C23C 15/00 — C23C 15/00

Номер патента: 437815

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Гендин, Кузнецова, Лавренов, Рамазанов

МПК: C23C 15/00

Метки: интерференционных, клиньев, напыления, прямоугольных

...подложек, Держатель подложек выполнен в виде установленной . на подставку в форме усеченного под углом полого цилиндра 1 оправы 2, представляющей собой круглый металлический диск с посадочным местом 3 для покрываемых подложек 4 и регулировочным винтом 5 для подрегулировки угла наклона подложек.Устройство ставится в посадочное место 6 вращающегося держателя деталей подколпачной арматуры,Для нанесения слоев равномерной толщины устройство ставится в посадочное место обращенным высокой стороной цилиндра к центру вакуумной камеры, т. е. к оси 7 вращения арматурыИспаритель 8 размещается так, чтобы в среднем расстояние между испарителем и двумя концами покрываемой подложки за полный оборот деталей вокруг оси 7 вращения оставалось...

Номер патента: 475428

Опубликовано: 30.06.1975

Авторы: Бараш, Богданов, Зафранский, Поппель

МПК: C23C 15/00

Метки: вакуумного, напыления, слоев

...на рой камера ще в конструк нию с пзвест необходимость валу, снабженпо скользящей 3 ции.Достигается это тем, что н ном реверсивным приводом посадке установлена втулка с укреней заслонкой, для фиксации котоснабжена упорами.На чертеже схематически изображено предложенное устройство.Оно содержит камеру 1 напыления, карусель 2 с подложками, заслонку 3, реверспвньШ привод 4 карусели, втулку 5, установ.пенную по скользящей посадке на валу 6 карусели с подложками, испарители 7 и 8 и упоры 9.Устройство работает следующим образом.Перед началом работы заслонку 3 устанавливают на позиции испарителя 7, работающего первым. После герметизации и вакуумированпя камеры напыления включают питание пспарителя 7 и, выдержав требуемое время для...

Номер патента: 426540

Опубликовано: 05.10.1975

Авторы: Денисов, Дмитриев, Минайчев, Мирошкин, Облезов

МПК: C23C 15/00

Метки: вакууме, нанесения, покрытий, электроразрядное

...предл ройство. Устройство состоит из анода 1 катода 2, поджигающего электро тромагнита, включающего цил магнитопровод 4 и катушку б, В полнен желоб б для размещения материалов. Катод посредством и и 8 смонтирован между полюсны никами электромагнита. Катушкавана на центральном стержне 9 цилиндрического магнитопровода 4. Стенки желоба б имеют наклон для обеспечения надежного электрического и теплового контакта испаряемого материала с катодом. Над катодом 2 смонтирована подложка 10.Устройство работает следующим образом, Исходное положение поджигающего электрода 3 обеспечивает короткое замыкание катода 2 с анодом 1 через ограничивающее сопротивление при помощи пружины 11. При подаче питающего напряжения на анод и катод возникает ток,...

Номер патента: 558968

Опубликовано: 25.05.1977

Автор: Рахманин

МПК: C23C 15/00

Метки: камера, распылительная

...систем, а в ряде случаев он принципиально не можете быть реализован. В частности в триодных системах ионно-плазменного распыления, где относительно однородная плазма локализована в ограниченном пространстве, увеличение линейных размеров мишени влечет 25 ток такого технического решения сходимость перемещения подложки позволяют считать предложенный способ малоэффективным и трудно реализуемым.Пель данного изобретения - увеличение площади равномерного осаждения пленок на неподвижные подложки без существенного увеличения габаритов камеры, Это достигается использованием в распылительной камере мишени со сферической рабочей поверхностью без каких-либо фокусирующих элементов на этой поверхности и расположением неподвижной подложки а месте,...

Номер патента: 563826

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Осипов, Саблев, Ступак

МПК: C23C 15/00

Метки: нанесения, пленок, тонких

...на фиг. 2 конфигурация магнитных полей в камеУстройство длпленок работаетНапыляемые изваются на крышкумакрочастиц от кпрямолинейно, неПитание соленоидется от разных иВоздух из вакчивается до давл10 мм рт,ст. Черется ток, создающ50-200 Э, достаткатодного пятна 5 р 72) Авторы изобретения л,п. я нанесения тонкихследующим образом.делия 9 устанавли 2 так, чтобы потокатода 4, движущийсямог попасть на них,ов б и 7 осуществлясточников,уумной камеры 1 откаения порядкаез соленоид б усий магнитноеочное для удерна торце катодЧерез соленоид 7 пропускается ток, создающий магнитное поле 20-50 Э. На камеру 1 подается напряжение 40-80 В относительно катода 4, на крышку 2-30 В. При этих параметрах конфигурация магнитных полей имеет 5 вид, показанный...

Номер патента: 349326

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Гетман, Гольдинер, Горбунов, Долотов, Киршфельд, Саблев, Усов

МПК: C23C 15/00

Метки: испарения, металлов, электродугового

...его определенной направленности.Предложенный способ стабилизирует катодное пятно дуги на рабочей поверхности катода. Способ отличается тем, что процесс осуществляют в пульсирующем магнитном поле,величина которого минимальна в момент нахождения катодного пятна на рабочей поверхности катода и максимальна в момент нахождения катодного пятна на боковой нерабочей поверхности кагода,Элсктродуговое испарение металлов ведутв пульсирующем магнитном поле, силовыелинии которого образуют острый угол с боковой поверхностью катода, с величиной минимальной в момент нахождения катодного пятна на рабочей поверхности катода и максимальной в момент нахождения катодного пятна на боковой нерабочей поверхности катода, 5 Отсутствие магнитного поля в момент...

Номер патента: 603701

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Голянов, Демидов

МПК: C23C 15/00

Метки: ионного, распыления

...металлического вакуумного уплотнения 9ыивртнаГО ГЭЗа. ОНЫВакуумная система вклочается э скачку, В нэчэл 8 0 кэчиВэст насосзатем насос . По".ле Остиженияразряжения 10 Включается ами еск,;йОнагреватель 33 и начинается Обезгэживание секций ионного распьлениял насоса 2, Контроль за температурой обезгэ"жвания осуществляется с помовью двухтермопар /на чертеже не показаны/.8 конце обезгаживания включаетсяомиеский нагреватель 33 запускаетсянасос 2, система ахлажденля насоса 2и секций ионного распыления 1 заполняется хладагентом, например, жидким азотом.После запуска насоса 2 и включения си-:стемы охлаждения и в верхней частикорпуса 3 над насосом 2 достига;отсямаксимальна чистые Вакуумные условия,давление, измеряемое с помощью пэтчикэ,О,...

Номер патента: 620513

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Андреев, Ефимов, Музалев

МПК: C23C 15/00

Метки: катодный, узел

...при 5 Д я угтрв цец 4 ца со ся кварцевый Стержень 5 25 таллическимож реп ени сця - обес роасо тся тл;цс.чецс возтана покрьтячто в катодд я цацесеця й катодцым ляция границ м т используетпок ь отверстие рв:пь лени мушествео тцых покры ишен отрвном 7 кногоколп где катод вьполне вующих материалов Цельзобр можцости рег Это дост ном узле ирен620513 Составитель А. ХахловН. Хлудова Техред 3, фанта Корректор С, Патрушева еда кт 99/20 Тираж 1177ИИПИ Государственного комитетпо делам изобретен113035, Москва, Ж-Э ПодписноеСовета Министров СССРн открьтийРаушская наб д, 4/5 аказ иал ППП Пвт ород, ул,1 роектная, 4 Устройство работает следующим образом,Когда отверстия в мишенях 3 и 4полностью совпадают, идет совместноераспвщение основного и...

Номер патента: 625625

Опубликовано: 25.09.1978

Авторы: Вильям, Джек, Луис

МПК: C23C 15/00

Метки: нанесения, основе, покрытий, рутения, сплавов

...клеймом,в основном;была менее 5 от толщины пленки.Приведенные значения являются средними по пяти измерениям с наибольшимотклонением за счет неровной поверхности примерно от + 10 до 120,Измеренное значение твердости вкакой-то степени зависит от используемой нагрузки. Увеличение нагрузкив пять раз приводит к снижению твердости примерно на 15, Влияния подложки существеннее при более тяжелыхгрузах, и для получения более точныхданных о характере самой пленки предпочтительны измерения с легкими грузами.В табл.1 приведены показателитвердости.625625 Т а блица 2 Весовые потеримг сек/см Температураосаждения,меньшетолщин о А/сек Травители Холодный ЗИСЕ 1 Н 1110Холодный НСЕХолодный ИН ОН" 20 0 0 Н 0 Холодны Горячий Горячий 0 ячи Н 5 00,085...

Номер патента: 699032

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Бобков, Достанко, Шаталов, Ширипов

МПК: C23C 15/00

Метки: катодный, узел

...формы, Лицевая сторона Основания 1 с помошью, например, пайкиз 69903или сварки, закрыта решетчатой пласщной 2, выполненной из основного компонента, в которой есть отверстия 3, расположенные под пазами основания 1, нри"чем диаметр отверстий 3 меньше шириныпаза. В пазы механически вставляются,стержни 4 иэ отдельных компонентов,Минимальное содержание в пленке материала решетчатой пластины пропорйионально через коэффициент распыления площади решетчатой пластины за вычетомплощади отверстий, Для увеличения. количества материала решетчатой пластины впленке можно применять съемные стержни из того же материала,Основание выполняется иэ материалас хорошей теплопроводностью, например,из меди, и в процессе распыления мозаичной мишени интенсивно...

Номер патента: 718497

Опубликовано: 29.02.1980

Автор: Григоров

МПК: C23C 15/00

Метки: подшипников

...2, вводят т катод 3, анод 4, подложкодержатель тод 5. На подложкодержателе - като устанавливают обрабатываемые заго подшипников б. Часть поверхности шипников защищают масками 7, имею профильные окна, выполненные по тр щейся форме канавок, Для защиты под ников и тыльной части катода от пар ного распыления устанавливают экр Позицией 9 на чертеже обозначен исто высокого напряжения,Устройство работает следующим образом.После откачивания вакуумной системы ее наполняют рабочим газом, например аргоном, и создают напряжение между электродами (3 и 4). Затем прикладывают постоянный потенциал к подшипникам через подложкодержатель - катод 5. Образуюшееся на подшипниках отрицательное смещение вызывает бомбардировку деталей и масок положительными...

Номер патента: 764619

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Кеннет, Роберт

МПК: C23C 15/00

Метки: блок, катодный

...блоков.Катодный блок преимущественнодля устройств для нанесения электропроводящих пленок методом распыле ния содержит трубопровод 1,. один ко"нец которого введен в зазор междустенками 2 и 3, образующими Мнбгослойный электростатический экран,окружающий металлический катод 4 2 О со всех сторон, кроме рабочегоучастка поверхности катода 4. Второйконец трубопровода 1 соединен с системой подачи нейтрального газа.Катодный блок функционирует сле,дующим образом.Несколько катодных блоков размещены в вакуумной камере (не показайа) . Трубопровод 1 подсоединен ковсем катодным блокам. Напыление ме О талла производится на подложку 5,764619 Формула изобретения г Тираж 1074 одписно з 6318/ НИИПИ Фииал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 которая...

Номер патента: 711787

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Саблев, Ступак

МПК: C23C 15/00

Метки: испаритель, металлов, электродуговой

...к регулируемому источнику 5 постоянного тока в10 А с напряжением 220 В.Для равномерного распределениякатодцых пятен на образующей катода 20необходимо, чтобы магнитное поле соленоида было равномерным по всейдлине образуюцесс.Это достигается установкой катода внутри солецоида так, что ось 6катода перпендикулярна оси 7 соленоида и установкой пластин 8 из магнитомягкого металла (сталь Ст 20 толщиной3 мм) ца внутренних поверхностях прямоугольного соленоида со стороны торцов катода. На Фиг, 1 обозначены силовые линии 9 магнитного поля, поджигаю.ий электрод 10, соединенный свысоковольным источником 11 питания,обрабатываемые изделия 12.Катод 2 имеет токопроводы, расположенные ца оси, на которых черезизоляторы 13 и подшипники 14 укреплен...

Номер патента: 796248

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Григоров, Дороднов, Исаков, Киселев, Перекатов, Рогозин, Таубкин

МПК: C23C 15/00

Метки: нанесения, покрытий

...Соосно с катодом 1 и коллектором 5 установленподложкодержатель 6 с подложками 7,представляющий собой полое незамкнутоетело, у которого передний торец открытв сторону плазменного потока, выходящего из источника ускоренных ионов, ав заднем торце выпспнены элементы фиксации подложек (метчиков сверл, протяжек и т.д.), Подложкодержатель 6 соединен с источником 8 создания отрицательного потенциала, Все элементы устройства находятся в вакуумной камерена чертеже не показана),Устройство работает следующим образом.Между катодом 1, материал которого поступает в межэлектроцное пространство ускорителя,"и анодом 2 зажигается разряд, питаемый ог основного исгочника 4. Б свяэи с взаимодействием гоковразряда с магнитным полем создаваемым электромагнитной...

Номер патента: 819217

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Андреев, Верещака, Романов, Этингант

МПК: C23C 15/00

Метки: изэлектропроводных

...между анодом и катодом устанавливали ток 90 а. Количество нейтральных частиц в струе молибденовой плазмы составляло 15%. Измерение соотношения ионной и паровой компоненты производилось зондовым методом. Через 3 л 1 ин испаритель отключали.Испытания обработанных в таких условиях,штабиков на прочность при чистом изгибе показали ее увеличение,по сравнению е такой же контрольной необработанной партией,на 18% . Ударно-циклические пспытания этих же штабиков (их половинок) :при моделировании реальных условий эксплуатации режущего инструмента показали увеличение на 52% количества циклов нагружения до разрушения для образцов, обработанных по предлагаемому способу.,П р и м е р 2. Прямоугольные пластинки из закаленной инструментальной стали Р 6 М...

Номер патента: 823459

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Лебедев, Шнек

МПК: C23C 15/00

Метки: катодный, узел

...магнитов 2, . 10расположенных под полюсным наконечником3 по периметру внутри корпуса П-образного основания 1, и магнитопровод 4 сполюсным наконечником О. Вода подаетсячерез полость между двумя коаксиальными трубками 6 и 7 и выводится черезтрубу 7, расположенную в отверстии магнитонровода 4, Трубка 6, приваренная кП-образному основанию 1, служит такжедля подачи на него потенциала от источника питания (на чертеже не показан),Температурана мишени, С 6 О 0-7О В случае катода - мише имеющего низкую температу предельная допустимая мощ довательно, и предельная ск дения покрытия может быть менее, чем в 2 раза (см. тНа торцах П-образнкреплен катод-мишеньвиде диска ипи пластинвается в полость полюс3 и фиксируется с помприкрепленного к полюс3 с...

Номер патента: 834246

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Храшевский

МПК: C23C 15/00

Метки: керамическихмишеней

...при 1280 С в течениедвух часов, При этом происходит реакция образования титаната бария.Обожженные мишени подвергают дроблению на щековой дробилке, а затемтонкому помолу в вибромельнице довеличины частиц5 мкм,46 4щине, что может способствовать распылению материала катода.Отобраны гранулы титаната бария размером 0,3 мм, К четырем частям гранул добавляют две весовые части парафина в качестве связующего вецества. Смесь гранул с парафиномонагревают до 70. С, При этом парафин плавится и смачивает гранулы. Смоченные парафином гранулы титаната бария загружают в нагретую до 5 С 1 С прессформу и прессуют мишень в виде диска толщиной 5 мм под давлениемЯ50 кг/см до плотного соприкосновения гранул друг с другом. Удельное цавление прессовки...

Номер патента: 885347

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Волков, Малышева, Трофимова

МПК: C23C 15/00

Метки: ионно-плазменного, нанесения, покрытий

...являются отрицательное свечение и темное катодное пространствоПри анодном напряжении 800-1500 В и разрядном токе 170-260 мА происходит интенсивное распыление катода. Процесс нанесения покрытий в данном устройстве осуществляется следующим образом. Поскольку режим разряда при работе устройства является аномальным, каждый ниток катода 2 участвует в разряде и имеет свое отрицательное свечение и темное катодное пространство. Вследствие этого каждый виток подвергается распылению под действием положительных ионов. Витки катода отделены друг от друга малым шагом, в результате чего все отрицательные свечения сливаются в одно общее свечение. Экспериментально установле" но, что при этом слиянии в общем свечении проявляется эффект полого катода,...

Номер патента: 899714

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Зарипов, Стрежнев, Файзрахманов, Функ, Хайбуллин

МПК: C23C 15/00

Метки: дифракционных, решеток

...из следующих соображений.Известно, что коэффициент распыления подложки сначала монотонно увеличивгется с ростом угла падения ионов О на мишень (здесь используется общепринятая система отсчета, когда угол отсчитывается.от нормали к поверхности), достигается максимума при некотором угле 9 = бщО 1, а затем довольно резко уменьшается до нуля при скользящем падении ионов на мишеньФиг, и 2), При углах 6 7 9С процесс распыления шероховатой поверхности становится существенно неоднородным: гладкие 1 плоские)участки поверхности покрытия распыляются медленно, тогда как скорость распыления выступов близка .к максимальной по трем причинам ( фиг.1) за счет локального повышения плотности ионного пучка на склонах выступов 5; за счет бомбардировки...

Номер патента: 910843

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Кузнецов, Мочалов, Фомин

МПК: C23C 15/00

Метки: катодный, узел

...ионна-плазменного нанесения диэлектрических пленок в вакууме, содержащий катод, мишень, анод, магнитную систему, снабжен нагревателем,расположенным со стороны анода, противолежащей рабочей поверхности катодаНа чертеже представлен предлагаемыйкатодный узел. фУстройство состоит из вакуумнойкамеры 1 с патрубками 2 и 3 для напуска рабочего газа и откачки, катода 4, магнитной системы 5, мишениб из распыляемого материала, кольцевога анода 7, нагревателя 8 и подложкодержателя 9, на котором установленаподложка 10, Катод 4 изолирован отзаземленной камеры 1 с помощью диэлектрических прокладок. Постоянноенапряжение на катод 4 и и анод 7 подают от источника 11 питания на нагреватель 8 - от источника 12 питания.Устройство включает экран 13...

Номер патента: 937535

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Арустамов, Булат, Кейтлин, Кельберт, Лундин, Нагайбеков, Петушков, Сидельников, Хавин, Эстерлис

МПК: C23C 15/00

Метки: упрочнения

...где и число пятен,ч - скорость перемещения, юЙ - диаметр пятна.Для приведенного случая получимБ,400 см /с.Глубина диФФузии определяется выражениемье25О1=Дегде А - константа, зависящая от родаматерйала,время диффузии,Т - температура,К - постоянная Больцмана,дЕ - энергия активации атомов.Из формулы видно, что глубина диффузии слабо зависит 1 от времени и вззэкспоненциальной зависимости растетпри возрастании температуры.Для диффузии хромав железо можнополучить слудующие соотношения в зави.40симости от температуры. Необходмоосуществлять диффузию Сг на. глубинумкм, Время диффузии определимиз выражения1 =Ггпу45 где П - коэффициент диффузии,время,1 - глубина диффузии,25 4 Время действия пятна на каждую точку поверхностиТемпература пятна...

Номер патента: 950798

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Замоздик, Мельченко

МПК: C23C 15/00

Метки: индия, оксида, покрытий, проводящих, прозрачных

...качестве подложки используют также полимерный материал, что намного расширяет возможности применения этих покрытий (например, фото- и кинотехника, системы записи и воспроизведения информации).950798 Удельное поверхностное сопротивление,Ом/квадрат Соотношение газов в камере Светопропускание, ь Материал подложки Аг Предлагаемый способ 87-88 86-87 92-95 Стекло 18 77 Стекло 76 Лавсан 50 Известный 80-85 Стекло 15 Лавсан Формула изобретения 40 Составитель Д. Белый Редактор,Л. Повхан Техред А. Бойкас Корректор Е. Рошко Заказ 5636/30 Тираж 1053 Подл исное ВНИИПИ Государственного комитета СССР но делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 43Пример 1. Осаждение пленки...

Номер патента: 1025754

Опубликовано: 30.06.1983

Автор: Сейдман

МПК: C23C 15/00

Метки: источника, магнетронного, мишени

...основы отматериала основы. Форма углублениязависит только от конфигурации электрических и магнитных полей,В основе, снабженной углублениемсовпадающим по форме с эрозионной канавкой и заполненным материалом покрытия, во время работы магнетронного источника будет расти эроэионнаяканавка, которая в определенныймомент совпадает с углублением, сде 50ланным в основе. К этому моментувесь распыляемый материал покрытиябудет полностью распылен, а основа. мишени распылению не подвергается.Углубление в основе мишени в форме эрозионной канавки полуцается ионВНИИПИ Заказ 1503/21Филиал ППП "Патент", г,ным распылением пластины в данном магнетронном источнике. Длительность распыления и соответственно. глубина углубления зависит от количества материала...

Номер патента: 1030423

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Герасимук, Левченко, Павленко, Сагайдак, Синицын

МПК: C23C 15/00

Метки: магнитных, распыления

...устройства и уве личение ресурса его работы.Поставленная цель достигается тем, что вустройстве для распыле ния магнитных материалов, содержа,щем магнитную систему с полюсными наконечниками, катод с мишенью и анод, причем катод с мишенью расположен в полости магнитной систе мы, мишень расположена ниже полюсных наконечников, на расстоянии между плоскостью нижних торцов полюсных наконечников и верхним торцом мишени, равном 2 Р, где 0 величина зазора между полюсными наконечниками.На чертеже изображена конструктивная схема устройства распыления магнитных материалов.Устройство для распыления магнитных материалов содержит мишень 1 из магнитного материала в виде кольца, расположенную на охлаждаемом катоде 2 и помещенную внутри...

Номер патента: 1049573

Опубликовано: 23.10.1983

Автор: Котелянский

МПК: C23C 15/00

Метки: окиси, основе, пленок, пьезоэлектрических, цинка

...мишени из окиси цинка. Распыление окиси цинка предпочтительнее,чем распыление металлического цинка,так как позволяет получать пленки окисицинка с большим коэффициентом электромеханической связи (К=0,8-1%), близкимк значению для монокрцсталлов окиси цинка, за счет упрощения поддержания условий получения стехиометрцческцх по составу пленок, Создание над распыляемойповерхностью цинковой мишени зоны скрещенных электрического и магнитного полейпозволяет почти на порядок увеличитьскорость распыления, а следовательно, искорость осаждения, что способствуетуменьшению угла разориентациц текстуры,При температуре распыляемой поверхности цинковой мишени ниже 200 С и скоростях распыления, необходимых для обеспечения малого угла разориентации...

Номер патента: 1071665

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Воронин, Ноженков, Семенов

МПК: C23C 15/00

Метки: антифрикционных, покрытий

...условий получения антифрикционного покрытия, при60 которых обеспечивается плавный переход по составу от материала подслоя, состоящего целиком из переходного металла, до наружного слоя,состоящего из халькогенида этого переходного металла. Приложенный к подложке отрицательный потенциал смещения обеспечивает бомбардировку растущего покрытия ионами гаэораэряднойплазмы. В результате на подложке привыбранном потенциале смещения осаждается практически чистый переходнойметалл, а халькоген удаляется. Значение потенциала смещения, при которомэто становится возможным, зависит от величины энергии связи между металлом и халькогеном, В общем случае оно должно быть не менее пятикратной величины энергии связи переходный металл - халькогенид...

Номер патента: 1114709

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Данилович, Короткин, Лабунов, Чепиков

МПК: C23C 15/00

Метки: вакууме, двухсторонних, нанесения, покрытий

...расположенные непосредственно на ближайшем относительно источникаучастке транспортера, и через окна между подложкодержателями - на другую сторону подло-.жек на Обратном участке транспортера.55Покрытие наносится из одного и того жеисточника материала, что позволяет получитьдвухсторонние покрытия с идентичными свойствами и характеристиками, т, е. однородными по составу.На фиг. 1 приведена принципиальная схема устройства; на фиг, 2 - его поперечное сечение.Устройство для нанесения покрытий в вакууме состоит из вакуумной камеры 1, включающей источник 2 наносимого материала и замкнутый транспортер 3 с подложкодержа. гелями 4., Транспортер 3 выполнен в виде двух замкнутых, расположенных в параллельных плоскостях, цепей 5, между...

Номер патента: 1125291

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Григоров, Дороднов, Калинин, Киселев, Перекатов, Таубкин

МПК: C23C 15/00

Метки: нанесения, покрытий

...титана, соосно установлен ный с катодом кольцевой анод 2 и магнитную катушку 3, расположенную коаксиально с катодом 1 а также источник 4 электропитания дугового разряда. Соосно е катодом установлен 55 подложкодержатель 5 подложек 6, представляющий собой полое незамкнутое тело, на заднем торце которого выполнены отверстия для крепления подложки (метчиков, сверл и т.д,), Подложкодержатель 5 соединен с ис точником 7 создания отрицательного смешения напряжения на подложкодержателе. На внешней боковой поверхности подложкодержателя жестко закреплен газовый коллектор 8, соединенный с системой подачи реактивного газа (не показана). Отверстия 9 для подачи реактивного газа из коллектора в полость подложкодержателя 5 выполнены в стенке...