Способ получения магнитных пленок

(21) 354 (22) 13. (46) 28. (72) В,ф и В.Т.Со (71) Мин тут 225 18-10 на ал 2.84. Бюл, МСурганов, Г,Годковкий радиотехн Горо ески сти сии а ческо колеб парал магии 7 ИТНЫХо осажния О 100-2 с СООЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЦТИЙ ОПИСАНИЕ И Н АВТОРСНОМУ СВИДЕ(54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МА ПЛЕНОК путем электролитическ дения матер лучен тор н лелен ч а ю умень за сч подложку пленки магнитногоа и термического отжига поой пленки в магнитном поле, ве пряженности которого паралплоскости подложки, о т л и щ и й с я тем, что, с пулью ения неоднородности структуры т уменьшения величины дисперизотропии, в процессе термио отжига подложку приводят в тельное движение в направлении ельном вектору напряженности ного поля с амплитудой колеба-1,0 мкм и частотой колебаний 0 кГц.1076940 10 Темпе отжиг 1,0 Изобретение относится к техникенакопления информации, а именно кспособам получения магнитных пленок.Известен способ изготовления магнитного слоя, для повышения однородности которого уплотняют и разглаживают последний действием вибрацииультразвуковой частоты с амплитудойвибраций от 0,0127 до 0,127 мм 1 .Недостатком данного способа является то, что при реализации способа не удается повысить однородностьслоя на уровне доменной структуры.Наиболее близким к предлагаемомуявляется способ получения магнитныхпленок путем электролитического осаждения на подложку пленки магнитногоматериала и термического отжига полученной пленки в магнитном поле, вектор напряженности которого параллелен плоскости подложки 2,20Однако в известном устройстве концентрация дефектов на поверхностиподложки и в толще магнитного материала не позволяет получить необходимую однородность магнитного слояЦель изобретения - уменьшениенеоднородности структуры эа счетуменьшения величины дисперсии аниэотроп ии,Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу получениямагнитных пленок путем электролитического осаждения на подложку пленки магнитного материала и термического отжига полученной пленки в магнитном поле, вектор напряженностикоторого параллелен плоскости подложки, в процессе термического отжигаподложку приводят в колебательноедвижение в направлении, параллельномвектору напряженности магнитного поля 40с амплитудой колебаний 0,4-1,0 мкми частотой колебаний 100-200 кГц,При введении ультразвуковых колебаний, направление которых совпадаетс направлением силовых линий магнитного поля, происходит более полнаяликвидация кристаллографических деффектов, Кроме того, происходит дополнительная механическая ориентация доменов и вытягивание их вдоль силовыхлиний магнитного поля. При введении в подложку ультраэву"новых колебаний амплитудой выше1 мкм происходят механические нарушения поверхности подложки, что ведет к ухудшению качества магнитнойпленки, При колебаниях с амплитудойменее 0,4 мкм заметных изменений впленке не происходит, Частота колебаний выбрана практическим путем по минимуму величины дисперсии анизотропии, при этом направление ультразвуковых колебаний устанавливают в направлении, параллельном плоскостиподложки и вектору напряженности магнитного поля.П р и м е р 1, При реализацииспособа в качестве подложки используют ситаловые пластины, Магнитныепленки толщиной 1 мкм получали электролитическим осаждением иэ электролита следующего состава, г/л:И 1 БО 4 7 НО 280Гея 04 7 НО 10И 1 С О бН О 1025Сахарин 0,5Предварительно на подложки осаждают катодный подслой Сг - Сц толщиной 2000 А методом термического испарения, Осаждение магнитной пленкипроизводят при плотности тока 12 мА//см 2, Напряженность магнитного поляво время отжига поддерживают равной1 б 10 А/м, температуру варьируютот 420 К до 520 К. Амплитуду ультразвуковых колебаний варьируют от 0,4до 1,0 мкм при частоте колебаний100 кГц. Измерения дисйерсии анизотропии производят с помощью петлескопа,П р и м е р 2Частота ультразвуковых колебаний 150 кГц, остальныеусловия те же, что и в примере 1,П р и м е р 3 . Час тота уль траэвуковых колебаний 200 кГц, остальныеусловия те же, что и в примере 1,Результаты измерений сведены вгаблицу,Дисперсия анизотропии в приведенных примерах не превышает 2, в то время как известные способы облада-о ют дисперсией анизо троп ии 4- б,Тяско Ред илиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная, 4 Амплитудаколебаний,мкм аз 757/47 Тираж 575 ВНИИПИ Государственного комитета С по делам изобретений и откр 113035, Москва, Ж, Раушская набПодл ис но ССР тийд. 4/5