Способ создания f2-центров окраски в активной среде лазера

Номер патента: 1322948

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Григоров, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: f2-центрами, активная, лазерная, лития, монокристалла, окраски, основе, среда, фторида

АКТИВНАЯ ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ.1. Активная лазерная среда на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски, концентрация F2-центров соответствует коэффициенту их оптического поглощения в интервале 100 - 700 см-1.2. Способ получения активной лазерной среды на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами , включающий облучение монокристалла ускоренными электродами, отличающийся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски,...

Номер патента: 1393290

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активной, лазерной, лития, монокристалла, основе, среды, фторида, центрами

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АКТИВНОЙ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ по авт. св. N 1322948, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности концентрации F2-центров, облучение электронами производят в течение интервала времени от 0,1 до , где t - время жизни анионной вакансии.

Номер патента: 1447220

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерной, окраски, приготовления, среды, центрами

СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ С F+3-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, включающий облучение монокристалла LiF потоком ускоренных частиц, отличающийся тем, что, с целью снижения порога генерации, облучение проводят в течение интервала времени от 1 10-8 до 6 с с плотностью потока не менее 2 1012 частиц/см2.

Номер патента: 621267

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Ващук, Гороть, Забелло, Тихонов, Шпак

МПК: H01S 3/09

Метки: активной, лазерной, обратной, распределенной, связи, создания, среде

...распределенной обратной связи в активной лазерной среде делением пучка накачки на два и последующего сведения их в активной среде, в активной среде совмещают прямые изображения пучков излучения источников 5 накачки.На чертеже представлена одна из возможных схем ОКГ с РОС для реализации предложенного способа.На чертеже приняты следующие обозна чения: 1 - ОКГ накачки, 2 - телескоп для формирования профиля пучка, 3 - полупрозрачное зеркало, 4 - зеркала для сведения пучков накачки, 5 - активная лазерная среда, 6 - дополнительное зеркало для обращения изображения правого пучка накачки, ав. - волновой фронт излучения накачки.Излучение накачки формируется в пучок прямоугольного сечения с помошью телескопа 2 для формирования профиля...

Номер патента: 1676409

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Григоров, Мартынович, Миронов

МПК: H01S 3/16

Метки: алмазе, нз-центров, образования, окраски

СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ НЗ-ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В АЛМАЗЕ, включающий облучение алмаза с А-агрегатами азота ионизирующим излучением с энергией не менее 1 МэВ, отжиг алмаза в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации НЗ-центров при одновременном снижении концентрации паразитных центров поглощения в полосе люминесценции НЗ-центров, облучают алмаз с однородным распределением по объему А-агрегатов и с их концентрацией не менее 1018 см-3 дозой ионизирующего излучения 100-120 част/см2 на каждый А-агрегат, воздействуют на алмаз в течение 0,1 1 ч и инфракрасным излучением с длиной волны 7 12 мкм, при этом разогревают алмаз до температуры 700 800 К и отжигают алмаз в инертной...