Способ создания пористости в кристаллическом материале

Номер патента: 528522

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Блинов, Власенко, Житников, Севастьянов

МПК: G01R 33/00

Метки: атомов, гелия, квантового, магнитометра, метастабильных, оптической, ориентацией, самогенерирующего, чувствительный, элемент

...устройства чувствительность фото;1 иоЛа на высокой частоте неЛостаточпа даже при измерении зе.;Иого магг 151 с .1;1, 10- скольку в этом случае фотоприсмпик раоотсСт ) же на спалс частотной хаэ актсристики.С цел(ио повышения чув тви Гели осгп и расширения диапазона измеряемых магнитных полей преллагаемый чувствительный элемент самогеперирующего квантового маг)игомстра с оптической орие 1 тацей мстастасильных атомов гелия снабжен вторм циркулярным поляризатором на длину волны 0,3889 мкм, устаповленньм в олной плоскости с первым поляризатором на лл 5 и) волпы 1,083 мкм, а полоса спсктральноиувств 1- тсльностп фотоприемника соответствует ллнне волны второго циркулярного по.ирпзатора 10,3889 мкм).Так образом, в падающем па камеру...

Номер патента: 1500911

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Адамян, Айдинян, Маилян, Паносян

МПК: G01N 13/00

Метки: ионизации, поверхностного, состояния, энергии

...- потенциалы появления максимумов нестационарного тока 1 Ч Ч- значения скоростей развертки потенциалов. 1 ил. вспомогательный платиновый электрод 3 электрохимическую измерительную ячей ку с электролитом 4, потенциостат 5, позволяющий поддерживать потенциал постоянным или изменить его по задан ной скорости в зависимости от времен .по линейному закону, регистрирующий двухкоординальный нотенциометр 6, миллиамперметр 7.Способ осуществляют следующим образом.,Ч гЧпэ Ч, -ф1 где е - заряд электрона,- потенциал плоских эонв.зю ,- потенциалы появления максимумов нестационарного разрядного тока;ч ч - значения скоростей разверткипотенциалов. Способ определения энергии ионизапии поверхностного состояния, включаСоставитель А,Щитоведактор Т.Парфенова...

Номер патента: 284382

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Дегт, Петров

МПК: G01N 3/12

Метки: испытания, напряженном, образцов, плоском, состоянии, трубчатых

...свойств материалов, а именно к установкам для испытания трубчатых образцов при плоском напряженном со стоянии.Известна установка для испытания трубчатых образцов при плоском напряженном состоянии, содержащая устройство для создания внутреннего давления в испытуемом об разце и устройство для создания осевой растягивающей нагрузки.С целью повышения точности эксперимента в предложенной установке устройство для создания осевой растягивающей нагрузки выпол нено в виде цилиндра, жестко закрепляемого на конце испытуемого образца, плунжера, устанавливаемого внутри цилиндра, и жестко соединяемой с испытуемым образцом скобы, на которую воздействует плуняер. 20На чертеже показана описываемая установваемого внутри цилиндра, и жесткомой с...

Номер патента: 957049

Опубликовано: 07.09.1982

Автор: Лодус

МПК: G01N 3/08

Метки: испытания, напряженном, образцов, плоском, состоянии

...клеящеговещества 2, например термостойкого клея,укрепляют внутри нагружателя в виде биметаллического незамкнутого кольца 3, снаружи которого размещен нагревательныйэлемент 4,При включении нагревательного элемента 4 в биметаллическом кольце 3 вследствие5 разности коэффициентов линейного расширения составляющих его металлов возникают напряжения, приводящие к равномерному увеличению диаметра кольца 3. Приэтом образец 1 подвергается двухосномурастяжению. Если на образец 1 установитьпредварительно нагретое кольцо 3, котороезатем охлаждается, то образец подвергается двухосному сжатию. В обоих случаяхобразец 1 подвергается равномерно распределенной по контуру нагрузке без концент957049 Формула изобретения х Составитель А. Булашевич Редактор Л....

Номер патента: 949487

Опубликовано: 07.08.1982

Автор: Максимов

МПК: G01N 29/00

Метки: напряженного, состояния

...О. Юрковецкая Техред Т, Фанта КорректорИ. Муска Заказ 5737/31 Тираж 887. ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Возбуждают в малом участке контро.лируемого иэделия мощную упругоплас.тичную поверхностную волну конечной амплитуды, например, с помощью инертной массы, которую разгоняют до определенной скорости и затем 5 ударяют индентором по поверхности контролируемого иэделия. Затем в различных направлениях от точки возбуждения принимают зту волну и измеряют ее амплитуду. Максимальная ампли- О туда упругопластической волны определяется пределом текучести материала бт , а также величиной и знаком...