Лтеет
Тепловая модель полупроводникового диода в обратном включении
Номер патента: 337793
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Лтеет, Минц
МПК: G06G 7/62
Метки: включении, диода, модель, обратном, полупроводникового, тепловая
...диоду в обратномвключении можно применить исходную систему уравнений, предложенных для терморезисторов, учитывая также уравнение для тока 5 Ун. Кроме того, целесообразно рассматриватьв качестве выходной величины не изменение сопротивления Яа изменение общего тока тд, так как в этом случае на изменение величины измерительного тока, влияет не только 20 изменение сопротивления но и тока 1,.Рассмотрим исходные уравнения"о - о з1+о3 То - 0 о Целесообразней в данном случае в качестве выходной величины использовать величинуПриведенную систему уравнений отражает приведенная на чертеже телловая модель полупроводникового диода в обратном включении. где Р, - мощность, потребляемая диодом,Р, - мощность, рассеиваемая в окружающую среду,Ры -...