Способ легирования полупроводникового соединения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
библиотека. н 15; О П И С А Н И Е (и) 437153ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоввщваСоциалистицескихРеспублик(51) М. Кл. Н 011 7/54 Государственный комитет Совета Министров СССР ао делам изобретений и открытий(088,8) 2) Авторы изобретения Н. В, Агринская, Е. Н, Аркадьева, М. И, Гусева,О. А. Матвеев и В. А. Сладкова рдена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе(71) Заявитель 54) СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВО СОЕДИНЕНИЯ1Изобретение относится к ионно-лучевой технологии электронных приборов на основе полупроводниковых соединений и может быть использовано для сильного легирования соединения (концентрация носителей ) 10" - 101 з см - з)Известен способ сильного легирования полупроводниковых материалов путем облучения их ионами примеси от ускорителя заряженных частиц с последующим отжигом, заключающийся в том, что облучаемый слой переводят в аморфное состояние путем дополнительной бомбардировки ионами инертного газа или снижением температуры кристалла до температуры жидкого азота и затем проводят рекристаллизацию разрушенного слоя путем последующей термообработки.Однако такой способ неэффективен в случае полупроводниковых соединений, например АзВ,.Цель изобретения - увеличение электрической активности легирующей примеси, введенной при ионном внедрении в полупроводниковое соединение, например А,В,.Это достигается тем, что после облучения полупроводникового материала ионами примеси в ускорителе образец перед отжигом дополнительно облучают ионами наиболее летучего элемента основного вещества, Для оптимального увеличения концентрации электрически активных примесей ионы наиболее летучего элемента основного вещества вводят в количестве, соответствующем концентрации внедренной примеси. При этом независимо от того, аморфизируется облучаемый слой или нет, после отжига кристалла достигается высокая концентрация электрически активных примесей.В процессе отжига происходит активное расположение легирующей примеси и снижение О концентрации радиационных дефектов, которые залечиваются как в результате самого процесса отжига, так и благодаря дополнительному введению наиболее летучего элемента основного вещества.5 При осуществлении предложенного способапроводят легирование образца СдТе, для которого упругость пара Сд существенно (приблизительно в 10 раз) превышает упругость пара Те. Для того, чтобы обеспечить сильное 2 О легирование на таком материале, образец теллурида кадмия помещают в ускоритель заряженных частиц и облучают вначале ионами мышьяка в количестве 6 104 ион/см, а затем ионами кадмия в количестве 6 104 ион/см.25 Энергия ионов 40 кэв. После этого образецпомещают в эвакуированную кварцевую ампулу и проводят отжиг в однотемпературной печи при 600 С в течение 10 мин. При этом происходит отжиг радиационных дефектов, ак- ЗО тивное расположение мышьяка в узлах теллура и залечивание избыточных вакансий437153 Предмет изобретения Составитель М, Лепешкина Редактор Т. Загребельная Техред 3, Тараненко Корректор Т. ХвороваЗаказ 3447/18 Изд.116 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 кадмия дополнительно введенным кадмием, В результате этих операций атомы мышьяка становятся электрически активными, а компенсирующее действие собственных дефектов решетки снимается залечиванием вакансий кадмием.Результаты опытной проверки показывают, что удельное сопротивление образца, легированного по предлагаемому способу, уменьшается в 100 раз по сравнению с легированием только ионами мышьяка без дополнительного облучения ионами кадмия. Способ легирования полупроводниковогосоединения путем внедрения ионов легирующей и дополнительной примесей и высокотемпературного отжига, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью увеличения электрической активности легирующей примеси, в качестве дополнительной примеси внедряют ионы наиболее10 летучего компонента соединения в количестве,равном количеству внедренной легирующейпримеси,
СмотретьЗаявка
1912389, 23.02.1973
ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ
АГРИНСКАЯ НИНА ВИКТОРОВНА, АРКАДЬЕВА ЕВГЕНИЯ НИКОЛАЕВНА, ГУСЕВА МАРИЯ ИЛЬИНИЧНА, МАТВЕЕВ ОЛЕГ АЛЕКСАНДРОВИЧ, СЛАДКОВА ВАЛЕНТИНА АЛЕКСЕЕВНА
МПК / Метки
МПК: H01L 7/54
Метки: легирования, полупроводникового, соединения
Опубликовано: 25.07.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-437153-sposob-legirovaniya-poluprovodnikovogo-soedineniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ легирования полупроводникового соединения</a>
Способ модификации поливинилбезилатар1зобретение относится к области производства полупроводниковых материалов, в частности ион-радикальных солей. •предлагается способ модификации поливинилбезилата путем обрабо
Номер патента: 280834
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: C08F 226/02, C08F 8/44
Метки: ион-радикальных, модификации, области, обрабо, относится, поливинилбезилата, поливинилбезилатар1зобретение, полупроводниковых, предлагается, производства, путем, солей, частности
...Поздняк Корректор Т. А. Абрамова Заназ 3437/4 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 Получают продукт темно-синего (почти черного) цвета, на 60 - 70% растворимый в диметилформамиде, ацетонитриле, нитрометане, Он хорошо прессуется, дает прочные пленки из перечисленных растворителей, обладает узким сигналом ЭПР с шириной 2,5 - 2,8 эрст и интенсивностью 5 101 з - 2 10 и саин/г.Электропроводность о простых солей зависит от их состава (процент этерификации) и составляет 10 1" - 10ом смпри энергиях активации проводимости Е 1,6 - 1,8 эв.К 110 4 - 3 10 л М раствору полученной соли в ацетонитрилдиметилформамиде или нитрометане...
Способ отмывки от целлюлозы для производствадиэлектриков ионных примесей
Номер патента: 504391
Опубликовано: 23.04.1981
Авторы: Володина, Еременко, Лохмачев, Тищенко, Федосеев
МПК: D21C 9/00
Метки: ионных, отмывки, примесей, производствадиэлектриков, целлюлозы
...1% на диэлектрические свойства отливок приведеныв табл.1. Данные о влиянии способа обработки водной суспенэии целлюлозы ЭИпри концентрации массы 2 Ъ на ди.электрические свойства отливок приведены в табл.2.Данные о влиянии способа обработкиводной суспензии целлюлозы ЭИ при концентрации массы 1 на диэлектрические свойства отливок приведены в табл.,З.Как видно из табл.1-3, наилучшие диэлектрические свойства показали образцы целлюлозы, обработанныеуглекислым газом и содержащие во массе 0,1 Ъ сульфата магния, при этомприменялась обычная водопроводнаяводаП р и м е р 2. Предлагаемыйспособ обработки целлюлозы был про 15 верен в полупромышленных условияхна целлюлоэном заводе г.Питкяранта,для чего была изготовлена опытнаяустановка.Через сосуд...
Способ определения стойкости нитроцеллюлозы
Номер патента: 46071
Опубликовано: 29.02.1936
МПК: G01N 27/56
Метки: нитроцеллюлозы, стойкости
...лишь в случае водного золя.Второй вариант способа состоит в об.лучении лучами ртутно-кварцевой лампы ацетоновых растворов нитроцеллюлозы.Преимущества этого варианта - меньшая продолжительность опыта. Методика определения стойкости нитроцеллюлозы по первому варианту способа заключается в следующем: навеска 0,1 г нитроцеллюлозы растворяется в 100 см" сухого ацетона, полученный раствор быстро вливается в 40 смв дестиллированной воды. Йцетон и часть воды отгоняются на песчаной бане из колбы Вюрца до объема 25 смв т. е, до получения 0,4 оо водного золя. Последний помещается 1 в две кварцевые пробирки (длина 15 см,днам. 1 см), которые закрываются пропарафиненными корковыми пробками.12 таких пробирок с б-ю исследуемыми образцами помещаются в...
Способ получения безуглеродистого хрома электролизом водных растворов хлорида хрома
Номер патента: 51432
Опубликовано: 01.01.1937
Авторы: Гольц, Израилевич
МПК: C25C 1/00
Метки: безуглеродистого, водных, растворов, хлорида, хрома, электролизом
...ведется с применением диафрагмы и нерастворимых анодов. В процессе электролиза на катоде выделяется хром и водород, а на аноде - газообразный хлор. Основные трудности, возникавшие при выделении хрома из растворов хлоридов и заключавшиеся в низких выходах пс току и осаждении на катоде, при длительном ведении процесса электролиза гидратов окислов, преодоленытем, что в католит добавляется хлористый аммоний, а в качестве анолитаприменяется соляная кислота. Введение хлористого аммония способствуетсозданию необходимой кислотностираствора, а применение в качествеанолита соляной кислоты полностьюпредотвращает, благодаря переносуионов водорода во время электролиза,образование основных солей хрома.При этих условиях процесс электро-лиза протекает...
Способ получения фосфорнокислого натрия из феррофосфора
Номер патента: 58370
Опубликовано: 01.01.1940
Авторы: Крешков, Михайленко
МПК: C01B 25/30
Метки: натрия, феррофосфора, фосфорнокислого
...в муку и смешивают с сульфитом натрия в отношении 1: 2 или со смесью сульфита натрия с содой в отношении Далее фосфидно.сульфитную смесь сплавляют в закрытом тигле при температуре 500 - 600 в течение двух часов. Полученный плав экстрагируют горячей водой. Осадок отфильтровывается. Фильтрат выпаривается и кристаллизуется,Кристаллы содержат фосфат натрия с примесью сульфата,Количество фосфора, извлеченного таким путем из феррофосфора, достигает 90 Я от теории.Технический фосфат может найти всестороннее применение в технике.П р и м е р 2. Смешивают мелко измельченный феррофосфор с сульфитом и кальцинированной содой в отношении 2:3:1 молей, т. е. берут 285,4 вес, ч. (2 моля) Ре,Р, 378 вес, ч. (3 моля) Иа,80 а и 106 вес. ч, (1 моль) ИааСОа....
Предыдущий патент: Устройство для подвода формовочного потенциала к окисляемому образцу
Следующий патент: Химический источник тока
Случайный патент: Буферное запоминающее устройство