H01F 41/20 — путем испарения
Способ изготовления сегнетоэлектрических пленок
Номер патента: 437813
Опубликовано: 30.07.1974
Авторы: Веневцев, Севостьянов, Сорокина, Томашпольский
МПК: C23C 14/14, H01F 10/20, H01F 41/20 ...
Метки: пленок, сегнетоэлектрических
...известным способом (меньше, потери больше в 2 - 3 раза). нике.Известен способ изготовления сегнетоэлтрических пленок дискретным испарением.Прежние способы дискретного испаренне обеспечивали формирования достаточсовершенной структуры пленок, поэтомусегнетоэлектрические свойства были славыражены, а для толщин, менее 1000 А,обще не обнаружено пика температурнхода диэлектрической проницаемости и петдиэлектрического гистерезиса.Цель изобретения - улучшение сегнеэлектрических свойств пленок и уменьшеих толщины,екого ли тоние1 лученнои б пленки, е - вдвое Су аетс иал итан ество предлагаемого способа заклюв том, что в качестве исходного мате- берут керамику, например, на основе та бария нестехиометрического состава деленным дефицитом по...
Способ осаждения ферромагнитногопокрытия носителя записи
Номер патента: 846596
Опубликовано: 15.07.1981
Авторы: Виноградов, Докукин, Рябцев, Тальвойш, Тюриков
МПК: C23C 14/14, H01F 10/14, H01F 10/16 ...
Метки: записи, носителя, осаждения, ферромагнитногопокрытия
...диском 1 и 7 обозначены потока пара846596 И Заказ, 5382/37 1048 Подписное Способ осуществляется следующим образом.Диск 1 с приводом 2 вращения устанавливают относительно испарителя 3 так, чтобы. угол между нормалью к диску и направлениями осаждения пара в зонах осаждения, ограниченных окнами 5 и б экрана 4, составлял 65 ф, а угол между проекциями направлений на диск для каждого участка диска при его переходе к следующей зоне осаждения находился в пределах 18060. При равномерном вращении диска йрб исходит последовательное для каждого . его участка осаждение слоев ферромагнитного материала в зонах, ограниченных окнами 5 и б. Симметричное рас положение окон 6 тносительно испарите- . ля обеспечивает одинаковость скоростей и времен...
Газ для получения магнитотвердых пленок на основе пентакарбонила железа
Номер патента: 1575246
Опубликовано: 30.06.1990
Авторы: Алексеев, Кузьмин, Мельничук, Рыжов, Сыркин, Толмасский, Трыков, Уэльский, Хацернов
МПК: H01F 10/14, H01F 41/20
Метки: газ, железа, магнитотвердых, основе, пентакарбонила, пленок
...компонентов. Во всех случаях были получены пленки толщиной 0,1 мкм, Магнитные1575246 Таблиц э 1 Магнитные свойства Состав исходной смеси,мас .Пример Изменение парамет ов, Т е(СО)5 (СБН 5)2 Ге НС,М/м 02 Кп Л Вг Л Нс 2,95 0,99 4,90 0,79 5,20 4,88 0,992 0,98 0,97 4,91 5,00 4,99 4,96 1,9 2,1 1,2 2,1 2,4 2,7 3,2 2,5 3,1 1,9 1,7 1,3 3,2 1,81 2,10 1,61 1,89 1,28 1,17 1,82 1,96 1,70 1,48 1,32 1,47 1,45 76,1 64,1 92,0 50,8 93,1 92,1 51,2 58,1 52,1 91,0 87,6 79,3 80,1 0,05 0,01 0,10 0,01 0,10 0,12 0,008 0,01 0,02 0,10 0,01 0,02 0,05 97,0 95,0 99,2 94,7 95,0 99,0 99,01 99,01 94,99 94,99 94,99 94,99 2,1 2,7 1,8 2,4 2,8 2,9 З,О 2,6 3,7 4,1 2,4 2,7 2,9 0,88 0,91 0,81 0,86 0,66 0,57 0,85 0,86 0,81 0,80 . 0,81 0,80 0,78 1 2 3 5 б 7 8 9 10 12 13 60-95...