Способ изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти

Номер патента: 1133620

Авторы: Булатова, Донцова, Тихомирова, Шувалов

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 4 (59 С 11 С 11/22 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ, СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) 1. Авторское свидетельство СССР В 488257, кл. С 11 С 11/22, 1976.2. Барфут Дж. и Тецлор Дж. Поляр. ные,диэлектрики и их применение. ,М., "Мир", 1981, с. 327 (прототип),(54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ,основанный на нанесении на плоскопараллельную пластину сегнетоэлектрического кристалла полос проводящего материала и последующем разделении пластины на подобные части,отличающийся тем, что,с целью повышения качества изготов-.ления элементов, нанесение на плоскопаралллельную пластину сегнетоэлектрического кристалла полос проводящего материала осуществляют в направлении наибольшей скорости бокового дв.жения доменных стенок в сегнетоэлектрическом кристалле.620 Составитель В.Костин Техред З.Палий, Корректор Е.Сирохман Редактор Р,Цицика Заказ 9954/41 Тираж 583 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., ц. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 1133Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь. зовано при изготовлении запоминающих устройств.Известен способ изготовления элементов памяти, основанный на нанесении на сегнетоэлектрическую пластину числовых, общих и разрядных электродов Я .Недостатком такого способа явля ется низкое качество изготовления элементов из-за различного нанесения полос электродов, не учитывающего анизотропию свойств сегнетоэлектрического материала. 15Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти, включающий разделение кристалла на плоско параллельные пластины, нанесение на эти пластины токопроводящих полос в виде ортогональных строк и столбцов и членение пластин с нанесенными электродами на подобные 25 части 2 .Недостатком известного способа является низкое качество изготовления, не учитывающее анизотропию характеристик переключения, что приводит к разбросу параметров элементов,Цель изобретения - повышение ка" чества изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти.Поставленная цель достигается тем,35 что согласно способу изготовления сегнетоэлектрических элементов па- . мяти, основанному на нанесении на плоскопараллельную пластину сегнето-электрического кристалла полос прово.-40 дящего материала и последующем разделении пластины на подобные части,нанесение на плоскопараллельную пластину сегнетоэлектрического крис талла полос проводящего материала осуществляют в направлении наибольшей скорости бокового движения до-. менных стенок в сегнетоэлектрическом кристалле.Способ реализуется следующим образом,По габитусу сегнетоэлектрического кристалла определяют направление сегнетоэлектрической оси 5 и перпендикулярное ей направление 001 кристаллографической оси с . Разделяют кристалл на плоскопараллельные пластины нужной толщины таким обра зом, чтобы их базовые плоскости были перпендикулярны сегнетоэлектрической оси о , находят направление 102, соответствующее наибольшей скорости бокового движения доменных стенок в кристалле. Нанесение токо- проводящих полос производят в этом направлении и разделяют пластину на подобные части.Направление наибольшей скорости движения доменных стенок находят известным способом переключения кристаллов электрическим полем при визуализации динамики доменов с помощью нематических жидких кристаллов цти сканирующей электронной микроскопин аНанесение токопроводящих полос в направлении наибольшей скорости движения доменных стенок позволяет включать в процесс переполяризации максимальное число зародышей доменов и использовать анизотропию скорости их бокового роста, значительно повысить тем самым качество изготовления элементов памяти.

Смотреть

Заявка

3590584, 10.05.1983

ВОЛГОГРАДСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ ИНСТИТУТ

ДОНЦОВА ЛИДИЯ ИВАНОВНА, БУЛАТОВА ЛЮДМИЛА ГЕННАДИЕВНА, ТИХОМИРОВА НАТАЛЬЯ АЛЕКСАНДРОВНА, ШУВАЛОВ ЛЕВ АЛЕКСАНДРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/22

Метки: памяти, сегнетоэлектрических, элементов

Опубликовано: 07.01.1985

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1133620-sposob-izgotovleniya-segnetoehlektricheskikh-ehlementov-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти</a>

Похожие патенты