Патенты с меткой «диэлектрическим»

Номер патента: 127856

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Романенко

МПК: G01N 27/22

Метки: датчиком, диэлектрическим, емкостным, измерительных, тарировки, устройств

...условия.; . ограничивают область применения емкостных датчиков для анализа ил: контролирования тех или иных сред.При применении предлагаемого способа 1 арировку прибора с диэлектрическим датчиком производят на стабильных жидких моделях, дизлектрическая проницаемость которых соответствует лабораторным да- ным, полученным для образцов измеряемых сред.Способ предусматривает три варианта моделирования неустоинв ; сред на основе использования стабильных растворов. По первому варпан - ту для моделирования применяют стаоильный раствор, диэлектрнч -М 127856кую проницаемость которого устанавливают посредством изменения содержания того или иного компонента. По второму варианту используют стабильный раствор, требуемуо диэлектрическую...

Номер патента: 642584

Опубликовано: 15.01.1979

Автор: Шкилев

МПК: F25B 45/00

Метки: диэлектрическим, заполнения, тепловой, теплоносителем, трубы

...12 и зоной конденсации ХЗ;на соединительных трубопроводах установлены вентили 3 А 21, внутри трубы8 размещен высоковольтный электрод 22; Описываемый способ осуществляют следующим образом.После дегазации трубы 8 с помощью вакуумного насоса 10 вентили 18 21 закрывают и при открытых вентилях 3 Атепдоноситедь в жидкой среде пропускают через колонку Х, где производится его дегидратация на модекудярввх ситах, имеющих структуру алюмо-.ЗО сидиката натрия или кальция, Далее тепдоноситель поступает в сосуд 3, где производится его испарение, образовавшийся пар конценсируется в проточном холодильнике 4 и стекает в ионообмен 35 ную колонку 5, гце проходит через смесь катионных и анионных ионообменных смол с величиной РН, близкой к значению РН ддя...

Номер патента: 648895

Опубликовано: 25.02.1979

Автор: Романенко

МПК: G01N 27/22

Метки: вещества, диэлектрическим, параметрам, резистивным, физико-химических, характеристик

...для реализации предлагаемого способа.Конденсаторная ячейка 1 включена в резонансную систему 2, связанную с возбудителем 3 непосредственно и через узел формирования уровня положительной обратной связи 4 с регулируемой амплитудой передаточной хара ктерис. тикой; кроме того, колебательная система 2 связана с возбудителем через блок 5, выделяю. щий разностный сигнал между амплитудным значением напряжения сигнала на резонансной систе. ме 2 и напряжением смещения управляющего электрода возбудителя 3; в качестве блока 5 особенно удобно применить потенциально. барьерный нолупроводниковый элемент, потенциал пе. рехода которого не превышает напряжения сме. щения на управляющем электроде возбудителя 3; выход блока 5 через переключатель 6 связан с...

Номер патента: 1033937

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Архипова, Гуров, Суминов, Тучин

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, диэлектрическим, металлических, пленок, подложкам, тонких

...поглотитель мощностиэлектромагнитного поля, который размещают между источником электромагнитного поля и пленкой, уменьшаютобъем поглотителя до тех пор, покапленка не отслоится, и по изменениюобъема поглотителя судят об адгезиипленки к подложке,Способ осуществляют следующим образом.На диэлектрическую подложку наносят одним из известных методов металВНИИПИ Заказ 5615/4Филиал ППП Патент ,лическую пленку, Размещают подложку с пленкой в электромагнитном поле сверхвысокой частоты таким образом, цтобы поверхность металлической пленки находилась сб стороны источникаэлектромагнитного поляРазмещают между источником электромагнитного поля и поверхностью пленки поглотитель мощности электромагнитного поля, например, дистиллированную воду,и...

Номер патента: 1097966

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Макарычев, Сидаравичюс

МПК: G03G 13/00

Метки: диэлектрическим, изображения, носителе, покрытием, скрытого, формирования, электростатического, электрофотографическом

...заряжается уже, до меньшего,чем в первый раз,напряжения (У -- МБ) и на поверхности носителя формируется при дозарядке зарядный контраст дд Поскольку фотополупроводниковый слой на проэкспонированных участках после. повторного осажде-. ния зарядов оказывается заряженным, можно повторить экспонирование того же оптического иэображения, в результате чего слой снова полностью разрядится, что уменьшает потенциал поверхности носи тел я наУ = О. Следующее эквипотенциальное осаждение заряда2сопровождается увеличением электростатического осаждения заряда, увеличением электростатического контраста на величину Ьц за счет осаждения зарядов на проэкспонированные участки2и соответствующим заряжением фотополу" проводникового слоя на этих участках и...

Номер патента: 1107198

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Неклепаев, Слоущ

МПК: H01P 1/38

Метки: диэлектрическим, заполнением, циркулятор

...5вкладыша, расположенного в центресимметричного волноводного разветвления, попностью заполненного диэлектриком, имеющим диэлектрическуюпроницаемость, близкую к диэлектрической проницаемости феррита, и магнитной системы Г 2 1.Недостатком известного У -циркулятора с диэлектрическим заполнениемявляется большая величина намагничивающего поля.Цель изобретения - уменьшение величины намагничивающего поля У-циркулятора с диэлектрическим заполнением. 30Поставленная цель достигается тем,что в У -циркуляторе с диэлектрическим заполнением, состоящем из ферритового вкладыша, расположенного вцентре симметричного волноводногоразветвления, полностью заполненногодиэлектриком, имеющим диэлектрическуюпроницаемость, близкую к диэлектрической...

Номер патента: 1050380

Опубликовано: 23.04.1985

Автор: Чукляев

МПК: G01T 1/26

Метки: гамма-излучения, детектор, диэлектрическим, рассеивателем

...составляет 5 Е сигнала детектора, а при деформйрованном экранами из свинца соотношении гамма- и нейтронной компонент достигает 15-2 ОЕ.Целью изобретения явлется повышение точности регистрации временной зависимости импульсных потоков гамма-излучения в гамма-нейтронных полях и расширение диапазона линейности амплитудной характеристики.Поставленная цель достигается тем, что детектор гамма-излучения с диэлектрическим рассеивателем, содержащим коллектор, отделенный от металлического корпуса диэлектриКом, выполненный из неводородсодержащего материала, снабжен радиатором комитоновских электронов, выполненным из водородсодержащего материала, заключенного в проводящую экранирующую оболочку, выполненного из неводородсодержащего материала с...

Номер патента: 1155989

Опубликовано: 15.05.1985

Автор: Макарычев

МПК: G03G 13/045

Метки: диэлектрическим, записи, изображения, покрытием, процесса, режима, скрытого, фотоносителе, электрофотографического

..., И и т.д. Уровень экспозиции при определении режимов выбирают достаточным для полной разрядки Фотополупроводникового слоя 2 на наиболее светлей ступени оптического клина.При постоянном модуле оптического клина, например перепад оптической плотности от ступени к ступени составляет 0,15, перепад потенциала от ступени к ступени (т.е. электростатический контраст для оптического контраста О, 15) не остается в пределах клина постоянным, что связано с особенностями Фотораэрядной характеристики фотополупроводникового слояфотоносителя. Поэтому фиксируют двесоседние ступени оптического клина, на которых достигается максимальный электростатический контраст для данного контраста оптического изображения, и устанавливают требуемую для этого...

Номер патента: 1191853

Опубликовано: 15.11.1985

Автор: Чукляев

МПК: G01T 1/28

Метки: гамма-излучения, детектор, диэлектрическим, рассеивателем

...электрод, выполненный из вещества с атомным номером, равным эффективному атомному номеру неводородсодержащего диэлектрика, и расположенный параллельно коллектору вплотную к неводородсодержащему диэлектрику со стороны корпуса, и дополнительный диэлектрик, выполненный из того же материала, что и неводородсодержащий диэлектрик, и размещенный между дополнительным электродом и корпусом вплотную к ним, при этом суммарная толщина расположенного между радиатором и коллектором диэлектрика и коллектора меньше длины пробега комптоновских электронов, а суммарная толщина коллектора и окружающего его диэлектрика больше длины пробега комптоновских электронов.Такое конструктивное выполнение детектора гамма-излучения с диэлектрическим рассеивателем...

Номер патента: 1254418

Опубликовано: 30.08.1986

Авторы: Кононенко, Макарычев, Сидаравичюс

МПК: G03G 13/00

Метки: диэлектрическим, записи, изображения, носителей, покрытием, скрытого, слоях, униполярных, фотопроводниковых, электростатического

...Ж"35, Раушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к электрофотографии, в частности к копировальной технике,Цель изобретения - повышение качества скрытого изображения путем,увеличения потенциального контраста,П р и и е р, Для записи скрытогоэлектростатического изображения используют электрофотографический носитель (ЗН), в котором селеновыйслой толщиной 40 мкм с инжектирующим дырки подслоем кристаллическогоселена покрыт диэлектрической плен-кой толщиной 15 мкм. На указанныйЭН осаждают положительный заряд коронирующим зарядным устройством, накоторое подают напряжение 6 кВ, движущееся со скоростью 8 см/с. относительно заряжаемого ЭН, Далее ЭН экспонируют при освещенности...

Номер патента: 1354288

Опубликовано: 23.11.1987

Автор: Кондрашихин

МПК: H01P 5/08

Метки: волноводами, диэлектрическим, между, металлическим, переход

...4 Изобретение относится к технике КВЧ и может быть использовано в приемопередающей и измерительной аппаратуре.Целью изобретения является уменьшение потерь и отражений.На чертеже представлена конструкция предлагаемого перехода.Переход между металлическими и диэлектрическими волноводами содержит отрезок металлического волновода 1 и отрезок диэлектрического волновода 2, имеющие прямоугольные сечения и расположенные соосно. На конце отрезка диэлектрического волновода 2 выполнен скос 3. Отрезок диэлектрического волновода 2 на длине скоса 3, составляющей 1,5 - 2,0 длины волны в отрезке металлического волновода 1, выполнен с плавным изгибом, и его острие 4 примыкает к узкой стенке отрезка металлического волновода 1.Волна Но,...

Номер патента: 1436056

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Буров, Вопилин, Дмитриев

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретоковый, двухслойных, диэлектрическим, слоями, трехпараметровый, электропроводящим

...для определения толщины электропроводящего слоя используются все три сигналаПеред измерением ВТП устанавливают на контрольные образцы с заданными параметрами по следующей схеме:3 14360Здесь приняты следующие обозначения:А;В; - значения А и В, соответствующие 1-му образцу со значения параметров; Ь; - толщина диэлектри.5 ческого слоя; х; - обобщенный электро- физический параметр электропроводящего слоя, С; - значения третьего сигнала, соответствующие 1-му образ цу со значениями параметров Ь ., х . и С - значение толщины электропро)водящего слоя образца с параметрами Ь., х;.ш - число образцов с различными 15 сочетаниями Ь и х, охватываняцими заданные диапазоны изменения параметров Ь и х;и - число образцов с параметрами Ь , х, и...

Номер патента: 1709493

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Безбородов, Каленичий, Лелюх, Севергин

МПК: H03B 5/18, H03B 7/14

Метки: диэлектрическим, резонатором, свч-генератор, стабилизированный

...которого выбраны равными радиусу ДР и который расположен напротив него со смещением от ценгра в направлении активного элемента на величинурадиуса резонатора. 2 ил,о направлены вдоль про окне 7 - прямоугольный которого выбраны равны который расположен на смещением от центра в вного элемента на величитора,ботает следующим обра з м.За счет положит образованной ДР и тота генерируемых лебаний опреде частотой ДР с учето элементов схемы, н поле, Смещение р элементу относител лентно.приближени ческой пластины и ельной обратной связи, проводниками 4, 5, час- ф активным прибором коляется резонансной м влияния окружающих а его внешнее ближнее езонатора к активному, ьно выступа 8 эквиваю к резонатору металливызывает увеличение1709493...

Номер патента: 1582851

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Малышев, Чукляев

МПК: G01T 1/28

Метки: гамма-излучения, детектор, диэлектрическим, рассеивателем

...в качестве которого выбран(типа С 9-), при э 1 ом радиатор электрически соединен с диФФеренциальнымвходом регистратора 8, шунтированнымна "землю" нагрузоцными сопротивлениями ЗОЗарядовый детектор гамма".излуце"ния с диэлектрицеским. рассеивателамработает следующим образом. При Обпуцении гамма-квантами со сторонырадиатора 4 между материалами колле"ктора 2 и радиатора 74, имеющими раз"личные ЭФФективные атомные номера,происходит неравновесный перенос бы"стрых вторичных электронов (главнымоЬраэом КЭ), Вьход бцстрых вторичныхэлектронов из полиэтилена Выше, цемиэ Фт 0 опласта или алсминил, Пслед"стВие этОГО, и.э полиэтиленОВой пластины 5 радиатора ч Во ФтоОпластовьЙдиэлектрик 3, Отделянщий колпектор 2От радиатора 7 и материал коллектора2...

Номер патента: 1800517

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Вальков

МПК: H01P 3/06

Метки: внутреннего, диэлектрическим, заполнением, коаксиальной, крепления, линии, проводника

...ко, аксиальную линию вдоль оси нити, вывестииз отверстия ее заостренный конец. На фиг,5 показан момент, когда усилие Р,снято,нить под действием упругих сил сжимаетсяи, стремясь принять свое первоначальноесечение, заполняет предназначенный длянее объем (объем сквозного отверстия 6),фиксируя внутренний проводник относительно диэлектрической втулки и наружногопроводника коаксиальной линии. При этомна выходах отверстия иэ наружного проводника диэлектрическая нить частично заполнят зенковку, чем дополнительнообеспечивается фиксация нити вдоль осиотверстия, На фиг, 6 показана заключительная операция-удаление выетупающих за наружный проводник коаксиальной линии частей эластичной диэлектрической нити,Экспериментальные исследования данного...

Номер патента: 1653531

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Гольдберг, Зайдман, Караваева, Петрова

МПК: H05K 3/00

Метки: диэлектрическим, металлической, подложки, покрытием, стеклянным

Способ изготовления металлической подложки с диэлектрическим стеклянным покрытием, включающий предварительную термообработку гранулята стекла, его сухое измельчение, приготовление суспензии, электрофоретическое нанесение суспензии стекла на подложку и термообработку полученного покрытия, отличающийся тем, что, с целью улучшения диэлектрических характеристик подложки и технологичности процесса, при приготовлении суспензии используют частицы стекла диаметром 1-7 мкм с добавлением не более 20 мас. частиц диаметром более 7 мкм.