H01S 5/30 — структура или форма активной зоны; материалы, используемые для активной зоны

Номер патента: 521806

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Алферов, Андреев, Клепикова, Колышкин, Ларионов, Портной, Шелованова

МПК: H01S 5/30

Метки: гетеропереходами, лазер, полупроводниковый

...(И - 10 см ), Области переменного состава (3 и 5) выполнены иэ АЯф ЦОАЬ (х,00-0,10) с т 1, р=5 10-10 см . Их толщина может изменятьсяв пределах 0,5-3 мкм, Состав широкозонныхэмиттеров постоянного состава (2 и 6) иэАйсАб составляет 20 мол,%А 1 А 6 (и, р - 10 см ), Слои и гнев -зпа обычно легируются теллуром, слои р -типа легируются бе. Предельные импульсныеосветовые мощности, полученные при 300 Кна лазере, изображенном на фиг, 2, с толтолщиной узкозонного слоя 0,5 мкм, толщинойволноводной области 2,5 мкм, оказалисьпри выводе излучения через одну резонаторную грань700 Вт/см ширины лазера(длительность импульса Г им= 10 с),йа пороговая плотность тока была 2,2 кА/см(грани резонатора Фабри-Перо изготовлялись скалыванием, длина лазера...

Номер патента: 622378

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Гуляев, Шкердин

МПК: H01S 5/30

Метки: акустической, лазер, обратной, распределенной, связью

...слоя. Частота этого излучения зависит от параметров звуковой волны,таких как частота и амплитуда, атакже от длины активного слоя крис- д 5 ;таяла. В частности при достаточно мощной звуковой волне, когда/" /1,где Ь - длина активного слоя,"ЬК=он,ЬЕ - амплитуда модуляции Ео звуковой волнойд - волновой вектор звука, выражение для собственных частот генерации лазера имеет следующий вид;.ярд )яин = ио 1+3(1+ - р - Ц, 1)й Ягдеф ап =+1, +2,+ 3,,с - скОрость света в вакууме.Из выражения (1) видно, что частота излучения лазерных мод, зависитот ВВ . ДЛя получения частотной модуляции лазерного излучения необходимо работать в режиме частотно стоячей звуковой волны, когда, например 50д К = 61 о(1+В соз 2 Ыгде 0(Ес 1 - коэффициент...

Номер патента: 673103

Опубликовано: 25.02.1980

Авторы: Баранов, Гончаров, Дедушенко, Плетнев

МПК: H01S 5/30

Метки: активный, генератора, квантового, полупроводникового, элемент

...в веществе пассивного слояс атомным номеромбольшим атомногономера материала активного слоя.Активный элемент полупроводниковогоквантового генератора представлен на 2 Офиг. 1, Он состоит из подложки 1, водновода активного элемента 2 и слоя вещества покрьггия 3 с атомным номеромбольшим, чем атомный номер материалаволновода.25Сечение упругого рассеяния элементов на атомах пропорционально атомному номеру в квадрате, в сечение неупру.гого рассеяния - первой степени, поэтому в нанесенном слое упругое рассеяниепреобладает над неупругим, вследствиечего энергия электронного пучка, проходящего нанесенный слой и попадающего в активный элемент, меняется мало,а угловое распределение уширяется значительно. Это ведет к увеличению долиэнергии,...

Номер патента: 753329

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Жуков, Макрицкий, Сосновский

МПК: H01S 5/00, H01S 5/30

Метки: инжекционных, лазеров, работы, ресурса

...мощности, с другой - дальнейшее увеличение частоты, как правило, вызывает деградаци 1 о инжекционных лазеров.Одной из причин, оказывающих существенное влияние на скорость старения инжекционных лазеров, является взаимодействие генерируемого излучения и инжекти-. руемых носителей заряда с дефектами и неоднородностями, расположенными в канале генерации и на его границах. Это вэаимодействие приводит к возникновению неоднородного поля температур и соответственно к локальному изменению ширины запрещенной зоны, что увеличивает поглощение генерируемого излучения и скорость роста дефектов. Инжекционные лазеры, у которых неоднородности более эффективно взаимодействуют с генерируемым излучением, имеют более низкую частоту /, при которой...

Номер патента: 786796

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Жуков, Макрицкий, Сосновский

МПК: H01S 5/00, H01S 5/30

Метки: инжекционных, лазеров, работы, ресурса

...принимается одинаковым и равным среднему значению ресурса, определенного для 1 - 5 оо образцов,Определение ресурса работы проводят по формуле: Целью изобретения является повышение надежности прогноза и упрощение способа,Поставленная цель достигается тем, что в известном способе, включающем определение энергии активации Е, по результатам ускоренных испытаний нескольких образцов партии при фиксированных значениях температуры окружающей среды, измеряют мощность генерируемого излучения в момент включения постоянного тока и через время, за которое температура активной области достигает своего стационарного значения, для всех образцов партии, для выбранных образцов, имеющих одинаковую температуру перегрева .активной области, определяют...

Номер патента: 594843

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Алферов, Андреев, Жиляев, Казаринов, Корольков, Сурис

МПК: H01S 5/30

Метки: генератор, излучения, квантовый, твердотельный, усилитель, электромагнитного

...с различными ширинами запрещенных зон причем толщины указанных слоев больше постоянной кристаллической решетки и меньше длины свободного пробега электронов в данном материале.На фиг.1 дано схематическое иэображение.периодического потенциала сверхрешетки и энергетических уровней594843 Корректор Э.Лончаков 4 аз б 880 Тираж 615 Подписное НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб.,:д. 4/5В Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина, 101. при отсутствии внешнего электрического поля; на фиг,2 - при приложении электрического поля,Выполнение квантового усилителя и генератора в виде монокристаллической структуры с одномерным периодическим...

Номер патента: 1416016

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Волощенко, Сотин

МПК: H01S 5/30

Метки: генератор, импульсов, оптических

Генератор оптических импульсов, содержащий входной оптический волновод и выходной волновод, связанные с замкнутым оптическим волноводом посредством соединительного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности амплитуды выходных импульсов, уменьшения габаритов и достижения возможности запуска устройства электрическим импульсом, замкнутый волновод выполнен на одной подложке с соединительным элементом и содержит по крайней мере два оптически связанных двухкомпонентных инжекционных лазера, активные области которых являются участками упомянутого замкнутого волновода, а резонаторы лазеров образованы брэгговскими зеркалами, причем контакты лазеров соединены с блоком управления.