C25D 1/08 — перфорированные или пористые изделия, например сита

Номер патента: 72311

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Гольбек

МПК: C25D 1/08, C25D 1/10, C25D 1/20 ...

Метки: калиброванных, никелевых, сит

...Ле К 11,1,1 БКОГЛ (СТЗ,- ла известен.Согласно изоорете 1.П 10 и)еллзГзстс 51 пзгьнеиес 3 соверНенстВОВ;1- Пс этогр известного сосооз изгсговлеив сит.1-12 чс)те)ка); ПЗОО зжсно п)ис:ос,)олснис ил 1 Ос 3 и,се 13 гсии 5 спосо а.3 12 р 23 к иф и г. 1 ) и 3 эг е к ) 01 3 о " 5 и О и и О ГО м 13 те) и я л з, н 3 и ) и м е р 2301 та " И СТЕК 12 ПЯ 51 И 131 ГО 3ТПКЗЛ 1 аи 13 И )51;Зд.,И КЛИО)ОВНН 3 О )СлитО пги аломиНев Го пр;)Волоку)1;г. 21. Нссколко рз:(ок с проке 2 3 ко з и )асжлу н 1:.и соса и П 51 от Б .12;"1) нихГ, 31 ,ля нанесен 351 1111 ГРО 3 ОЛО У ЗОГИ) 10:(С;) СЛО,1.;1 Г;):НУ 1 О )УЖЗОТ В Рс 1 СТВОР КИСГН). гоупорного лака, звлс:Синуо из ра. Борз 31 тригу сушат. Затл нз .Б(1 т)и 1 у снизу п 2 нос 5(т с;1011 спг 1 звз Бу.1. ( ст 11...

Номер патента: 103499

Опубликовано: 01.01.1956

Автор: Сытилин

МПК: C25D 1/08, C25D 1/10

Метки: мелкоструктурной, металлической, механической, повышения, прочности, сетки

...концентрации, По высыханиипленки из нитроклетчатки, сетка вместес пленкой снимается со стекла. Снятаясетка закрепляется в рамку из изоляционного материала (см. чертеж). В случаенеобходимости, пкле закрепления сеткапогружается в ацетон для растворенияпленки, а затем на требуемую сторону сетки снова наносится раствор нитрокдетчатки.В предлагаемом способе получения механически прочных сеток используется смачиваемость и капидлярные силы раствора нитроклетчатки. Защитная жидкость (подкрашенный метилвиолетом раствор нитроклетчатки в амилацетате), благодаря капидярным силам, проникает в отверстия сетки. По высыхании этой жидкости остается пленка, которая защищает отверстия мелкоструктурной сетки от зарастания в процессе...

Номер патента: 137011

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Наумченко

МПК: C25D 1/08, C25D 1/10

Метки: металлических, сеток, шкал

...Москва, Центр, М, Черкасский пер., д. 2/6Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.Способ изготовления металлических шкал сеток и т. и. изделий, о гл и ч а ю щ и й с я тем, что изображение шкалы, сетки и т. п. печатают на хромированный слой поливинилового спирта с колларголом, нанесенный на стеклянную пластинку после экспозиции, достаточной для дубления слоя в участках, подвергшихся действию света, смывают слой (включая задубленные участки) с пластинки, обрабатывают поверхность пластинки раствором бромистого калия в течение 20 - 80 секунд, затем чернят молекулярную пленку поливинилового спирта и колларгола, оставшуюся на участках, не подвергшихся действию света, раствором...

Номер патента: 305209

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Васильке, Гарбузов, Тарасов, Цахновский

МПК: C25D 1/08, C25D 15/00

Метки: гальванопластический, металлических, фильтров

...до выгорания этих частиц, что позволяет улучшить качество металлического фильтра.На металлическую матрицу, зеркально повторяющую форму фильтрующего элемента, наносят слой какого-либо металла из электролита, содержащего взвесь порошка нерастворимого органического соединения, например полиэтилена, поливинилбутираля и т. д, Осаждение металла ведут при перемешивании электролита и р"жимах, обычно применяемых при осаждении чистых металлических покрытий.Например, на матрицу наносят никелевое покрытие из электролита, содержащего 300 г/л никеля хлористого и 30 г,л борной кислоты, при температуре 50 - 55 С, плотности тока 2 - 4 а,длтв и рН электролита 4 -4,5. Диспергируя в указанном электролите порошок нерастворимого органического соединения,...

Номер патента: 377440

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C25D 1/08, C25D 1/10

Метки: 377440

...слоя металла и удалением матрицы.С целью повышения срока службы матрицы по предлагаемому способу при повторном использовании перед обезжириванием матрицу обрабатывают раствором азотной кислоты.По предлагаемому способу на стеклянную подложку наносят испарением в вакууме слой хрома, затем слой фоторезиста, после чего экспонируют рельеф сетки, проявляют, обрабатывают соответствующим образом, получая в результате всех этих операций стеклянную матрицу с позитивным хромовым рисунком,После этого матрицу обезжиривают в течение 3 - 5 мин в щелочном растворе, содержащем, г/л: при 45 - 55 С. Затем на матрицу наносят слой металла электролитическим способом и удаляют ее.При повторном использовании матрицу перед обезжириванием обрабатывают...

Номер патента: 381709

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C23G 1/22, C23G 5/02, C25D 1/08

Метки: 381709

...цтцчес ком осажденииметалла он осаждается по границам зерен, засчет чего образуется металлическая сетка.После окончания наращивания металла сеткумеханически снимают с формы.П р и м е р. Для изготовления медной сеткис размером отверстий 10 80,ик со степеньюпрозрачности 20 - 25 а/а используют форму изалюминиевого сплава, например А.т 1 Ц. Форму10 подвергают термообработке прц температуре420 С в течение 15 .цин с последующей выдержкой прц комнатной тмпсратуре в течение 30 ск ц далее при температуре 120 С втечение 5 цаг. После этого форму обезжири 15 вают сначала в органическом растворителе,например бензине, ацетоне, затем - в растворе,содержащем 150 /л трцнатрцйфосфата и5 г/л ОГ 1-7,Подготовленную таким образом форму ацо 2 о дцруют...

Номер патента: 589292

Опубликовано: 25.01.1978

Автор: Малахов

МПК: C25D 1/08

Метки: гальванопластического, мелкоструктурных, сеток

...Валки 5 и 6расположены одежду верхним 8 и нижним 9основаниями. На верхнем основании 8 расположены контактные шины 10, а ка верхнихконцах анодов 3- пружинные контакты 11.Анодные камеры 2 соединены последователь,но через звенья 12 с помощью осей 13.Работает неустройство следующим образомПод действием привода ведущий валок 6,приводит в движение бесконечно замкнутый 15конвейер 4 с анодными камерами 2. Гриближаясь к катоду 7 и подключаясь пружинными контактами 11 к контактной шине10, анодные камеры 2 вступают последовательно в процесс электролиза. В каждой 20анодной камере при перемещении плоскопараллельно вдоль катодов, происходит осаждение металла в. каждый момент времени нате поверхности катодов 7,которые расположены напротив щелевых...

Номер патента: 618457

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Воробьев, Кандалов, Петрова, Сотникова

МПК: C25D 1/08

Метки: мелкоструктурных, металлических, сеток

...в 1 - 2 мкм матрицу с покры. тием отжигают в вакууме или инертной среде при температуре равной 1,1 - 1,2 температуры плавления материала матрицы, в результате чего материал матрицы удаляется испарением через слой тугоплавкого металла. Многократным618457 1966,Составитель Л. КазаковаТехред А.Алаты рея Корректор Н. Тупица 1 ецактор М. Васильева Заказ 4218/25 Тираж 738 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал П 1 П "Патент". г. ужгород, ул. Проекция, 4 повторением операций осаждения и отжига ма.териал матрицы полностью удаляют, а размерячеек сетки доводят до 1-3 мкм с получениемплотности отверстий до 10 на 1 см ,П р и м е р, Для...

Номер патента: 781227

Опубликовано: 23.11.1980

Авторы: Волков, Луговая, Нагирный

МПК: C25D 1/08

Метки: формования, электролитического

...в процес- .се электролитического формования мембраны в зоне сопряжения происходит нарушение контактности никелевого слОя свозникновением разупрочненной "линии реза" по всему контуру сопряжения, в результате чего уже при небольших нагружениях мембраны (1,5-3,0 кг/см происхоЯ,%дит ее разрыв по этой линии.Наряду с этим отсутствие вспомога.тельного подслоя меди затрудняет последующее удаление заполнителя вследствиеприлипания (припайки) его на отдельныхучастках поверкности к материалу корпу3са. При наличии медного подслоя остаткизаполнителя удаляются вместе с нимрастворением в растворе смеси хромовойи серной кислот или разбавленной сернойкислоте. Проведение операций снятия цин78122 катного слоя в растворе азотной кислоты, который обычно...

Номер патента: 789637

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Колмаков, Матиссен, Савин, Сацкая, Тимин, Тукманова, Флеров, Шульпин

МПК: C25D 1/08

Метки: гальванопластический, перфорированных, плоских

...слой фоторезиста, напримерФП, ФН, ФПК, ФП, на котором приемами фотолитографии создают конфигурацию функциональных участков схемы. 35На открытые токопроводащие участки матрицы электролитически осаждают слой золота или другого драгоценного металла необходимой толщины, Затем фотореэист удаляют и гвльванопласти-чески наращивают деталь иэ никеля, После этого деталь вместе с золотым локальным покрытием отделают от матрицы, при этом покрытие каходится заподлицо с поверхностью детали и Основная мш.са золота находится внутри детали, причем в результате бокового разрастания образуется замок", который увеличираетпрочность сцепления покрытия с деталью.БО П р и м е р. На постоянную мат рицу для наращивания 8 штук сорока восьми выводных рамок ИС с...

Номер патента: 817099

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Карсова, Сорокин, Ханжин, Яковлев

МПК: C25D 1/08

Метки: пористыхмембран

...же., как и впримере 1), промывают в дистиллированной воде в течение 1 ч, удаляют собразцов защнтную лаковую пленку,промывают в дистиллированной водев течение 0,5 ч, выдерживают в рас- . ф творе брома в этиловом спирте в течение 32 ч .(до полного растворенияалюминия). Полученные таким образоммембраны с целью удаления барьерного слоя травят в течение 20 с в 36 растворе, содержащем 35 мл 85-нойортофосфорной кислоты и 20 г хромового ангидрида на литр вода,промывают в дистиллированной воде в течение 1 ч, сушат сначала струей сжа того воздуха, а затем в сушильномшкафу при 150 С в течение 2 ч.Далее на всех образцах измеряютпористость методом вакуумной пропитки додекаиом, микротвердость на микроур твердомере ПНТи толщину...

Номер патента: 876796

Опубликовано: 30.10.1981

Авторы: Сайфуллин, Сафина

МПК: C25D 1/08

Метки: гальванопластический, металлических, фильтров

...с покрытие промывается в избытке воды иподсушивается.В качестве органических веществ 3 Оиспользуют вещества, инертные к электролиту, но растворимые в каком-либоорганическом растворителе, например,пориарилат,норакрил,эладент,фторакси др. Размер частиц составляет 1 - ЗЗ10 мкм при концентрации в электролите 40-б 0 г/л.П р и м е р 1. Для полученияникелевого фильтра на предварительноотполированную и обезжиренную поверхность гладкого вращающегосястального катода, обработанного состепенью чистоты 8 класса, наносяткомпозиционное электрохимическоепокрытие (ЕЭП) из суспензии, состоящей из электролита состава, .г/л:Сернокислый никель 300Хлористый никель 80Борная кислота 30и второй Фазы, представляющей собойтонкодисперсный порошок полиарилатана...

Номер патента: 1036811

Опубликовано: 23.08.1983

Авторы: Карсова, Ханжин, Яковлев

МПК: C25D 1/08

Метки: алюминия, окиси, пленок

...При последующемохлаждении подложки сдвиговые натяжения усиливаются за счет различиякоэффициентов термического расширения окиси алюминия и подложки, врезультате чего анодная окиснаяпленка самопроизвольно отделяетсяот подложки.Поскольку анодирование проводитсяне на всю толщину фольги, то в качестве подложки можно использоватьне только вентильный металл, но илюбой другой металл, образующий интерметаллическое соединение с алюминием, например железо.Анодирование алюминиевой фольгиможно осуществлять на любую глубину,меньшую толщины фольги, поэтому накатав на подложку алюминиевую фольгутолько одной какой-либо толщины,можно получить свободные окисныепленки различных толщин.Прианодировании алюминия границы раздела анодная окисная пленкаалюминий...

Номер патента: 1198133

Опубликовано: 15.12.1985

Автор: Шульгин

МПК: C25D 1/08

Метки: гальванопластического, рельефных

...меди (Си 805 Н, 0) и 50-70 г/лсерной кислоты, при плотности тока1-2 А/дм . Затем производят отделение заготовки от матрицы и путемдеформации конфигурации заготовкисоздают С-образную выпуклую формубраслета, близкую к поверхности 3-хосного аллипсоида, аллипсоида вращения или шара, Элементы сетчатой40 198133 зхудожественной решетки основы приэтом разрежаются, увеличиваютсярасстояния между ниии.Следующей оперицей является предварительное доращивание металла дотолщины 0,25-0,3 мм, Вследствиепредварительного разрежения рисункарешетки и двустороннего осажденияметалла на заготовку зарастаниефпро 10 межутков (т.е. отверстий) сетчатойзаготовки происходит значительномедленнее, чем при осаждении металла на плоской матрице. Предварительное...

Номер патента: 1458439

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Замах, Капцевич, Шелег, Щебров, Яглов

МПК: C25D 1/08

Метки: пористого, ячеистого

...всего образца составляла 6,15 дм,1458439 6разлагали в порах материала по Фор- муле И(СО), = Ид + 4 СО,5Предельная плотность тока при осаждении медного покрытия на пено" полиуретан с размером ячейки 3 мм составляет 2,3 А/дмПолученные материалы термообраба 5тывали при С = 850 С в течение 2 ч в восстановительной атмосФере.Значение тока в процессе осаждения повышали непрерывно через 0,2 А 10 с интервалом 1 мин с целью получить равномерное покрытие по толщине образцов (см. табл.1).В результате на исходную пенополиуретановую Форму осело медное покры тие. Равномерность толщины покрытия определяли по коэФФициенту вариации, равному отношению среднеквадратичного отклонения толщины покрытия по толщине образца к ее среднему зна чению.Свойства...

Номер патента: 1640208

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Алексеев, Анциферов, Кощеев, Куневич, Нарусбек, Романова

МПК: C25D 1/08

Метки: гальванопластического, пористого, ячеистого

...среды, равную 3, поддерживают серной кислотой. В качестве анода используют растворимый никелевый анод.Электроосаждение слоя никеля осуществляют с одного анода при катодной плотности тока 4 А/дм до кажущейся плотности 0,5 г/см. Затем ППУ с электроосажденным никелем поворачивают к аноду противоположной стороной и осуществляют электроосаждение меди из электролита состава, г/л СцБОф 5 НО 250; СН ОН 8;НБОФ 50, при катодной плотности тока 4 А/дм до достижения кажущейся плотности мед ного покрытия 0,5 г/см . Электроосаждение меди проводят только с одной стороны подложки. В качестве растворимого анода используют медь.П р и м е р 2. В качестве пористой органической подложки используют ППУ со средним размером ячейки 0,9 мм и толщиной 12 мм....

Номер патента: 1724739

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Замах, Щебров

МПК: C25D 1/08, C25D 5/56

Метки: открытоячеистого, пенометалла

...ей электропроводности и размещением ее в гальванической ванне между двумя анодами, и последующее удаление подложки при термообработке, между подложкой и каждымиз анодом размещают пластину из того жепенополиуретана, что и подложка.Придание электропроводности пористой органической подложке из пенополиуретана осуществляли известными 5способами, например, безэлектролизнымосаждением из газовой среды и др.Электрохимическое осаждение металлического покрытия осуществляют на электропроводную подложку, помещенную 10между двумя анодами, причем в электролитмежду подложкой и каждым из анодов помещают пластину из того исходного пенополиуретана, что и подложка,После электрохимического осаждения 15металла на подложку, последнюю удаляютпутем...

Номер патента: 1768665

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Говорова, Кочкин, Миловский, Нагирный, Приходько

МПК: C25D 1/08

Метки: гальванопластического, матрицы, систем, теплообменных

...матрицы для галь- Натрий серно-кислый 60 - 80 ванопластического получения теплообменКислота серная 25-35 ных систем, включающий закрепление при температуре . 18-25 С 45 алюминиевых трубок в соответствии с про- рН 5,2 - 5,8 филем теплообменной системы, о тл и ч а юплотности тока 0,8 - 1,0 А/дм щ и й с я тем, что, с целью упрощения в течение 25 - 30 ч. способа, алюминиевые трубки закрепляют с Активируют электрохимически в силь- двух сторон при помощи торцевых оправок нокислом электролите хлорида никеля. 50 и расстоянием между трубками 0,4 - 0,6 иЗаращивают матрицу-каркас никелем 0,3 - 0,5 мм соответственно для прямоугольиз электролита состава (г/л): ного и круглого сечения.Составитель В.НагирныйТехред М.Моргентал Корректор М.Керецман...

Номер патента: 1784663

Опубликовано: 30.12.1992

Автор: Галицкий

МПК: C25D 1/08

Метки: изделия, нанесения, покрытий, пористые

...покрытий, в поле центробежной силы и одновременный равномерный нагрев битума светом до пластического состояния исключают разрывы и местные разрушения тонкого пористого изделия или фильтровальной перегородки. Электролитическое осакдение металла на поверхность между выступами битума увеличивает толщину и этим повышает прочность пористых изделий и фильтровальных перегородок, сохраняя форму и размеры пор и отверстий.Предлокенный способ реализуют с помощью устройства, представленного на чертеже,В него входят барабанная центрифуга 1, четыре симметрично расположенные в барабане подлокки 2, покрытые тонким, слоем битума 3, на каждую из которых:уложены фильтровальные перегородки 4 с отверстиями 5; пальчиковая электролампа 6, расположенная внутри...

Номер патента: 1788095

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Жуков, Сундуков, Чечеткин

МПК: C25D 1/08

Метки: гальванопластический, матриц, многослойных, прецизионных, сит

...точности формы и размеровотверстий и рецизио н н ых сит.Поставленная цель достигается тем, чтов качестве матриц при изготовлении прецизионных сит используется нержавеющаясталь, на рабочую поверхность которой найосят слой никеля толщиной 11,5 мкм,слой меди 250 мкм второй слой никеля толщиной 10 мкм, а на него слой хрома толщиной 0,5 мкм и после этого на всю этуматрицу наносят слой никеля, равный толщине сита. Далее на матрицу наносят слойфоторезиста и получают рисунок, Затем еепогружают в травильной раствор (ГеС з) длястравливания через фотолитографическуюмаску слоев М, Ог, М и Со до первого слояН. Полученные лунки заполняют жидкимдиэлектриком, который впоследствии отверждают, Полученную матрицу шлифуют, азатем стравливают...

Номер патента: 1540334

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Григоришин, Ефремов, Котова

МПК: C25D 1/08

Метки: гальванопластического

СПОСОБ ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКОГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ, преимущественно диафрагм для электронных микроскопов, включающий формирование изоляционного слоя по заданному рисунку на электропроводном основании, удаление изоляционного слоя, локальное гальваническое осаждение слоя металла и отделение готового изделия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества диафрагм, изоляционный слой формируют анодным окислением алюминия с последующим формированием на нем фотолитографий первой защитной маски по рисунку будущего отверстия и контура диафрагмы и второй защитной маски для формирования утолщенной части диафрагмы, после чего удаляют изоляционный слой в незащищенных местах, гальванически осаждают утолщенную часть диафрагмы, удаляют вторую защитную...