Способ полупроводникового детектирования

Номер патента: 238871

Автор: Изс

ZIP архив

Текст

О П Е изоьретения 23887 Согоа Соаетских Социалистических РесоублииК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕХЗЬСТВУ Зависимое от авт, свидетельства ЪЪ К 421 416 аявлено 29.1,1968 ( 1212683/26-25 присоединением заявкиМ 11 К С 01 пУДК 534.441.3(088,8 орит Номитет оо делам аобретеиий и открытийАвторы зобрете льден, А. А, Жуховицкий и А. В. Б В. Г. Гугля, А сковский институт стали и сплаво витель ОСОБ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТИРОВАН 2 риод ии таза-носителя с поверхности полупро происходит каталит ения анализируемого чеведля органически., соея появление пика СОс иуменьшение пика основн нениц ответго ветавлены хрохтатогра детектора для ацетгтеля гелия с 0,000для газа-носителя аз мы на: 1 о,г от ителя 27 аг.гглин, темпе гли пробы постояии личными концентраци сг и 66 сг раого ми ия с ации росту насыазота мма) ы пиалых пики ы тто; треИзвестны способы полупроводникового детектирования для газовой хроматографии, заключающийся в регистрации изменения электрофизических свойств благодаря взаимодействию анализируемого вещества на ттоверхности,детектирующего элемента.Предлагаемый способ детектирования уменьшает инерционность и повышает чувствительность полупроводникового детектора. Сущность его заключается в том, что на поверхности чувствительного полупроводникового элеьмента детектора осуществляют реакцию взаимодействия анализируемого вещества с газом-носителем.Полупроводниковый элемент в данном случае выполняет роль катализатора реакции, которой может быть, например, реакция окисления или,восстановления. В качестве газа- носителя применяют, например, смесь нейтрального газа с газом-окислителем или во 1 сстановителем для анализируемого вещества.Полупроводниковыми элементами служат, ,например, пленки ХпО и Т 102 толщиной 2000 А или прессованные,спеченные таблетки из ХпО, Газ.носитель - гелий высокой чистоты с содержавием кислорода до 0,0001% или азот с содержанием кислорода до 0,5%, или смесь азота с различным,процентным содержаниехг кислорода. При использованмесью кислорода наникового элементаская реакция окислщества.Напримерфикс ируетсствлощеещества.На чертеже предполупроводнгиковогослева для газа-нокислорода, справа -с 0,5% кислорода.Скорость газа-,ностура 550 С. Вводобъема 0,4 лг.г с разацетона: 0,02%; 0,62 При использовании газа-носителя ге,0,0001% кислорода повышение концентацетона приводит к более быстромуширины пика, чем высоты. Наступаетщенпе. Использование газа-носителяс 0,5% кислорода (правая роматограприводит к резакому уменьшению ширинка и увеличению высоты, причем након центр а ция 0,02% - 0,62% ацетонастановятся почти симметричными. Чтоблулить спгмметричный пик ацетона 6,6%238871 Предмет изобретения Составитель И. К. Кзндрацкаяедактор Б. Б. Федотов Техред Л. К. Малова Корректор О. И, Поп Заказ 1623/18 Тираж 480 ПодписнЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССМосква, Центр, пр, Серова, д, 4 пография, пр. Сапунова, 2 буется увеличить концентрацию кислорода в газе-носителе,Применение в качестве газа-носителя воздуха делает все пики ацетона симметричными и узкими. При этом отношение сигнал/ыулевой ток увеличивается на 1 - 2 порядка за счет уменьшения нулевого тока, т. е. соответственно увеличивается и чувствительность детектора.Минимально детектируемая концентрация ацетона при 550 С на пленочном полупроводниковом элементе из ХпО не более 10 - 5% об. Способ полу проводникового детектирования для газовой хроматографии, заключаю.- 5 щийся в регистрации ивмеыения электрофизических свойств за счет взаимодействия анализируемого вещества на поверхности детвктиру ющего элемента, отличающийся тем, что, с целью увеличеыия чувсъвительности и 10 уменьшения инерционыости, на поверхностидетектирующего элемента осуществляют каталитическую реакцию взаимодействия аыализируемого вещества с газом-носителем.

Смотреть

Заявка

1212683

В. Г. Гугл А. Д. Гольден, А. А. Жуховицкий, А. В. Бакун Московский институт стали, сплавов

изс бретени

МПК / Метки

МПК: G01N 30/00

Метки: детектирования, полупроводникового

Опубликовано: 01.01.1969

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-238871-sposob-poluprovodnikovogo-detektirovaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ полупроводникового детектирования</a>

Похожие патенты