Способ измерения распределения потенциала по толщине полупроводникового слоя

Номер патента: 532829

Авторы: Алексеюнас, Рибикаускас, Чеснис

ZIP архив

Текст

Оп ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Сооз Советских Социалистических Республик) М, Кл. 601 Ч 31/ 22) Заяв присоединением з3) Приоритет осудврстввнный коиитгтСоватв Иинистров СССРво донов ивобрвтвнийи открытий(43) Опубликовано 25,10,76,Бюллетень39(45) Дата опубликования описания 18,02.77 К 621,382088, 8)(5 А. Чесни А, А, Апексеюнас, А. А, Рибикаус 72)в.,:эры ао,р:тени-,итовской ССР ков ики попупров 7) Яаявител. нститу ПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛАВОДНИКОВОГО СЛОЯ физи слои полуслоя на Это достигается тем, чтопроводника при нанесении эт лектроондов расой обложку вводят тонкопленочные риво опаг оскосас тям токовых электродов,На чертеже показан образец дпявпения предлагаемого способа.На твердотельную подложку 1электрод 2 наносят многоспойнув следующей последовательностипроводника 3, тоодный зонд 4нантоковый электрод.При измерениях к токовым электр ущест токовыи ю структу : слой по пектропро нкоппеночный эи т.д, Последним еИ в дам еле боп образцаной веди ним вхо сационнои сх жения меж и отдельными о Цель изобретени ю способность из ичить разреш- уверенсть мн о топщине и или между соседними зондами.Микрорасстояния, на которых прся измерения падения напряжения,гократных изестах. обеспечить возможно мерений в одних и т водят- преде 54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИ ПО ТОЛШИНЕ ПОЛ Изобретение относится к методике ческих исспедований полупроводников и приборов ьа их основе.Известно, что дпя измерения распредепения потенциапа по толине тонкопленочных Об азиев, .апр.:.,ер полупроводниковых систем с р-с-переходом и с токовыми электоодами на противоположных поверхностях, на этих образцах изготавливают поперечньй срез-шпиф, а установка для таких измерений содержит передзижной клиновидный ипи конусообразный эпектроприводный зонд с небопьшим углом заточки, обеспечивающим врезание зонда в срез-шлиф исследу мого образца.Однако расстояния, на которых измеряется гадение напряжения, ограничиваются конструкцией и размерами передвижного зонда и практически не могут быть меньше чем 3-5 мкм. 2 е зонды, причем концы з на границе подэпектродн лоскостях,параплепьных ключаот напряжение опреды. При помощи прибора см сопротивлением или ком мы определяют падение одним из токовых эпект электропроводными зон532829 Составитепь Л, ОжередовСтенина Техред О. Луговая Корректор С, Шекмар дакт 1/208 Тираж 1029 ПИ Государственного комитетпо депам изобретений 113035, Москва, Ж, Рау ПодписноеСовета Мини открытий аз 54 в ССС наб д, 4/5 пиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проект ляют по геометрическим размерам и расположению зондов,формула изобретения Способ измерения распределения потенциала по толшине полупроводникового слоя путем подведения измерительных зондов к к исспедуемой области, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью увеличенияразрешающей способности измерения по толшине и обеспечения возможности многократных измерений в одних и тех же местах, вслой попупроводника при нанесении этогослоя на подложку вводят тонкопленочныеэлектропроводные зонды, причем концы зондов располагают на границе подэлектроднойобласти в плоскостях, параплельных плоск костям токовых электродов.

Смотреть

Заявка

1757899, 10.03.1972

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АН ЛИТОВСКОЙ ССР

АЛЕКСЕЮНАС АНТАНАС АНТАНО, РИБИКАУСКАС АНТАНАС АДОМО, ЧЕСНИС АНТАНАС АНТАНО

МПК / Метки

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводникового, потенциала, распределения, слоя, толщине

Опубликовано: 25.10.1976

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-532829-sposob-izmereniya-raspredeleniya-potenciala-po-tolshhine-poluprovodnikovogo-sloya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения распределения потенциала по толщине полупроводникового слоя</a>

Похожие патенты