Патенты с меткой «комплементарных»

Номер патента: 1034031

Опубликовано: 07.08.1983

Автор: Быков

МПК: G06F 7/50

Метки: двоичный, комплементарных, мдп, одноразрядный, сумматор, транзисторах

...между, шиной питания и5 выходной шиной .трех Р-канальных тран.зисторов и трех в-канальных транзисторов, последовательно включенныхмежду выходной шиной и общей, приэтом затворы каждой пары этих тран 10 зисторов дополняющего типа подключе"ны к одной из трех входных шин, вего логическую часть формированиясуммы введены два Р-канальных транзистора, первый из которых подключенпараллельно первому и второму последовательно включенным Р-канальнымтранзисторам, а второй - параллельно второму итретьему последовательно включенным Р-канальным транзисторам, и два о -канальных транзистора, подключенных соответственнопараллельно первому и второму ивторому и третьему последойательновключенным и -канальным транзисторам,25 причем затворы...

Номер патента: 1034191

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Косоусов, Максимов, Петричкович

МПК: H03K 19/23

Метки: комплементарных, махоритарный, мдп, транзисторах, управляемый, элемент

...и 4, при этом параллельно транзистору 3 подключен третий-канальный транзистор 5.Вторая ветвь содержит последовательно включенные И -канальные чет-. вертый и пятый транзисторы б и 7 и шестой й-канальный транзистор 8, подключенный параллельно пятому транзистору 7, и включена между выНедостатком элемента являетсянизкое быстродействие, обусловленноебольшой паразитной емкостью выходной шины, образуемой стоками шестиМДП-транзисторов.Цель изобретения - повышениебыстродействия управляемого мажори-тарного элемента.Для достижения поставленной целив управляемом мажоритарном элементе 10 на комплементарных МДП-транзисторах,содержащем первую ветвь, включенную между шиной питания и выходнойшиной и состоящую из последовательно включенных первого и...

Номер патента: 1499435

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Берг, Габсалямов, Лашевский, Шейдин

МПК: H03K 3/353

Метки: комплементарных, мдп-транзисторах, тактируемый, триггер

...Поэтому напряжение на затворе транзИстора 11 близко к нулю, а напряжение на затворе транзистора 8 равно У - П , где Б,о - пороговое напряжение и-канального транзистора 15. Ток через транзисторы 8 и 9 не протекает, поскольку закрыт и-канальный транзистор 9, напряжение на затворе которого равно нулю. Через транзисторы 11 и 12 тоже не протекает ток, поскольку п-канальный транзистор 11 также закрыт.При поступлении на счетный вход 5 положительного счетного импульсас амплитудой, равной напряжению пита-) ния Б , транзистор 4 запирается, аУ / транзисторы 13. и 14 открываются, вследствие чего напряжение на выходе инвертора 1 падает до нуля, а на выходе инвертора б возрастает до П. Напряжения на выходах инверторов 2 и 7 при этом не изменяются,...

Номер патента: 1562967

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Габсалямов, Лашевский, Цветков, Шейдин

МПК: H03K 19/094

Метки: комплементарных, логический, мдп-транзисторах, состояниями, тремя, элемент

...р-типа первого инвертора открыт, а транзистор 8 и-типа закрыт, Транзистор 4 р-типа второго инвертора закрыт, а транзистор 5 п-типа открыт, транзистор 6 р-типа закрыт. На затвор транзистора 9 р-типа поступает1Лог. 1 через транзистор 7 р-типа, а на затвор транзистора О и-типа поступает "Лог. 0" от общей шины через транзистор 5 п-типа, Транзисторы 9 и 10 закрыты и на выходной шине 12 устанавливается "третье состояние" независимо от вида сигнала на информационной шине 1, Рабочее состояние элемента представляется двумя режимами: режим предзаряда и режим передачи.В режиме предзаряда на первую и вторую управляющие шины 14 и 15 подаются сигналы "Лог. 1", а на информационную шину 1 - сигнал "Лог. 0". Тогда транзисторы 2, 5 и 8 открыты,...

Номер патента: 1633480

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Иванисов, Попов, Рыжов

МПК: H03F 3/16

Метки: комплементарных, моп-транзисторах, операционный, усилитель

...выходное н дпряже цие равно напряженю нд стоке транзистора 5. Рабочая точка последнего находится в пологой области ВАХ, причем напряжение на его стоке превышает ц 1- пряжецис насыщеня сраИа кру гай и пологой областей БАХ) примерна цне:ичицу порогового напряжения, а поскольку транзисторы 5 и 6 выпалцацы ецтчцс, то напряжение на вьгходе дифференциального каскада может быть шже нашпал,нага ца величину порогового напряжения транзистора 6 без выхода ега рабочей точки в круую облась ВАХ, Проведя аналогичные рассуждения относительно транзисторов 3 и 4, маж. сделать вывод, что напряжение дифференциального каскада 1 О мажет превышать нами:льцое цд неличину порогового напряжения транзистора 4 без нхада рабочей точки последнего за границы...

Номер патента: 1640738

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Венжик, Гарицын, Сахаров

МПК: G11C 11/40

Метки: комплементарных, моп-транзисторов, основе, памяти, ячейка

...4, рассасывается через транзисторы 4 и 5 наразрядную шину 6, а напряжение в точке уменьшается. По окончании действиясигнала Лог. "1" на шине 7 ячейки,элемент 5 закрывается, а элемент 10открывается, подтверждая напряжениенизкого уровня на истоке элемента 4.При записи Лог, "1" на шину 6 по 11 Пдают напряжение Лог. 1 , на шину 7адреса - Лог. "0", По приходеЛог. "1 д на затворы элементов 5 и 10элемент 1 О закрывается, а элемент 5открывается, Выкпючение элемента 10приводит к отрыву истоковой областиэлемента 4 от общей шины 7 и такимобразом исключает возможность шунтирования высокого напряжения, приходящего с шины 6 через элемент 5 назатворы элементов 1 и 2, Несмотря нато, что элемент 5 передает с искажением напряжения Лог. "1" (Е,-Ц),это,...