H01L 7/54 — H01L 7/54

Номер патента: 437153

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Агринская, Аркадьева, Гусева, Матвеев, Сладкова

МПК: H01L 7/54

Метки: легирования, полупроводникового, соединения

...элемента основного вещества вводят в количестве, соответствующем концентрации внедренной примеси. При этом независимо от того, аморфизируется облучаемый слой или нет, после отжига кристалла достигается высокая концентрация электрически активных примесей.В процессе отжига происходит активное расположение легирующей примеси и снижение О концентрации радиационных дефектов, которые залечиваются как в результате самого процесса отжига, так и благодаря дополнительному введению наиболее летучего элемента основного вещества.5 При осуществлении предложенного способапроводят легирование образца СдТе, для которого упругость пара Сд существенно (приблизительно в 10 раз) превышает упругость пара Те. Для того, чтобы обеспечить сильное 2 О...

Номер патента: 447969

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Акимченко, Вавилов, Галкин, Краснопевцев

МПК: H01L 7/54

Метки: германии, р-п=перехода, р=типа

...легированных образцов является нежелательной.Известный способ получения р-и-перехода в германии и- и р-типов методом ионно-лучевой технологии состоит в ионном внедрении донорной (акцепторной) примеси с последующей термообработкой при 400 - 600 С или в ионном внедрении донорной (акцепторной) примеси при повышенной температуре 400 - 500 С.Цель изобретения - увеличение вр жизни неосновных носителей заряда.Цель достигается путем бомбардировки германия р-типа ускоренными ионами донорной примеси при определенных плотностях тока ионного пучка, Слои с проводимостью и-типа получаются при внедрении ионов фосфора и лития с энергией 40 кэв при .плотности тока 4 мка/см - е и выше и дозах облучения 5 10" см -и выше.Кристалл германия,...

Номер патента: 392855

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Акимченко, Вавилов, Галкин, Краснопевцев, Крашенинников, Милютин, Фример

МПК: H01L 7/54

Метки: окисных, пленок

...дозе облучения 10 д - 5 10" см - 2.На предварительно химически полированные и очищенные поверхности кристаллов германия и кремния методом анодного или тер. мического окисления наращивают пленки беОе и ЯО, толщиной 1500 - 5000 А. Затем пленку окиси подвергают бомбардировке тяжелыми ионами, например, ионами В", Х 4, 1 че (Мз)д Кз 9 и т. д. с энергиями 10 - 100 кэв при комнатной температуре и дозах 10 и - 5 101 есм -в вакууме не ниже 10392855 Предмет изобретения Составитель М, СорокинаРедактор Н, Мельниченко Текред Л, Казачкова Корректоры: В. Петрова и О. ДанишеваЗаказ 1712720 Изд. М 1390 Тираж 833 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытийМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр....