беленький, Берлинков

МПК: H03K 17/16

Метки: ключ, мдп, транзисторах, электронный

...3Позицией 8 обозначена эквивалентная емкость узла затвора транзистора 3. Затьэри сток транзистэра 2 подключены к шине(вход) 10 тактовых импульсов, Позицией11 обозначен обобщенный вход ключа.Электронный ключ работает следующимобразом,овская иаб 24 Предприятие Патент), Москва, ГПри действии тактового импульса повходу 9 происходит заряд емкостной нагрузки 6 выхода 7 ключа, Одновременно действует тактовый импульс по входу 10 и через дополнительный транзистор 5 происходит заряд емкости 8. По окончании импульса по входу 9 в зависимости от того замкнута или разомкнута цепь тоанзисторов в сборке 1 происходит разряд емкостной нагрузки 6 ключа плп заряд на ней сохраняется, что, в свою очередь, опоеделяет, сохранится заояд на ем. ости 8...

Номер патента: 504302

Опубликовано: 25.02.1976

Автор: Рыбакин

МПК: H03K 17/62

Метки: распределитель, транзисторах

...коллекторе транзистора 3 присутствует высокий отрицательный потенциал, а потенциал на коллекторе транзистора 4 близок к нулю, Импульс запуска, пройдя через входную схему совпадения 1, переключает триггер 2 в единичное состояние, подготавливая диодцо-резистивную схему совпадения для прохождения тактовых импульсов. При поступлении следующего тактового импульса (фазирование по импульсам) происходит смена потенциалов на: оллекторах ключевых транзисторов в результате чего с транзистора 4 на ииод 10 подается отрицательный импульс, открывающий диодно-резистивную схему совпадения, а эмиттер первой ячейки распределителя оказывается подключенным через пеоеход коллектор-эмиттер открытого ключевого транзистора 3 к нулевой шине питания, Конденсатор 1...

Номер патента: 513478

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Лашевский, Нусинов, Свердлов

МПК: H03K 3/286

Метки: полевых, считывания, транзисторах, усилитель

...транзистораБель изобретения -ти и увеличение быстросчитывания,Поставленная цевведения двух донотранзисторов, сток й к выход и итаю Нвдвух активных и х,Ус овышение надеж вия усилителя 10 им натра ль достигается зв счетлнительных полевыхисток одного иэ котовором первого и со сто шег инеи с звтого активнь рых со ком вто ров тригге- лнительного тра нзисто ополн ругого допрв - с звтв лем и исток 1 второго нзисторов20 тра из истоом перв полево вход пкта 11 к активных трв предложенный усил и со ра фиг, 1 почитыввния тригг Наза токи ель содержит тригге узочцых 3 и 4 Усилитель считыввниктивных 1 и 2 и н в,ен Изобретение относится к вычислительнойтехнике, в частности к запоминвюшим устолевых транзисторах и ключевыэ полевые шего...

Номер патента: 525247

Опубликовано: 15.08.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, мдп, транзисторах, усилитель-формирователь

...подачи на входной вывод 1 нулевого потенциала накопительный конденсатор 10 заряжается через транзистор 9 до напряжения Епит - 0 о, где Уо - пороговое напряжение МДП-транзистора, в результате чего на верхней обкладке накопительного конденсатора 10 устанавливается потенциал Е - соС приходом на входной вывод 1 импульса открываются транзисторы 3 и 7. На правой обкладке накопительного конденсатора 8 и на выходном выводе 2 устанавливаются потенциалы, близкие к нулевому, а на верхней обкладке конденсатора 10 напряжение воз- раСТЯЕТ ДО уроВНя, раВНОГО Увх+Епит - 0 где Увх - амплитуда входных импульсов, при этом напряжение на верхней обкладке конденсатора 10 превышает напряжение питания, благодаря чему накопительный конденсатор 8 заряжается...

Номер патента: 527740

Опубликовано: 05.09.1976

Авторы: Зосимова, Чабуркина

МПК: G11C 11/40

Метки: ассоциативный, запоминающий, моп, транзисторах, элемент

...парафазно обратным кодом на разрядныешины 8, 9 так, что в случае несовпадения хранящейся на емкости и прямого кода внешней информациииз соответствующей р;.зрядной шины 8 или 9 черезодин из транзисторов 1 или 2 потечет ток в адресную шину 5, находящуюся при сравнении на уровнелогического "О;,4Состояние маскирования при сравнении получа. ется, когда на обе разрядные шины 8 и 9 подается уровень логического "0",. В результате транзисторы 1, 2 будут отключены и независимо от состояния емкостей 11 и 12 ток в адресной шине не появится, что указывает на совпадение прямого кода внешней и хранящейся в данном элементе информации.Применение предложенного элемента в ассоциативных запоминающих устройствах позволяет повысить надежность...