Способ образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке

Дата опубликования описания 25.04.82 Т. Г. Баряхтар, Ю. А. Кузин, Г. Н. Ман нин,А. М. Редченко и Е. ф. Ходосов.1ч Донецкий физико-технический инстит)ут АН Украинской СС Р аз(54) СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ МАГНИТНОЙ СТРУКТУРЫ В ТОНКОЙ ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКЕГосударственный комитет (23) Приоритет -1Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств переработки и хранения дискретной информации на решетках цилиндрических магнитных доменов (ЦМД).Известен способ образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей плен: ке, основанный на приложении к ней магнитного поля, направление которого совпадает с направлением намагниченности ЦМД, которые предварительно были сформированы в данной пленке. Импульсное магнитное поле создается с помощью токопроводяшей петли или катушки, лежащей на пленке 11. Однако применение магнитной структурь сформированной данным способом в различных устройствах на ЦМД, практически невозможно из-за ее крайней нерегулярности.Наиболее близким к предлагаемому техническим решением является способ образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке, основанный, как и предлагаемый на формировании решетки ЦМД и последующем перемагничивании за-, данных участков тонкой доменосодержащей 2пленки. В данном способе магнитная структура формируется с помощью системы ортогональных проводников, нанесенных на пленку. При формировании доменной структуры сначала в пленке образуется решетка ЦМД, затем отдельные участки перемагничиваются при подаче соответствующих токовых импульсов в проводники, ограничивающие эту область.Недостатком данного способа также является его сложность, невозможность обеспечения максимально допустимой плотности формируемых структур и регулирования их параметров в процессе формирования.Цель изобретения - упрощение образования магнитной структуры.Поставленная цель достигается тем, чтосогласно способу образования магнитной структуры в тонкой доменосодержашей пленке формирование решетки ЦМД осуществляют из однодоменного состояния, а перемагничивание тонкой доменосодержащей пленки 2 О осуществляют многократно импульсным градиентным магнитным полем, амплитуда и направление которого определяются образованием в заданном участке доменосодержашей пленки доменной границы, разделяю39208 щей области с противоположно намагниченными ЦМД.На фиг. 1 - 3 изображены последовательные стадии создания магнитной структуры; на фиг. 4 показана сформированная магнитная структура. Создание магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке осуществляют следующим образом.-К тонкой доменосодержащей пленке 1 (см. фиг. 1), в которой могут существовать ЦМД, прикладывают поле смещения Н=Н, где Нэ - поле насыщения пленки. Одновременно в проводник 2, который либо наносится непосредственно на пленку 1, либо на стеклянную пластинку, прикладыва 15 емую к пленке, подаются прямоугольные . импульсы тока. Если необходимо создать доменную структуру в области 3, находящейся на .расстоянии ы от проводника 2, то полярность импульсов должна быть такой, чтобы 2 О импульсное магнитное поле Ним, создаваемое проводником 2 в области 3, было анти- параллельно полю смещения Н, Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника 2 импульсного магнитного поля Нимп ) Ню25 где Н- поле зародышеобразования данной пленки. Затем поле смещения снижается до величины НюНН, гдеНк - поле коллапса ЦМД в данной пленке. зоПри этом в области 3 формируется регулярная решетка ЦМД. После этого поле смещения и амплитуда импульсного магнитного поля снижаются до нуля. Затем в проводник 2 подается последовательность импульсов тока той же полярности, что и при формировании решетки, но амплитуда которых достаточна для создания на расстоянии а от проводника 2 импульсного магнитного поля Ним40После того как амплитуда импульсного магнитного поля будет снова уменьшена до нуля, область 4 (см, фиг. 2) пленки перемагнитится в решетку с ЦМД, полярность которых противоположна полярности ЦМД в области 3, Подавая в проводник 2 импульсы тока, полярность которых противоположна полярности подаваемых перед этим импульсов, а амплитуда, достаточная для создания 374на расстоянии в (см. фиг. 3) от проводника 2 импульсного магнитного поляНимп Нюа на расстоянии ааНимюН,и после уменьшения амплитуды до нуля, вобластях 3 и 5 будут ЦМД одной полярностиа в области 4 -противоположной (см.фиг. 3). Повторяя этот процесс несколькораз можно во всей области пленки, находящейся на расстоянии а от проводника 2,образовать магнитную структуру в виде,областес чередующейся намагниченностьюЦМД в них (см. фиг. 4). Ширина областейможет быть произвольной, точно установленной с помощью амплитуды импульсов тока,Технико-экономические преимуществапредлагаемого способа образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке заключаются в значительномупрощении существующих устройств форми;рования магнитных структур пленок; в возможности регулирования параметров магнитных структур в процессе их формирования; в значительном снижении энергоемкости устройств, использующих магнитные структуры в виде областей с противоположно намагниченными ЦМД,Формула изобретенияСпособ образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке, основанный на формировании решетки цилиндрических магнитных доменов и последующемперемагничивании заданных участков тонкойдоменосодержащей пленки, отличающийсятем, что, с целью упрощения образованиямагнитной структуры, формирование решетки цилиндрических магнитных доменов осуществляют из однодоменного состояния, аперемагничивание тонкой доменосодержащей пленки осуществляют многократно импульсным градиентным магнитным полем, амплитуда и направление которого определяются образованием в заданном участке доменосодержащей пленки доменной границы.разделяющей области с противоположно намагниченными цилиндрическими магнитными доменами.Источники информациипринятые во внимание при экспертизе1. Патент США3811119, кл. 340 в 1,опублик, 1976.2. Патент США3798622, кл, 340 в 1,опублик, 1975 (прототип).920837 Ф ФФФФФФФФ ФФФФ ФФФЭ Ф ЭФФееФФЕФр,Фиг 4 ь Ю. Розентальойкас Корректор О. БилакПодписное о комитета СССРи открытийушская наб., д. 4/5ород, ул. Проектная, 4 Редактор В. БобковЗаказ 2356/62ВНИИПИпо13035, МФилиал ППП Составит Техред А.Тираж 62 Государственног елам изобретени сква, Ж - 35, Р Патент, г. Уж Ф ФФ ФФФ Ф ФФФФФФ ФФФ