Агринская

Номер патента: 594111

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Агринская, Гальперина, Мурадян, Ревенко, Хчеян, Шаталова

МПК: C07C 121/32

Метки: акрилонитрила

...2. Парогазовую смесь, содержащую 19,7 г ацетоннтрила, 6,9 г метана, 3,56 г кислорода, 1,55 г.синильнойкислоты, 3,57 г воды, пропускают черезреактор, заполненный катализатором, аналогичный тому, что описан в примере 1, нриобъемной скорости 3130 час и.темпераотуре 725 С.По окончании реакции получают смесь,содержащую, 16,94 г ацетонитрила, 3,34 г.акрилонитрила, 0,22 г пропионитрила,1,55 г синильной кислоты. Конверсия аце 45тонитрила 14,0%, выход акрилонитрила121,1 вес.% от теории в расчете на прореагировавщий ацетонитрил.П р и м е р 3. Парогазовую смесь, содержащую 8,8 г ацетонитрила 10,7 г метана, 8,26 г кислорода, 19,4 г воды, 0,71 гсинильной кислоты, пропускают через реактор, заполненный катализатором, аналоги ыыитому, что описан в...

Номер патента: 456792

Опубликовано: 15.01.1975

Авторы: Агринская, Багреев, Золотов, Церюта

МПК: C01G 39/00

Метки: выделения, молибдена

...раствором три-и-октиламица в толуоле, Однако указанный способ обеспечивает выделение микроко личеств молибдена из растворов содержащих сопоставимые количества сопутствующих элементов.С целью более полного выделения молибдена из растворов, содержащих макроколичест ва молибдена и микроколичества вольфрама, предлагается в количестве органического растворителя использовать хлорбензол. Экстракцию целесообразно проводить 0,5 М раствором три-н-октиламина в хлорбензоле. 20Описываемым способом можно выделять молибден из растворов, содержащих 10 -- 10-" М вольфрама и 0,2 - 0,3 М молибдена. Пример. Раствор, содержащий 0,2 М молибдена и 1 О - " М вольфрама в 5 М НС 1, встряхивают с 0,5 раствором три-н-октиламина (ТОА) в хлорбензоле, Молибден...

Номер патента: 456791

Опубликовано: 15.01.1975

Авторы: Агринская, Багреев, Золотов, Церюта

МПК: C01G 39/00

Метки: выделения, молибдена

...растворов экстракцией раствором три-и-октиламина в толуоле, Процесс ведут при концентрации соляной кислоты в исходном растворе 4,5 - 6 М. Однако указанный способ обеспечивает выделение микроколичеств молибдена из растворов, содержащих сопоставимые количества сопутствующих молибдену элементов.С целью более полного выделения молибдена из растворов, содержащих макроколичества молибдена и микроколичества вольфрама, предлагается проводить экстракцию молибдена из 6 - 8 М 1-1 Вг. При этом целесообразно использовать 0,4 - 0,5 М раствор три-и-октиламина в толуоле.Описываемым способомолибден из растворов,10-т М вольфрама и О,П р и м е р. Раствор, содержащий 0,3 М молибдена и 10М вольфрама в 7 М НВг, встряхивают с 0,5 М раствором...

Номер патента: 456790

Опубликовано: 15.01.1975

Авторы: Агринская, Багреев, Золотов, Церюта

МПК: C01G 39/00

Метки: выделения, молибдена

...а во остается в водной фазе, Более полног О ления молибдена достигают при по экстракции с новой порцией толуольно твора Т2 М расстрях- ламина либден чьфрам о выдевторной го расОА. Пре ет изобрете 15 1. Способ растворов э амина в т что, с цель растворов,20 либдена г ракцию про содержа щег 2. Способ что использ 25 твор три-и олибдена из кислых аствором три-и-октилчичающийся тем, ого выделения его из микроколичества мотва вольфрама, экст 1,0 М раствора НГ,ма во йся теь ,5 М рас личаю чтительн толуол Изобретение относится к способам выделеия молибдена из растворов и может быть спользовано в аналитической химии, а также технологических целях для очистки молибеновых концентратов и промышленных проуктов от примесей вольфрама. Известен...

Номер патента: 437153

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Агринская, Аркадьева, Гусева, Матвеев, Сладкова

МПК: H01L 7/54

Метки: легирования, полупроводникового, соединения

...элемента основного вещества вводят в количестве, соответствующем концентрации внедренной примеси. При этом независимо от того, аморфизируется облучаемый слой или нет, после отжига кристалла достигается высокая концентрация электрически активных примесей.В процессе отжига происходит активное расположение легирующей примеси и снижение О концентрации радиационных дефектов, которые залечиваются как в результате самого процесса отжига, так и благодаря дополнительному введению наиболее летучего элемента основного вещества.5 При осуществлении предложенного способапроводят легирование образца СдТе, для которого упругость пара Сд существенно (приблизительно в 10 раз) превышает упругость пара Те. Для того, чтобы обеспечить сильное 2 О...