G11B 5/858 — получение магнитного слоя гальваностегией или электролизом

Номер патента: 337809

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бернацкий, Будкевич, Ставницер, Юрченко

МПК: G11B 5/858

Метки: 337809

...подобнымтелях магнитной записи дажении их на десятки процентовотслаивания рабочего слоя олавсановой основы. способом носипри растяжене происходит т поверхности Предмет изС 1 пособ изготовления записи путем адгезионн ности лавсановой основ электрэпроводящего ме электрохимического ос сплава, отличающийся т личения адгезионных лавсановой основы, ад производят в,плазме тл давлении 10 -- 10- мм мощности разряда 0,03 -у,поверхности лавсав вакуумной камере зряда при давлении Изобретение относится к магнитной записи,а именно к,способам изготовления носителямагнитной записи.Известны способы изготовления носителямагнитной записи путем адгезионной обработки поверхности лавсановой основы, нанесения на нее электропроводящего металлического...

Номер патента: 479824

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Губин, Едигарян, Какоян

МПК: G11B 5/858

Метки: гальванических, нанесения, покрытий, проволоку

...из электролитическихванн 1, вьвполненных из капиллярных трубок, внутренний диаметр которых обеспечивает образование сферического мениска, а длина - 0 практическое отсутствие градиента плотноститока осаждения. Количество капиллярных трубок в устройстве подбирают в зависимости от требуемых характеристик покрытия и скорости движения проволоки. Капиллярные 5 трубки снабжены штуцерами ввода 2 электролитов, вывода 3 газообразных продуктов реакции и встроенными электродами 4. Капиллярные трубки соединены по общей оси камерами 5 так, чтобы их выступающие кон цы были отделены друг от друга зазорами.Камеры 5 снабжены сливными штуцерами б, расположенными у оснований выступов капиллярных трубок и разделенными по подовой части камеры перегородками...

Номер патента: 881842

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Гиро, Курмашев

МПК: G11B 5/858

Метки: биметаллического, записи, магнитной, носителя

...частиц высокоизносостойких материалов.88842 25 Формула изобретения Составитель Н. Балбашова Редактор С. Тимохина Техред А. Бойкас (орректор В. Синицкая Заказ 9984/78 Тираж 648 Подписное ВНИИГ 1 И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий23035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4В, к 22 чест 22 е 22 ыспкоизцосостОЙки х мате. Риалов можно использовать А 1,0 з, В 2 х 1, 82 С, Сг, С, 120Ре 2 цаитп 2 ая способность носителя маг 22 г 22. ной записи значительно увеличивается благодаря отсутствию дополнительного износо. стойкого защитного покрытия и увеличению градиента поля записывающей магигной головки за счет этого,Избежать нанесения дополнительного защитного...

Номер патента: 888189

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Гиро, Курмашев

МПК: G11B 5/858

Метки: записи, магнитной, носителя

...слоя родия произ" водят осаждение частиц окиси алюминия или карбида кремния, которые механически перемешивают в электролите.Изготовление носителя магнитной записи согласно предложенному способу происходит следующим образом.На немагнитную основу из алюминия после ее очистки производят элек- рохимическое осаждение магнитного слоя сплава кобальта и никеля, представляоцего собой рабочий слой носителя магнитной записи, Затем осу888189 Редактор О.филиппова Заказ 10731/15 Тираж бч 8 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,ществляют электрохимическое осаждение из электролита защитного слояродия, При этом в процессе...

Номер патента: 1076940

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Горох, Солодков, Сурганов

МПК: G11B 5/858

Метки: магнитных, пленок

...ии,Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу получениямагнитных пленок путем электролитического осаждения на подложку пленки магнитного материала и термического отжига полученной пленки в магнитном поле, вектор напряженностикоторого параллелен плоскости подложки, в процессе термического отжигаподложку приводят в колебательноедвижение в направлении, параллельномвектору напряженности магнитного поля 40с амплитудой колебаний 0,4-1,0 мкми частотой колебаний 100-200 кГц,При введении ультразвуковых колебаний, направление которых совпадаетс направлением силовых линий магнитного поля, происходит более полнаяликвидация кристаллографических деффектов, Кроме того, происходит дополнительная механическая ориентация доменов и...