Способ изготовления сегнетоэлектрических пленок
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 437813
Авторы: Веневцев, Севостьянов, Сорокина, Томашпольский
Текст
(и) 437813 Союз Советсиии Социалистицеских Республик(б 1) Зависимое от авт. свидетельства Кл. С 23 с 13/04 22) Заявлено 17.03,72 (21) 1759913/26-9 исоединением заявкиосударственный комитетСовета Министров СССРпа делам изобретенийи открытий 32) Приоритет Опубликовано 3) УДК 621.396.6-181..07.74. Бюллетень28 ата опубликования описания 09,01.75) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОКетение относится к электронной к насыщению, меньшие диэлектрические потери.Пример. Шихту, составом 0,3 ВаО 0,008 ЯгО 1 Т 10 е, обжигают при 1300 С 60 мин, затем тщательно измельчают, дискретно исо паряют и конденсируют со скоростью 9 А/сек на подложку, нагретую при 1=850 С.Параметры полученной пленки (Вао,олго,1)оТ 10 з, толщиной 3000 А, представлены на чертеже.Температурный ход диэлектрической проницаемости и потерь Т=90 С, максимальная проницаемость до 1200, потери на 1 кгц 0,8 - 1.На чертеже 1 - в и 1 р 5 пленки, по предлагаемым способом; 2 - е и 1 д полученной известным способом (меньше, потери больше в 2 - 3 раза). нике.Известен способ изготовления сегнетоэлтрических пленок дискретным испарением.Прежние способы дискретного испаренне обеспечивали формирования достаточсовершенной структуры пленок, поэтомусегнетоэлектрические свойства были славыражены, а для толщин, менее 1000 А,обще не обнаружено пика температурнхода диэлектрической проницаемости и петдиэлектрического гистерезиса.Цель изобретения - улучшение сегнеэлектрических свойств пленок и уменьшеих толщины,екого ли тоние1 лученнои б пленки, е - вдвое Су аетс иал итан ество предлагаемого способа заклюв том, что в качестве исходного мате- берут керамику, например, на основе та бария нестехиометрического состава деленным дефицитом по барию, предльно синтезированную по керамичетехнологии, и проводят ее дискретное ние с последующей конденсацией на етую подложку. В процессе конденсапленке формируется кристаллическая ура перовскитпогс типа, принадлежаикрокристаллам, вкоапленным в неупоенную матрицу, такое строение пленок овливает более резкие аномалии е(1), диэлектрического гистерезиса, близкие дмет изобретения Способ ипленок слове титанатаном испаренла с последтой подложс цельюсвойств пленестехиомет еских осно- крет- сриа- нагречто, еских льный амики варите ской испар подогр ции в структ щая а рядочобуслпетли зготовления сегнетоэлектрич яных окислов, например, набария, основанный на дис ии в вакууме исходного мат ующей конденсацией его на ке, отличающийся тем улучшения сегнетоэлектрич нок, производят предварите диого материала в виде кер рического состава.0,Ю а,г Изд.1872сударственного кпо делам изобрМосква, Ж, Р митет тений ушск Тираж 875овета Министровоткрытийнаб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
1759913, 17.03.1972
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7629
ТОМАШПОЛЬСКИЙ ЮРИЙ ЯКОВЛЕВИЧ, СОРОКИНА ЛЮДМИЛА АНДРЕЕВНА, СЕВОСТЬЯНОВ МИХАИЛ АФАНАСЬЕВИЧ, ВЕНЕВЦЕВ ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C23C 14/14, H01F 10/20, H01F 41/20
Метки: пленок, сегнетоэлектрических
Опубликовано: 30.07.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-437813-sposob-izgotovleniya-segnetoehlektricheskikh-plenok.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления сегнетоэлектрических пленок</a>
Предыдущий патент: Раствор для получения силикатных покрытий
Следующий патент: Устройство для напыления прямоугольных интерференционных клиньев
Случайный патент: Способ травления печатных форм из сплава цинка