G03G 5/08 — отличающиеся наличием фотопроводящего неорганического материала

Номер патента: 114634

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Жилевич

МПК: B32B 33/00, G03G 5/08

Метки: материал, электрофотографирования

...выполнен из двух слоев: нижнего слоя с высоким фотоэффектом и верхнего более тонкого слоя, имеющего белый цвет. При этом высокая кроющая способность окиси цинка н его большая белизна позволяют путев: нанесения тонкого слоя окиси цинка полностью компенсировать желтовато-коричневую окраску поверхности нижнего слоя.П р и м е р. Для изготовления комбинироганного фотополупроводникового материала на бумажную подложку наносят два слоя: нижний слой - суспензия 6 г сернистого кадмия в 45 мл раствора одной объемной части клея Бфв двух объемных частях этилового спирта; на этот слой наносят верхний слой, состоящий из суспензии 12 г окиси цинка в 50 ял вышеуказанного раствора клея Б Фв этиловом спирте.Относительная светочувствительность полученного...

Номер патента: 119798

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Жилевич

МПК: G03G 5/08

Метки: электрофоточувствительного

...которая пол ого электро новских луч кс и общей слое получальный рел о х г. Получение рентгенофотографических изображений кребряных эмульсионных слоях, так и методами электиз-за чувствительности материала к видимой части спекпроведением многих операций, например зарядки кассетзывает затруднения в практической работе.Предлагается новый способ изготовления электрофотматериала путем применения покраски слоя диэлектридиспергированы частицы фотополупроводника для изготрофотографического материала, невосприимчивого к вспектра,Такой материал позволяет производить рентгенофотв незатемненном помещении при обычном освещенииП р и и е р, В 40 лл этилового спирта растворяют 40го желтого красителя и в этом растворе тщательно замешси цинка. После...

Номер патента: 121341

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Немировский

МПК: G03G 13/00, G03G 5/08

Метки: изображений, элехтрофотографических

...заключающийся в создании на заряженном полупроводниковом слое при проецировании на него изображения оригинала скрытого электростатического изображения с последующим его проявлением, например, путем посыпания изображения мелкораздробленным красителем, частицы которого имеют заряд, противоположный по знаку заряду изображения, от. лича ющийся тем, что, с целью обеспечения возможности обработки изображения на свету, в качестве полупроводникового слоя применен слой полупроводника-термистора, а проецирование на него изображения оригинала производят с помощью инфракрасных лучей. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Е. Г. Гончар Гр. 235Поди. к печ, 8 Лг.Тираж 8 О Цена 25 коп....

Номер патента: 168992

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Организаци

МПК: G03G 13/00, G03G 5/08

Метки: нюнько

...полуспада, от числа циклов электризация - экспонирование.Кривая 1 соответствует слою, не подвергнутому перед электризацией интенсивной засветке, а кривая 2 - слою, подвергнутому засветке перед электризацией (350 лк,60 сек).Аналогичный эффект наблюдается также, если слой подвергнуть нескольким циклам электризация - экспонирование, при этом с каждым циклом засветки фоточувствительность повышается, достигая через определенени едмет изо Сносэлектрока почто, с ц30 электропредва чувствительности ев из окиси цинличаюиийся тем, едения процесса чои подвергают ния фот ческих сл 153277, о щения про ческие асветке. б повыше фотографи вт. св.елью упро фотографи рительной з писная группа М 23 Заявитель Организация ное количество циклов максимального...

Номер патента: 170289

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Винокуров, Подвигалкин

МПК: G03G 13/22, G03G 5/08

Метки: деформации, матирующей, электрофотографии

...для осуществления предла гаемого способа.Приемный слой (носитель электростатического изображения) состоит из основы (тонкой пластмассовой ленты 1), нанесенного на нее металлического слоя 2 толщиной 0,5 - 20 1 мк и пленки изолятора 8 (термопластическая пластмасса толщиной 3 - 5 мк), обладающей свойством размягчаться под действием нагрева или концентрированных паров растворителя. В момент прижатия приемного 25 слоя к фотополупроводниковому слою 4 (слой аморфного селена или селенида кадмия толщиной 30 - 50 мк) между прозрачным контактом 5 (например, пленка двуокиси олова с поверхностным сопротивлением 200 -- 1000 ом) и металлическим слоем 2 прикладывается напряжение (б 00 - 1000 в) и одновременно производится экспонирование через...

Номер патента: 201916

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Бан, Гайд, Маркевич, Монтримас

МПК: B32B 33/00, G03G 5/08

Метки: многократного, проявления, слоев, электрофотографических

...фотоэффект, и тем самым квантовый выход повышается. Однако с уменьшением количества связующего ухудшается микроструктура слоя - у Величивается количество микропор в слое, что ведет к уменьшению его электрической прочности, н слой плохо заряжается. С целью повышения электрической прочности и улучшения физи. ко-механических параметров, синтез электро фотографических слоев на основе окиси цинка необходимо вести так, чтобы получить слой с неравномерным распределением связующего Вещества в нем и тем самым - с минимальным количеством микрот 1 ор.Способ изготовле 1 ия электрофотографических слоев для многократного проявления согласно изобретению заключается в том, что слой суспецзии из предварительно окрашенной окиси цинка и связующего в...

Номер патента: 265717

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Акимов, Кисилица, Черкашин, Щербакова

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, фотопроводящий

...и термостойкостью (Выше 400 С).С помощью указаннык полимеров достиг;утя Высокая эффектиВность сенсиоилизации, сопоставимая с эффективностью лу ниик сс:сиб 1 Лизаторов - низкомсле 1 сул 511 э 11 ы.; красите лей. При этом интегральная чувствительшэстьсеисибилизированнык полимерам и слоев Вследствие широкой спектральной оодясп ссисибилизации в ряде случае преьоскодиг чувствительность слоев, ск 1 эаиенцы. к 1 эасител 51- 25 ми.П р и м е р 1, Полимеризацию 1 э-йодфеиилацетилена проводят в запая;ныл ампулак при температуре 150 С. Реакция протекает с выделением молекулярного йода в течение 10 - ЗО 20 лин, Полученный полимер - нохи-йэдфе265717 20 00 Ц 00 5 Я й 7 Ю 700 8 М,УЯ ;фиг.1 Л,ею нилвинилен (ПИФВ, выход .66%) - обрабатывают...

Номер патента: 265718

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Акимов, Берлин, Мешков, Черкашин, Чигирь

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, фотопроводящий

...продутую аргоном лянную ампулу. Ампулу запаивают и щают в блок, поддерживающий темпе 150 С. Через 10 - 15 чпс ампулу вскрь содержимое растворяют в метаноле. Из польного раствора полимер осаждают шим количеством воды, Образующуюс пензшо коагулируют добавлением пова соли. Полимер отфильтровывают, отм на фильтре от соли (отрицательная реак ион хлора), сушат в вакууме до посто 30 веса. Выход 0,75 г (75%), Л 1600,,и Составитель Э. Рамзоваехред Л. Я. Левина Корректор Н. С, Сударенков тор О, филиппов Заказ 1611/10 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комигста по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж-З 5, Раушская наб., д. 45 Типография, пр. Сапунова 1 г поли-(2-метил-этинилпиридина) растворяют в 30 мл сухого нитрометана и...

Номер патента: 288548

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Жилевич, Маркевич, Пуцейко, Теренин

МПК: G03G 5/08

Метки: фотополупроводниковыхбумаг

...иГЬ,слой 00 00 20 160 ись цинка .ись цинка + Зо, НДА Предмет изобретен Изобретение относится к способам изготовления светочувствительных фотополупроводниковых бумаг с покрытием из окиси цинка, обладающих повышенной электрографической чувствительностью.5Известны способы повышения светочувствительности, заключающиеся в расширении спектральной зоны чувствительности полупроводниковых слоев на основе поликристаллической окиси цинка или в использовании более 10 светочувствительных полупроводниковых материалов. На фоточувствительность поликристаллической окиси цинка большое влияние оказывают адсорбированные пары и газы, обладающие электронно-акцепторными свой ствами.Предложенный способ состоит в том, что в фотополупроводниковую суспензшо...

Номер патента: 327434

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Варвас, Керм

МПК: G03G 5/08

Метки: iпате1тно-тгх1ш, всесоюзная, екдв

...материала до 50 - 15 С со скоростью 3 С в 1 мин на свету.П р и м е р 1, Из 1 М раствора СЙС 1 г, предварительно очищенного хроматографическим методом, и 1 М раствора тиомочевипы готовят водный раствор концентрацией 10 - г М, добавляют активаторы в виде раствора СцС 1 г с расчетом 3 10 -г Сц на 1 г Сс 38.Полученный раствор пульверизуют со скоростью 8 - 10 м г/мин при помощи сжатого воздуха500 л вогретуюпература400-5 С50 - 60 мдо темпе под давлением 2 ать здуха в 1 час на пр до 400 С стекляннуюподложки во время ) в атмосфере воз ин и охлаждают со ратуры 20 С. со скоростью дварительно наподложку (темпульверизации уха в течение коростьк 2 мин Приме О из реакцио следующег2, Пригот ных компо состава, Л овляот водный раство нентов и...

Номер патента: 336638

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дейч, Лаврова, Нюнько, Плавина

МПК: G03G 5/08

Метки: сидаравичус

...Сввете Министров СССР Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 ванной инжекции работаег также селении мышьяка в сочетании с композициями ПВК-ТП. Могут быть найдены и другие пары материалов для изготовления двойного, прозрачного электрофотографического слоя для фототермопластической записи. Однако каждая пара материалов - неорганический-органический фотополупроводпик - является индивидуальной,В качестве термопластика может быть использован сополимер стирола с бутадиеном, с добавками некоторых пластификаторов. В композиции ПВК-ТП оптимальным является соотношение компонент от 6: 4 до 9: 1, При этом с ростом концентрации ПВК-ТП фото- чувствительность возрастает, однако повышается температура размягчения.Чтобы...

Номер патента: 408263

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Автор

МПК: G03G 5/08

Метки: подпитки, проявителя, ферромагнитного, электрографического

...проявителя между устройствами очистки и проявления может быть осуществлен транспортерами, соединяющими бункера устройств в местах нахождения некоторого запаса проявителя. Практически в ротационном электрографическом аппарате процессы подпитки, очистки и обмена проявителя между устройствами очистки и проявления осуществляются непрерывно.Для улучшения очистки тонера после повторного проявления снимают остаточный потенциал с электрографического слоя дополнительным электризатором или подсветкой.Предложенный способ подпитки электрографического проявителя тонером обладает важными преимуществами перед известным, основным из которых является автоматическое восстановление первоначальной концентрации тонера в проявителе. Применение такого...

Номер патента: 374866

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Ивао, Ностра, Стра

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, фотопроводящий

...потенциалом поверхности и временем полураспада экспозиции этих образцов. На этом чертеже абсцисса поделена логарифмически, обозначая время полураспада экспозиции, и ордината поделена логарифмически, обозначая начальный потенциал поверхности.На фиг. 1 кривые А, В, Вн, С и Св получены па основании измерения указанных величин соответствующих образцов.Рассматривал кривые, показанные ца фиг. 1, можно сделать следующие заключения. Начальный потенциал поверхности увеличивается с увеличением толщины пленки чувствительного слоя и считается пропорциональным ей, когда оц меньше 100 в. Соответственно, если ордината (цачальцый потенциал поверхности) понимастсл как толщина пленки, то устацовлецо, что в случае образца А время полураспада...

Номер патента: 382057

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дейчас, Нюнько, Таурайтене, Таурайтис

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, электрофотографический

...предложенного слоя являетсявозможность реализовать высокую фотоэлектрическую чувствительность селеноида мышьяка при нанесении ца стекло, имеющее прово 25 дящее покрытие из двуокиси олова.Введение барьерного слоя 5 из ЯОг междуЬИОг и АвгЯсз обеспечивает наличие электрического поля в последнем, и таким образом,фотоинжекцию дырок в Органический полимерЗО ный полупроводник.382057 Предмет изобретения Составитель П. Абраменко Редактор Э, Шибаева Текред Г, Дворина Корректоры Л, Орлова и О, ТюринаЗаказ 3942 Изд.1502 Тираж 523 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д. 4/5 Загорская типография При нанесенви АзгЯез непооредственно на пленку из ЯпОг невозможно реализовать...

Номер патента: 414561

Опубликовано: 05.02.1974

Авторы: Акимов, Ермакова, Мешков, Повхан, Черкашин

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, фотопроводящий

...и одновременно теряет способность к растворениго, а следовательно, и к десорбции с поверхности фотополупроводника при последующих технологических операциях.Областью спектральной сенсибилизации,определяемой спектром оптического поглощения термолизованных .полимеров, является вся 5 видимая часть спектра (400 - 800 нм). В результате термолиза у этих веществ появляюгся широкие бессгруктурные полосы поглощения, что позволяет применять эти вещества для изготовления слоев с изопанхроматпче ской аветочувствительностью. Для таки сенЗаказ 235 Изд.45 Тираж 506 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4,5типография4 Союзполиграфпрома, Москва, 2 О 9, ул. Маркса...

Номер патента: 417961

Опубликовано: 28.02.1974

МПК: G03G 5/08

Метки: 417961

...в сплаве необходимо увеличить температуру лодочки.Для зарядки поверхности изоляционного слоя 4 (величина заряда - 2000 в) используют коронный разряд. Зарядку поверхносси изоляционного слоя зарядом противоположной полярности осуществляют одновременно с экспонированием изображения в течение 0,2 сек с,освещенность 2 люкс на освещенных участках) с целью образования скрытого изображения на поверхности изоляционного слоя, соответствусощего экспоцированцому изображснисо и имеющего потенциал - 100 в на участках, соответствующих темным участкам экспонированного изображения, и потенциал +200 в на участках; соответствующих освещенным участкам экспопированного изображения. Скрытое изображение проявляют заряженным проявляющим порошком и затем...

Номер патента: 424870

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Белецка, Названов, Научно, При, Роках, Физики, Чернышевского

МПК: C09K 9/00, G03G 5/08

Метки: 424870

...ц комцоы в следующих колиобщему весу, %; Изобретение относится к обния фотопроводящих пленок д.ствующих переклочателей.Известен состав для получения фотопроводящих пленок на основе сульфида ц селенида кадмия, активированных хлоридом .1 елц. Однако такой состав це обеспечивает получение малоинерционных фоточувствительных пленок с линейными люкс-амперцыми характеристиками в широком интервале освещен ности до 100000 лк.Предложенный состав отличается тем, что хлорид меди введен в смеси с хлоридом кобальта в виде водного раствора, ц компоненты состава применены в следующих коли чествах по отношсншо к общему весу, %:Сульфид и селенид кадмця 89,2 - 97,1 Хлорид меди 2 - 9Хлорид кобальта 0,9- 1,8Это обеспечивает уменьшение времени фо...

Номер патента: 428352

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Акимов, Изобретени, Кипри, Михайленко

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, фотопроводящий

...указанного материала заключается в том, что входящие в него красители обладают узкими полосами поглощения, соответственно сенсибилизируют полупроводник в узких областях спектра. Их спектр поглощения оставляет неиспользованной большую часть спектра излучения лампы накаливания и других источников света. В ряде случаев, например, для фотоматериалов цветной электрографии, необходима спектральная сенсиби. лизация в широком спектральном,интервале. Проблема изопанхроматичности решается путем одновременной сенсибилизации несколькими красителями, но из-за их взаимной десенсибилизации этот прием оказывается малоэффективным.. Иванов огданова оставител Корректор Е. Кашин Редактор К. Шан Тираж 506а Совета Министров СССРи открытийя наб.,...

Номер патента: 438205

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Джвирблис, Петрузелла

МПК: G03G 5/08

Метки: пластина, электрофотографическая

...отношении диспергируется гексагональный селен в красной форме. Наиболее предпочтительным является соотношение, находящееся в пределах от 1: 4 до 1: 20, Суспензия пигмент - связующее - растворитель наносится на подложку и отверждается, причем толщина полученного слоя находится предпочтительно в пределах от 1 - 100 мк, наиболее оптимальная толщина 15 мк. Предпочтительным интервалом удельного электрического сопротивления органического связующего является интервал от 10" до 10 ом см в сыпучем состоянии.Для получения красной гексагональной модификации селенового пигмента производят кристаллизацию аморфного селена или получают сплавы аморфного селена с другими материалами, такими, как мышьяк или теллур, или вводят в аморфный селен в...

Номер патента: 440955

Опубликовано: 25.09.1974

Автор: Ионов

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, фотопроводящий

...так и реактивной/ окиси цинка в области, определяемой спектром оптического поглощения твердого слоя красителя.При освещении Фотопроводящего материала источником света типа А с освещенностью 200 лк во внешнем электрическом поле 104 в/см улельное сопротивление вго умвньшавтся в ХО раз.Причем при увеличении напряженности ВНЕШНЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ светочувствительность предлагаеио го материала растет. Материал имеет панхроматическую чувствительность в области спектральной сенсибилизации от 400 до 850 нм .44095 Я3линейная. Материал при напряженности внешнего электрического поля 10 ф в/см имеет постоянные времени нарастания и спада фото- проводимости, равные 0,01 сек, причем с ростом напряженности электрического поля она уменьшает ся....

Номер патента: 448658

Опубликовано: 30.10.1974

Автор: Гоффи

МПК: G03G 5/08

Метки: пластина, электрофотографическая

...тем, что диэлек - трическиИ слой имеет толщину от 2 до 4 цк и фотополупроводнико - вцй слой имеет толщину от 0,1 до Оу 2 цкеЗ. Пластина по пп. 1 и 2, отличающаяся тец что диэлектрический слоИ э 11-40 раз толще фотополупроводникового слон.4. Пластина по пп. 1-3 , о т л и ч а ю щ а я с я тец , что слоИ диэлектрика содержит ароматическую смолу и кислоту по Льюису в качестве сенсибилизатора.5, Пластина по и. 1, о т л ич а ю щ а я с я тем, что Фотополупроэодниковцй слоИ имеет толщину не ниже 0,02 мк.б, Пластина йо и. 1, о т - л и ч а ю щ а я с я тец, что 4486585вца раствор стеибелит-ЭФира ТО(глицерол-триэфир 5-ной гидрированной древесной смолы) толщи-,нои около 2 мк. На него насыпаютравномерный слой. окрашенных частиц окиси цинка толщиной...

Номер патента: 449516

Опубликовано: 05.11.1974

Авторы: Киносита, Фукуда

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, фоточувствительный

...из сплава бйТЕ сболыцим содержанием Те, не препятствуетмиграции носителей зарядов в этом слое.Носители зарядов, мигрируюшие в направлении электропроводяшего слоя, легкодостигают слоя с низким удельным сопро-.тивлением и накапливаются в нем в видесвободных зарядов. Таким образом устраняется возможность создания гистерезиса,что позволяет многократно использоватьпредлагаемый фоточувствительный материалпри высокой скорости цикла.Электропроводяший слой изготовляютиз металла или иэ любого материала,имеющего относительно низкое сопротивление, например из тонкой металлическойфольги, электропроводяшей бумаги иэлектропроводяшего стекла.Для изготовления фоточувствительногослоя и слоя с низким удельным сопротивлением могут применяться...

Номер патента: 471571

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Баршкутите, Минкявичене, Островская

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, офсетных, печатных, форм, электофотографический

...го щего окись цинка и полиичающийся тем, что, гидрофилизующей способрафического слоя, фотопокрытие включает сополис бутил- и метилметакри - 50 вес. % от веса посоотношение сополимера албутил- и метилметакрилатом веса поливинилбутираля. Изобретение может быть использовано для получения малотиражных офсетных форм электрофотографическим способом.Известен электрофотографический материал, состоящий из электропроводящей бумаги - основы и фотополупроводникового слоя, содержащего окись цинка, поливинилбутираль, сенсибилизаторы.Целью изобретения является повышение гидрофилизующей способности электрофотографического слоя.Это достигается введением в состав фото- полупроводникового слоя сополимера алкидной смолы с бутил- и...

Номер патента: 477584

Опубликовано: 15.07.1975

Автор: Сиро

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, светочувствительный

...схематически показан описыв " светочувствительный материал, раз. аемыиез,Изобр ческим с Извест чувствит тополупр цент ный подачи электрол следнего полупров ным сло тельные полученнДля изготовления светочувствительного материала смесь сернистого цинка, активирован О ного медью и эпоксидной смолой, накладывают на прозрачный электрод 6, при этом обра зуется слой 5. Прозрачный тонкий слой золота в вакууме осаждается на слой 5 для образования прозрачного электрода 3 с экранной 15 структурой 4. Сплав селена с теллуром, содержащий 15% теллура, осажденного в вакууме на прозрачный электрод 3, образует фотополупроводниковый слой 2. Поликарбонатную смолу накладывают на слой 2, при 20 этом образуется прозрачный диэлектрическийслой 1.Скрытое...

Номер патента: 540581

Опубликовано: 25.12.1976

Авторы: Джеймз, Пауль

МПК: G03G 5/08

Метки: электрофотографический, элемент

...несущее информацию об изображении экспонирование может быть осуществлено через подложку беэ пропускания света через слой активного транспортного материала. В этом случае не требуется, чтобы активный материал был непоглощающим в используемой области длин волн,Это связано с инжекционными свойствами описываемого фотоинжектирующего пигмента,Друтие области использования, в которых нетребуется полной прозрачности от активного ма.териала, включают селективную запись узкополосного излучения, например излучаемого лазерами,распознавание спектральных картин, цветовое кодовое дублирование и, возможно, цветную ксерографию.Слой 3 (см.фиг.1 а) может содержать такжетранспортирующий заряды материал, диспергированный в достаточной концентрации в...

Номер патента: 577507

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Богословский, Извозчиков, Паландузян

МПК: G03G 5/08

Метки: слоев, электрофотографических

...пространство между микрокристалликами слоя, уменьшая ;о гористость. Ю Последнее контролируют визуально по отражательной способности слоя. Нанесение парафина прекращают до наступления резкого повышения отражательной способности слоя при увеличении толщир 8 ны на 5. Таблица 2 Данные РДА о фазовом составе слоя,полученного предлагаемым способом,4/и эксп. ике Вещество Фазовый состав 1 эксп,Р 1 Оз 4Р 8 О 110 6,23 101 3,353.112,031.755 3 4.Р 1 О Сурик 220 411 СЛ 3 4 332 Сурик 3 4 3 4 114 1. 586 1.468 600 О,С П р и м е р 2. Условия получения иотжига слоя окиси свинца такие, как ив примере 1. Температура обрабатывае- )(мого парафином слоя 660 К, что несколько повышает скорость обработки слоя,использование предлагаемого способа получения...

Номер патента: 614415

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Дракшас, Камалу, Каравацкас, Минкявичене, Пузинене

МПК: G03G 5/08

Метки: гибкая, использования, многократного, пластина, электрофотографическая

...Фольги промежуточным слоем ссоответствующим электрическим сопротивлением, препятствующим замыканиюкоронного тока на Фольгу при зарядкеЭлектрофотографической Пластины, Фотополупроводниковый слой наноситсяна поверхность промежуточного слоя.Промежуточный слой должен обладать 30хорошей адгезией к фольге и фотополупроводниковому слою и определеннымэлектрическим сопротивлением, ЭлектРическое сопротивление промежуточногослоя не должно превьнаать 10 ом м, 35чтобы не препятствовать рассеиваниюэлектрического заряда при освещениизаряженного Фотополупроводниковогослоя. Электрическое сопротивление промежуточного слоя менее 10" ом мм не Юпрепятсвует замыканию коронного тока.Цель изобретения - создание фотополупроводникового слоя,...

Номер патента: 345837

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Бондаренко, Броницкий, Дарьин, Ислямов, Казакова, Лепешкин, Окунас, Подвигалкин, Рейцман, Шнейдман, Янкаускас

МПК: G03G 5/08

Метки: селеновых, слоев, электрофотографических

...получения селеновых электрофотографических слоев.Известен способ получения с еленовых 5 электрофотографических слоев путем вакуумного напыления. Однако проведение процесса в стационарном режиме по известному способу не обеспечивает получения оптимальных значений эксплуатационных 10 параметров слоя.Предлагаемый способ позволяет улучшить параметры селеновых электрофотографических слоев, а именно снижает эффекты усталости и световой памяти в сло ях, а также увеличивает их тиражеустойчивость. Это достигается тем, что в процессе напыления увеличивают температуру подложки от 20 до 50 С со средней скоростью 0,5 - 0,9 град,мин при изменении дав О ления остаточных газов в пределах от 3 10 з до 2 10 - 4 тор с градиентом 1 10 -- 1 10-4...

Номер патента: 352582

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Бондаренко, Дронская, Ислямов, Крутенюк, Подвигалкин, Тутова

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, электрофотографический

...тем, что в слой вводят вес. ч. йода по отношению к Так как йод - легколетучее вещество, то в вакууме из механической смеси селена с йодом значительная часть йода улетучивается, а оставшаяся часть испаряется раньше селена. Поэтому в напыленном слое йод содержится неравномерно, Чтобы избежать этого, йод сплавляют с селеном при атмосферном давлении в герметически закрытых сосудах, выполненных из материала, инертного к йоду и селену, например из пирекса и кварца. После заполнения ампул селеном с йодом их запаивают, помещают в термастат и прогревают в зависимости от материала, из которого изготовлены ампулы, до 400 - 500 С и 800 С. При этой температуре ампулы выдерживают 0,5 - 4 ч, после чего полученное вещество охлаждают и используют...

Номер патента: 781750

Опубликовано: 23.11.1980

Авторы: Анфилов, Артоболевская, Браницкий, Мкртичан, Писарева, Тазенков, Шнейдман

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, электрофотографический

...наб д 4/5 ЬвФилиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4ле, состоящем из электропроводной подложки, слоев фотополупроводника и -диэлектрика, в качестве фотополупроводиика использован-селен, расположенный на подложке, и семен, легированныйкислородом, расположенный наслое 4.-селена; а в качестве диэлектрика - фторопласт на основе фтолонового лака, не содержащего ацетон.При изготовлении светочувствите"льного материала на металлическуюподложку 1 (из сплава алюминия )1 в фвакууме наносят слой 2 особо чистого К-селена, чистоты 99,998, толщиной 50-150 мкм, поверхность которого 3 затем насыщают кислородом наглубину 0,5-5 мкм, с концентрацией . 15кислорода 10 - 10" моль.Ъ, посредством термообработки фотопроводникав атмосфере воздуха при...