Способ диффузионной сварки полупроводников или металлов с щелочными стеклами
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ДИФФУЗИОННОЙ СВАРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИЛИ МЕТАЛЛОВ С ЩЕЛОЧНЫМИ СТЕКЛАМИ, при котором детали сдавливают, к полупроводнику или металлу прикладывают положительный электропотенциал, а к стеклу отрицательный и осуществляют изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения путем исключения избытка химических соединений щелочных металлов на свариваемой поверхности стекла при изготовлении многослойных изделий, со свободной поверхности стекла удаляют слой, перенасыщенный щелочными элементами.
Описание
Цель изобретения повышение качества соединения путем исключения окислов на свариваемой поверхности стекла при изготовлении многослойных изделий.
Способ осуществляют следующим образом.
Детали из полупроводника или металла устанавливают в контакте с деталью из щелочного стекла и размещают их в сварочной камере. Затем к детали полупроводника или металла прикладывают положительный электропотенциал, а к детали из щелочного стекла отрицательный. Детали нагревают до температуры сварки и осуществляют изотермическую выдержку. После сварки детали охлаждают, со свободной поверхности стекла удаляют слой, перенасыщенный щелочными элементами, устанавливают в контакте с ним вторую деталь из полупроводника или металла, при этом отрицательный электропотенциал оставляют на стекле, нагревают до температуры сварки и осуществляют изотермическую выдержку. После сварки полученное многослойное изделие охлаждают и извлекают из сварочной камеры. В момент приложения электропотенциала за счет миграционной поляризации у положительного электрода образуется обедненный Na слой. Поле концентрируется на границе положительный электрод стекло. К отрицательному электроду выходят положительно заряженные ионы Na и нейтрализуются на поверхности стекла, образуя на нем слой щелочных металлов и их окислов, перенасыщенный щелочными металлами слой стекла. Удаление этого слоя способствует получению качественного соединения при дальнейшей сварке второго слоя полупроводника или металла.
П р и м е р. Производят диффузионную сварку в электростатическом поле дисков из монокристаллического кремния толщиной 0,2 мм, диаметром 8,0 мм со стеклом "Пирекс" в виде дисков диаметром 8,0 мм, толщиной d 0,4 мм, расположенных между дисками из кремния. Кремний обрабатывают по 14 классу, стекло по 12 классу.
Оптимальный режим: температура сварки Т 680 К, напряжение U 400 В.
На первой стадии сваривают два диска. К диску из кремния прикладывают положительный электропотенциал, а к диску из стекла отрицательный. Изотермическую выдержку осуществляют 10 мин под давлением. После сварки со свободной поверхности стекла сошлифовывают слой, перенасыщенный щелочными элементами, толщиной не менее 2 мкм. Затем размещают на ней второй диск из полупроводника и сваривают его со стеклом аналогично сварке первого диска. После сварки полученное многослойное изделие охлаждают и подвергают механическим испытаниям, которые показывают повышение прочности соединения.
Изобретение относится к сварке давлением с подогревом, в частности к диффузионной сварке, и может быть использовано на предприятиях электронной, авиационной и других отраслях промышленности. Цель повышение качества соединения путем исключения окислов на свариваемой поверхности стекла при изготовлении многослойных изделий. Для получения изделий, содержащих полупроводниковые или металлические пластины с расположенным между ними слоем из щелочного стекла, сварку осуществляют в две стадии. На первой стадии слой из щелочного стекла сваривают с первым слоем из полупроводника или металла, прикладывая к стеклу отрицательный, а к полупроводнику положительный электропотенциал. Затем со свободной поверхности стекла удаляют слой, перенасыщенный щелочными элементами, и приваривают к нему второй слой полупроводника или металла.
Заявка
4305967/27, 14.09.1987
Косогоров В. М, Шлифер С. Э, Браун А. Г, Рассказов А. Н, Фролов В. А
МПК / Метки
МПК: B23K 20/14
Метки: диффузионной, металлов, полупроводников, сварки, стеклами, щелочными
Опубликовано: 20.07.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1494376-sposob-diffuzionnojj-svarki-poluprovodnikov-ili-metallov-s-shhelochnymi-steklami.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ диффузионной сварки полупроводников или металлов с щелочными стеклами</a>
Способ измерения толщины диэлектрического слоя на поверхности полупроводника
Номер патента: 1670384
Опубликовано: 15.08.1991
Авторы: Адамян, Барсегян, Паносян, Чибухчян
МПК: G01B 11/06
Метки: диэлектрического, поверхности, полупроводника, слоя, толщины
...О =(1/2 а) п(ЙЙ 1 - 2 Й 1 1)Й 2/(Й - Й 1, где Й = (и - 1)/(п 11)2, Й 2 = (п 2 - п 1)/п 2п 1)1, определяют толщину б контролируемого диэлектрического слоя. 1 ил.С Облучают контролируемый образец пуч- О ком монохроматического света с длинойволны, для которой выполняется условие С) 1 а( 10 см,где а - коэффициент поглощения (р,) материала диэлектрического слоя, измеря- (ф ют интенсивность Й света, отраженного от ф поверхности диэлектрическо о слоя, коэффициент а поглощения, показатели п 1, п 2 преломления материалов диэлектрического слоя и полупроводника, соответственно, вычисляют коэффициенты Й 1 и Й 2 отражения от диэлектоического слоя и границы диэлектрик/полупроводник, соответственно с оомощью выражений1670384 и определяют...
Установка для автоматической дуговой сварки поверхностей с участкал1и разной кривизны
Номер патента: 269383
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Трефилов
МПК: B23K 37/02
Метки: автоматической, дуговой, кривизны, поверхностей, разной, сварки, участкал1и
...горизонтальной скорости перемещения, которая через редуктор 12 перемещает сварочную головку 4.В устройство 10 одновременно подается напряжение, пропорциональное заданной скорости сварки У,; Ц, - истинное значение скорости сварки в данной точке.Система 11 изменяет скорость У до тех пор, пока ЛУо = Уо - Уи не станет меньше заданной величины ЛУ.Одновременно сигнал с трансформатора 7 с фазой, равной углу наклона профиля в точке сварки, поступает в устройство 13 для формирования входного сигнала, управляющего приводом поворота головки, содержащее сравнивающее устройство (фазовый дискриминатор) 14. В качестве опорного напряжения последнего используется напряжение с измерителя 15,5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 действительного угла...
Ванна к установке для изготовления на слое расплавленного металла листового стекла с модифицированной поверхностью
Номер патента: 525628
Опубликовано: 25.08.1976
МПК: C03B 18/02
Метки: ванна, листового, металла, модифицированной, поверхностью, расплавленного, слое, стекла, установке
...атмосферы ванны,зобретения - повышение качеств тем устранения загрязнения защище, Вып Опне нное из Бесм ачиваем ОГО с теином Огнеупоря (например Графита,. Боковые стенки 7 корыта 5 обращенные к бортам Ванны, выполнены повыщенными, внутри Бих распопо - жены кйняп 8 дпя подводй гйзй с ДБЙ стороны и кйнйп 9 с другой стороны дпя Отвода продуктов реакдии, Между боковыми стенками 7 и углублением 10 корыта 5 рязме - щены поибортовые канавки 11, которые заполняются Оасппявом металлаОддерживаю- Я ПИМ " РЯЯ Пенп и Стекай ЗгиектРРМЯГНгт;гЙ НБОУктОР 4 смонтиРОВЯБ НЯ водоохгпаждаемОЙ стапьной бапке 12, Внутри которой пРОхОДит трубопровод 13 для подвода газового реа. - гента и трубопровод 14 для Отвода продук- й тов реакции наружу. Балка 12...
Способ спектроскопического исследования адсорбированных и сверхтонких слоев на поверхности пластин полупроводников и диэлектриков
Номер патента: 1099255
Опубликовано: 23.06.1984
Авторы: Александров, Алесковский, Сомсиков, Толстой
МПК: G01N 21/21
Метки: адсорбированных, диэлектриков, исследования, пластин, поверхности, полупроводников, сверхтонких, слоев, спектроскопического
...направляют на пластину со слоем под угломас 1 ф о э,где нэ - показатель преломления пластины без слоя, и регистрируют многократно прошедшее через пластину со слоем излучение.Заказ 4365/37 Тираж 823 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патентф; г. Ужгород, ул. Проектная,4 соответствующую органическим загрязнениям. Промывают пластину СС 6, Я 0и вновь регистрируют спектр в выбранной области (полосы поглощения в области 2940 см"отсутствуют). Наоснове данных результатов удаетсясделать вывод об эффективности отсевки. П р и м е р 2. Пластину кремния диаметром 60 мм и толщиной 350 мкм помещают в держателе на плато приставки к спектрофотометру...
Способ создания сервовитного слоя на поверхностях пар трения скольжения
Номер патента: 1350443
Опубликовано: 07.11.1987
Авторы: Пащенко, Рагутский, Ржевский, Солод, Тютюнник, Хорин
МПК: F16N 15/00
Метки: пар, поверхностях, сервовитного, скольжения, слоя, создания, трения
...и дозатора и доводятся до заданной концентрации непосредственно перед подачей в рабочие камеры, Программное устройство нагрузок и разгрузок гидростатических давлений в рабочей камере имеет регулируемый режим по скорости нагруженияи достижения заданного гидростатического давления до Ри до Р кр. минкр мин, кр. миифЛюбой из циклов нагружения, выдержкадостигнутого давления и последующаяразгрузка могут быть изменены в процессе выдачи видеозаписи заданногои фактического циклов диаграммы нагружения. С каждого гнезда ппиты производится видеозапись цикла гидростатического нагружения, электротока,температуры, а также тепловые, световые, акустические процессы у верхнейи нижней кромок кольцевых капиллярныхщелей каждого поршня и гильзы,...
Предыдущий патент: Способ усиления электромагнитных колебаний в электровакуумном приборе
Следующий патент: Установка для изготовления отливок направленной кристаллизацией
Случайный патент: Делительное устройство