Устройство для моделирования полупроводникового прибора
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 490134
Авторы: Адейшвили, Карманов, Кривоносов, Кругликов
Текст
(22) Заявлено 29.12.72 (21) 1869556/18-2с присоединением заявки Ме(23) ПриоритетОпубликовано 30.10,75. Бюллетень Ке 40Дата опубликования описания 27.01.76 Кл, б 06 д 7/48 Государственный комитет Совета Министров СССР2) Авторы изобретения Е. Адеишвили, И. А. Кругликов, А. И. Кривоносов и В. ф ано сковский опытно-экспериментальный школьный завод Чайка 1) Заявител Я МОДЕЛИРОВАНИЯ ОВОГО ПРИБОРА(54) УСТРОЙСТВО ПОЛУПРОВОД к области моделирох приборов,для моделирования иборов, содержащие тели и фупкциональичем в известных устблока умножения входу сумматора, к о подключен первый Изобретение относитсявания полупроводниковыИзвестны устройстваполупроводниковых прблоки умножения, усилипые преобразователи, прройствах выход первогоподключен к первомувторому входу которогвход устройства. Недостатком известных устройств является недостаточно высокая точность моделирования.Целью предложенного устройства для моделирования полупроводникового прибора является увеличение точности моделирования.Это достигается тем, что выход первого функционального преобразователя через пер. вый усилитель подключен к первому входу второго блока умножения, второй вход которого соединен с первым входом третьего блока умножения, вторым входом подключенного к выходу устройства, а выход третьего блока умножения соединен с первым входом первого блока умножения, второй вход которого подключен к выходу второго функционального преобразователя, а выход сумматора через последовательно соединенные третий функциональный преобразователь и второй усилитель подключен к входу первого функционального преобразователя.Блок-схема предложенного устройства длямоделирования полупроводникового прибора 5 представлена на чертеже. Она содержит входные 1, 2, 3 и выходные 4, 5, 6, 7 клеммы, функцпональныс преобразователи 8, 9, 10, блоки умножения 11, 12, 13, сумматор 14 и усилители 15, 16.10 Устройство для моделирования полупроводникового прибора, например терморезистора, позволяет, имея в качестве исходных данных паспортнье данные прибора, моделировать величины статических параметров при опре деленных входных тсплофизических величинах.Сигналы, пропорциональные коэффициентурассеивания, температуре окружающей среды и току через терморезистор, подаются соответ ственно на входные клеммы 1, 2, 3 устройства, с выходных клемм 4, 5, 6, 7 которого снимаются соответственно сигналы, соответствующие статическому сопротивлению, напряжению, температуре рабочего тела и выделяемой 25 в моделируемом приборе мощности.Вход усилителя 15 устройства для модели.рования полупроводникового прибора связан с выходом функционального преобразователя 9, а выход - с входом функционального пре образователя 10, Выход функционального5 10 15 20 2 д 30 35 40 преобразователя 10 соединен с входом усилителя 16, выход которого связан через выходную клемму 4 с первым входом блока умножения 13. Второй вход блока умножения 13 через входную клемму 3 сосдинеп с первым входом блока умножения 12, а выход - через выходную клемму 5 с его вторым входом. Выход блока умножения 12 соединен через выходную клемму 7 с первым входом блока умножения 11, второй вход которого через функциональный преобразователь 8 связан с входной клеммой 1, а выход в с первым входом сумматора 14. Второй вход сумматора 14 непосредственно подключен к входной клемме 2, а выход через выходную клемму 6 связан с входом функционального преобразователя 9.Моделирование величин статических параметров полупроводникового прибора, например терморезистора, осуществляется следующим образом.Сигналы, пропорциональные определенным значениям коэффициента рассеивания и температуры окружающей среды подаются с входных клемм 1 и 2 соответственно па входы функционального преобразователя 8 и сумматора 14. Сигнал, пропорциональный температуре рабочего тела, возникает на выходе сумматора 14, который суммирует сигнал, пропорциональный температуре среды, и выходной сигнал блока умножения 11. Сигнал, пропорциональный статическому сопротивлению, появляется на выходе усилителя 16, на вход которого поступает выходной сигнал функционального преобразователя 10. Сигнал, пропорциональный напряжению, будет па выходе блока умножения 13 сигналов, соответствующих статическому сопротивлению и току полупроводникового прибора. Сигнал, соответствующий выделяемой мощности, появляется на выходе блока умножения 12 сигналов, пропорциональных току и напряжению терморезистора или какого-либо другого полупроводпикового прибора. Сигнал, пропорциональный току полупроводникового прибора, в предлагаемом устройстве является заданным, так как определяется нагрузкой прибора и подается на входную клемму 3.Предложенное устройство может быть использовано для исследования как электрических, так и теплофизических режимов работы полупроводникового прибора. В случае исследования теплофизических режимов работы необходимо иметь в качестве заданных зависимости теплофизических параметров, таких как, например, влажность, скорость потока и т. д от коэффициента рассеивания. Сигналы, пропорциональные этим параметрам, подаются на входную клемму 1. Предмет изобретения Устройство для моделирования полупроводникового прибора, содержащее блоки умножения, усилители и функциональные преобразователи, причем выход первого блока умножения подключен к первому входу сумматора, к второму входу которого подключен первый вход устроиства, отличающееся тем, что, с целью увеличения точности моделирования, в нем выход первого функционального преобразователя через первый усилитель подключе к псрвому входу второго блока умножения, второй вход которого соединен с первым входом третьего блока умножения, вторым входом подключенного к выходу устройства, а выход третьего блока умножения соединен с первым входом первого блока умножения, второй вход которого подключен к выходу второго функционального преобразователя, а выход сумматора через последовательно соединенные третий функциональный преобразователь и второй усилитель подключен к входу первого функционального преобразователя.4901 34 оставитель Е, ТимохинТехреду М. Семенов Тираж 679Совета Минисоткрытийская наб., д. 4 Подписное ров С биография, пр. Сап нов Редактор Г. Яковле Заказ 3344/12ЦНИИПИ Изд. Лв 1925Государственного комитет по делам изобретений13035, Москва, Ж, Рау Коректоры: Т. Миронова и 3. Тарасова
СмотретьЗаявка
1869556, 29.12.1972
МОСКОВСКИЙ ОПЫТНО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЙ ШКОЛЬНЫЙ ЗАВОД "ЧАЙКА
АДЕЙШВИЛИ ЛЕРИ ЕВГЕНЬЕВНА, КРУГЛИКОВ ИГОРЬ АЛЕКСАНДРОВИЧ, КРИВОНОСОВ АЛЕРИЙ ИВАНОВИЧ, КАРМАНОВ ВАЛЕНТИН ФЕДОРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G06G 7/48
Метки: моделирования, полупроводникового, прибора
Опубликовано: 30.10.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-490134-ustrojjstvo-dlya-modelirovaniya-poluprovodnikovogo-pribora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для моделирования полупроводникового прибора</a>