Устройство для заряда полупроводникового

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 32777ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Саюа Саветскиа Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 04.1 Х.1970 ( 1476105/26-25) К С 01 ч 1/2 рисоединением заявкиПриоритетОпубликовано 19.Х 1.19Дата опубликования о Комитет по делам изобретений и открытийеонов, Э. Б. Лихтеров ушаков и В. М. Гуцк аявите од Нефтеприбор РОЙСТВО ДЛЯ ЗАРЯДА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГАРАБАНА ПРИ АВТОМАТИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕСЕЙСМО ГРАММ мет изобретени Пр5Устройствбарабанасейсмогр аммэлектроды0 лампы, отли предлоо для зар при а,вто содер и высоко чающеееяда полу 1 проводник татической обра ащее корониру ольтные электро тем, что, с целью оного ботке ющие нные Изобретение относится к аппаратуре, применяемой при автоматической обработке сейсмогр ам м.Известно устройство для автоматическойобработки сейсмопрамм, в котором для записи и накапливания сигналов используется барабан с полупроводниковым (селеновым) покрытием,При обработке сейсмограмм возникает необходимость поочередного стирания записина отдельных дорожниках и подготовки барабана к новой затсиси, что осуществляется равномерным зарядом соответствующей дорожкипучком ионов от коронного разрядника (коронатора). При этом запись на других дорожках не должна разрушаться.Целью изобретения является обеспечениепрограммного потрассового заряда полупроводникового слоя. Это достигается тем, чтомежду коронирующими электродами и полупроводниковым носителем установлена зарядная маска, а коронирующие электродыкоммутированы высоковольтными электронными лампами,На чертеже показана блок-схемаженного устройства.Между барабаном 1 с полупроводниковымпокрытием и коронирующими электродами 2располагается маска 3 с отверстиями по числу трасс. Для создания однородного коронирующего заряда на полупроводниковом слое к маске приложен небольшой потенциал той же полярности, что и на коронирующих электродах.5 Коронирующие электроды подсоединены ккоммутирующим высокое напряжение У, анодам электронных ламп Лт - Л. Сетки ламп соединены с контактами реле Р 1 - РП.Программа срабатывания реле задается 0 при помощи шагового искателя 4. Шаговыйискатель устанавливается в необходимое положение, и срабатывают реле соответствующих каналов, Контакты реле осуществляют коммутацию управляющего напряжения на 5 сежи ламп. На сетки электронных ламп каналов, которые в данный момент должны заряж ать соответствующие тр ассы, коммутируется-управляющего напряжения У,р, а на сетки ламп каналов, которые должны 0 сохранить прежнее состояние, подается +напряжения.Редактор Н. Корченко Корректор Т. Миронова Заказ 32/15 Изд.1730 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 праммного пограссового заряда полупроводнвкового слоя, между корони(рующими электродами и полупроводниковым носителем установлена зарясная маска, а коронирующие электроды коимутированы высоковольтными электронными л ампами.

Смотреть

Заявка

1476105

Ю. А. Айзман, А. С. Горюнов, Г. М. Леонов, Э. Б. Лихтеров, М. Б. Рапопорт, А. Е. Фролов, С. С. Шушаков, В. М. Гуцкин, Завод Нефтеприбор

МПК / Метки

МПК: G01V 1/24

Метки: заряда, полупроводникового

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-321777-ustrojjstvo-dlya-zaryada-poluprovodnikovogo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для заряда полупроводникового</a>

Похожие патенты